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公开(公告)号：CN117940001A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311824157.1
申请日：2023-12-27
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种基于锗衬底的场效应晶体管磁传感器及其制备方法，涉及传感器领域。本发明传感器具有以下优点：1)厚度很小，利用MOS器件进行磁感应；2)器件尺寸小，有利于提高系统集成度；3)与集成电路制造工艺兼容，能够采用目前广泛使用的半导体工艺在芯片制造的同时进行传感器的集成；4)灵敏度高，锗的空穴迁移率高于传统硅基空穴迁移率，能够在高精度环境下使用。因此，本发明传感器在运动传感、智能医疗及汽车等多个领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117936623A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311813294.5
申请日：2023-12-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/18 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种单行载流子光电探测器及其制备方法和使用方法，涉及半导体光电器件领域。对于传统UTC‑PD，在大功率条件下，过量的光生电子会在异质结界面的二维电子气处积累，造成器件性能下降。本发明的UTC‑PD器件中，在横向电场的作用下，光生电子从异质结界面处被快速抽出，漂移向阴极。该设计可以缓解大功率下光生电子积累效应，有效地提高了器件的饱和工作点。
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公开(公告)号：CN117906764A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311824222.0
申请日：2023-12-27
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种瞬态反射率显微热成像装置及使用该装置的方法，涉及半导体设备领域。本发明采用具有单光子级别灵敏度和高速响应特性的硅光电倍增器阵列和多通道电荷电压转换器，优化了照明光脉冲、激励脉冲信号和电荷电压转换器积分门之间的时序设定，从而使得激励脉冲信号与照明光脉冲可以达到更高频率，大幅提高了瞬态反射率显微热成像装置的时间分辨率。
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公开(公告)号：CN117665520A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311682548.4
申请日：2023-12-08
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于瞬态电流的半导体器件快界面态表征方法。本发明方法利用了不同响应时间的界面态会先后释放或填充界面电荷这一特性，在待测半导体器件的栅极通过信号发生器施加多组不同上升和下降时间的阶跃信号/阶梯信号，产生感应电流，实现对不同响应时间的快界面态的表征。本发明方法解析了在不同激励边沿的界面态的电子俘获与发射情况，为数据处理提供了良好的理论依据。同时，该快界面态表征方法测试结构简单、测试效率高且测试结果准确。
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公开(公告)号：CN111583293B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202010393183.3
申请日：2020-05-11
Applicant: 浙江大学
IPC: G06T7/194
Abstract: 本发明公开了一种面向多色双光子图像序列的自适应图像分割方法。从多色双光子图像序列中选取第k幅至第n幅图像作为训练样本；由训练样本生成初始化的多通道双模态背景模型；对上述多通道双模态背景模型的持续实时更新；利用实时更新的多通道双模态背景模型对实时输入的图像进行分割检测。本发明解决了缺少针对多色双光子图像序列数据特性而专门设计背景建模进而图像分割方法的问题，克服了一些现有方法无法适应与利用多色双光子图像序列数据特性的问题，有效保证了处理的准确性和运算效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112364908B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202011224742.4
申请日：2020-11-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种面向决策树的纵向联邦学习方法，该方法主要包括如下步骤：1)所有参与者对于本地的每一个特征，将本地数据进行排序，随后将排序后的数据按序等分为不同的块，将每一块称为一个桶。2)对于每一个特征所对应的一组数据，每一个数据在该特征下的桶号有一定概率变为其它桶号，选取适当的概率使得这种加密方式满足差分隐私的定义。3)每个参与者将不同数据在不同特征下分到的桶的序号，发送给持有标签的参与者。将这个参与者称为协调者。4)协调者根据这些数据训练决策树模型，训练过程不再需要其他参与者。本发明首次提出在决策树的联邦学习中传递排序的方法，在维持联邦学习安全性的同时，极大的提升了训练速度。
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公开(公告)号：CN109065613B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810758788.0
申请日：2018-07-11
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种竖直结构锗沟道场效应晶体管器件的制造方法。首先在衬底上沉积锗薄膜和镍薄膜，并通过退火形成镍锗合金薄膜作为器件的源极；其次在源极上沉积第一绝缘层薄膜、氮化铪薄膜和第二绝缘层薄膜；刻蚀第一绝缘层薄膜、氮化铪薄膜和第二绝缘层薄膜形成沟道孔洞，并氧化沟道孔洞内壁的氮化铪生成氧氮化铪或氧化铪，作为器件的栅绝缘层；在沟道孔洞中沉积非晶锗，并通过退火使锗结晶形成器件的沟道；最后在沟道上方沉积镍薄膜并退火形成镍锗合金作为器件的漏极。本发明采用先制备栅极堆垛再制备沟道的方法，充分降低了制备竖直结构器件过程中的工艺难度，降低了工艺成本，制得的器件具有驱动电流大、集成密度高等优势。
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公开(公告)号：CN111583293A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010393183.3
申请日：2020-05-11
Applicant: 浙江大学
IPC: G06T7/194
Abstract: 本发明公开了一种面向多色双光子图像序列的自适应图像分割方法。从多色双光子图像序列中选取第k幅至第n幅图像作为训练样本；由训练样本生成初始化的多通道双模态背景模型；对上述多通道双模态背景模型的持续实时更新；利用实时更新的多通道双模态背景模型对实时输入的图像进行分割检测。本发明解决了缺少针对多色双光子图像序列数据特性而专门设计背景建模进而图像分割方法的问题，克服了一些现有方法无法适应与利用多色双光子图像序列数据特性的问题，有效保证了处理的准确性和运算效率。
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公开(公告)号：CN110923304A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911204191.2
申请日：2019-11-29
Applicant: 浙江大学
IPC: C12Q1/6879 , C12Q1/6895 , C12N15/11
Abstract: 本发明公开了一种用于鉴别银杏性别的分子标记，所述的分子标记为SEQ IDNO.1或SEQ ID NO.2所示。引物对GbSD1和GbSD2、GbSD3和GbSD4为银杏雄性个体专一性核酸分子探针。采用常规PCR方法，使用引物对1进行扩增，扩增产物有617bp条带，或使用引物对2进行扩增，扩增产物有531bp条带，则为雄性；否则为雌性。本发明提供的引物对为银杏雄性个体专一性分子探针，仅需少量样品就可以完成整个操作；准确、灵敏度高，若样品中有PCR扩增带，则为阳性反应，判断为雄性个体，反之无PCR扩增带，则为阴性反应，判断为雌性个体；方法简单，采用PCR技术进行检测，时间短。
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公开(公告)号：CN108400232B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810201506.7
申请日：2018-03-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于镍锗合金/锗肖特基结的压力传感器件及其制造方法。该压力传感器件包括n型掺杂的锗衬底，锗衬底上表面设置绝缘层，绝缘层上开有贯穿的接触电极凹槽和测试电极凹槽，接触电极凹槽和测试电极凹槽下方的锗衬底中分别设置n型重掺杂区域和镍锗合金区域，镍锗合金区域和锗衬底构成镍锗合金/锗肖特基结结构，镍锗合金区域上设置测试电极，n型重掺杂区域上设置接触电极；本发明利用应变状态下锗材料的能带变化形成势垒高度不同的镍锗硅合金/锗肖特基结，从而改变镍锗硅合金/锗肖特基结在反偏压状态下的电阻，实现压力值的传感。本发明传感器具有灵敏度高、器件尺寸小、易于在集成电路芯片中集成等优势，应用前景广阔。
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