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公开(公告)号：CN116380577A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310215943.5
申请日：2023-03-01
Applicant: 清华大学
IPC: G01N1/28 , G01N23/20008 , G01N23/04
Abstract: 本申请公开了一种利用聚焦离子束加工半导体芯片结构透射样品的方法，在常规透射样品制备流程的基础上进行了减薄流程的改进，采用特定参数进行切割加工时两步切割法和间隙切割法，实现半导体芯片结构的均匀厚度加工，特别是针对钨柱结构的切割方式进行了优化设计，并且提供了判断观测薄片厚度的多种参考依据。可以实现高效的半导体芯片结构的透射样品制备工作，并且获得关键器件结构的高分辨透射图像。
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公开(公告)号：CN113130657B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201911392800.1
申请日：2019-12-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种晶体管及其制备方法。该晶体管包括：有源层、介质层、偶极子种子层和栅极。介质层设置在该有源层的表面上；偶极子种子层设置在该介质层的远离该有源层的表面上；栅极设置在该偶极子种子层的远离该介质层的表面上。根据本发明所提供的无结型场效应晶体管具备减少泄漏电流，降低静态功耗，提高器件性能的稳定性的技术效果。
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公开(公告)号：CN114121089B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111404527.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于忆阻器阵列的数据处理方法及数据处理装置，用于线性运算算法。该数据处理方法包括：获取算法参数；由算法参数确定在忆阻器阵列中对应的忆阻器的映射电导值；基于映射电导值确定映射电导区间；将映射电导值写入到忆阻器阵列中对应的忆阻器中且使得对应的忆阻器落入映射电导区间内，得到映射后的忆阻器阵列。该数据处理方法可以解决量化映射方案引入量化误差而不适用于线性运算算法的问题，从而可以提高忆阻器电导映射的精度，提高忆阻器存算一体系统的运算精度。
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公开(公告)号：CN116050491A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211639655.4
申请日：2022-12-19
Applicant: 清华大学
IPC: G06N3/063 , G06N3/0464 , G11C13/00
Abstract: 公开了一种数据处理装置、计算机系统及其操作方法。该数据处理装置包括多个主干网络基础模块、时分复用仲裁模块、数据处理与存储模块、装置内总线，其中，多个主干网络基础模块、时分复用仲裁模块、数据处理与存储模块通过装置内总线通信连接。每个主干网络基础模块基于存算一体架构且配置为实现可复用的单个神经网络层或包括多个神经网络层的组合的操作，时分复用仲裁模块配置为对装置内总线的使用进行调度，数据处理与存储模块配置为对于来自多个主干网络基础模块中任一的输出数据进行处理和存储。数据处理装置具有改善的数据处理性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115790915A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111064257.X
申请日：2021-09-10
Applicant: 深圳市腾讯计算机系统有限公司 , 清华大学
Abstract: 本申请公开了一种电子电路、压力传感器及其制备方法，属于电子技术领域。该方法能够直接在硬性硅基衬底上形成依次层叠的柔性衬底和电子元件，之后再采用电解法剥离硬性硅基衬底，从而得到包括柔性衬底和电子元件的柔性微电子电路。由于该方法无需转印电子元件，因此制备难度较小，且不存在转印失败的问题。进而，制备得到的柔性微电子电路的成品率较高。
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公开(公告)号：CN112489709B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202011506701.4
申请日：2020-12-18
Applicant: 清华大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提出了一种阻变存储器阵列的两步写操作方法，包括：令阻变存储器阵列中选通器和阻变存储器的初始状态均处于高阻态；对阻变存储器阵列施加第一写脉冲信号，使选通器处于低阻态、阻变存储器保持高阻态；对阻变存储器阵列施加第二写脉冲信号，使选通器和阻变存储器均处于低阻态；将第二写脉冲信号的幅值降为零，使选通器处于高阻态、阻变存储器处于低阻态，写操作完成；其中第二写脉冲信号幅值>阻变存储器写操作电压>第一写脉冲信号幅值>选通器正向开启阈值电压，第一写脉冲信号脉冲长度>选通器正向开启延迟，且第二写脉冲信号脉冲长度>阻变存储器写入延迟。本发明可减小写操作过程对选通器性能的影响，降低写过程功耗和阻变器件串扰。
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公开(公告)号：CN111859261B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202010775594.9
申请日：2020-08-05
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/12
Abstract: 一种计算电路及其操作方法。该计算电路包括至少一个存储器阵列、电压钳位电路以及电压读取电路，存储器阵列包括布置为N行M列的多个三端存储器，多个三端存储器的每一个包括第一信号端、第二信号端以及控制信号端，且被配置为可以根据控制信号端被施加的电压脉冲而存储对应的目标值；存储器阵列还包括沿存储器阵列的行方向延伸的N条第一信号线以及沿存储器阵列的列方向延伸的M条第二信号线；第n条第一信号线与第n行的三端存储器的第一信号端电连接，第m条第二信号线与第m列的三端存储器的第二信号端电连接；N和M均为大于等于2的整数，且1≤n≤N，1≤m≤M。该计算电路可以提高计算精度以及鲁棒性。
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公开(公告)号：CN113868879B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202111164180.3
申请日：2021-09-30
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本公开的实施例提供了纳米材料器件的仿真方法、设备、计算机程序产品和可读存储介质。本公开的实施例所提供的方法根据纳米材料器件和一维纳米材料单元的参数，设置纳米材料器件的仿真模型的初始化参数，在二维矩形平面上随机生成具有初始化参数的纳米材料网络，纳米材料网络包括多个一维纳米材料单元，且其中的至少两个一维纳米材料单元之间存在相交；建立与纳米材料网络具有相同拓扑结构的导电网络，若导电网络中存在导电通路则对导电通路进行解算，获得纳米材料器件的仿真模型的电学性能参数，从而准确对应纳米材料薄膜各参数与纳米材料器件电学性能的关系。
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公开(公告)号：CN112869747B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201911203098.X
申请日：2019-11-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种微电极及其制作方法和使用方法、塞类装置和微电极系统。微电极包括衬底和导电层，该导电层设置在衬底上，配置为传导电信号。衬底为柔性衬底且包括空腔结构，该空腔结构配置为储存或释放流体。衬底在空腔结构中储存有流体时的硬度与衬底在空腔结构中没有流体时的硬度不同。该微电极具有良好的延展性和稳定的电学性能，且综合了硅基神经微电极成熟的植入方法和柔性神经微电极与生物组织硬度相接近的独特优势，既便于植入生物组织，又不易引起生物组织的免疫反应，并且制作方法简单，操作性较强。
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