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公开(公告)号：CN114284372B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202111447082.0
申请日：2021-11-30
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种三层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法，涉及某技术领域。其中，所述三层纳米棒阵列异质结结构包括依次层叠设置的SnO2纳米棒阵列层、TiO2纳米棒阵列层和ZnO纳米棒阵列层。本发明通过构建三层纳米棒阵列、以及对每层纳米棒阵列中材料的合理选择，一方面使所述异质结结构具有梯度能带结构，从而能加速光生电子和空穴的分离，另一方面通过将每层设计为一维的纳米棒阵列结构，为光生载流子的传输提供了高速通道，两者协同作用，共同提高了电荷传输效率，使所述三层纳米棒阵列异质结结构的光电化学性能优异；此外，该三层纳米棒阵列异质结结构还具有比表面积大的特点，因此其对光的利用率高。
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公开(公告)号：CN113135591B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110316509.7
申请日：2021-03-24
Applicant: 湖北文理学院
IPC: C01G23/053 , B82Y40/00 , C23C18/12
Abstract: 本发明公开一种二氧化钛纳米棒阵列的制备方法，所述二氧化钛纳米棒阵列的制备方法包括以下步骤：提供一衬底；将聚乙烯吡咯烷酮溶解在1‑戊醇中，然后加入柠檬酸钠水溶液，混合形成透明的微乳液；将去离子水与浓盐酸混合搅拌后，向其中加入钛酸四丁酯，混合形成钛源前驱液；将所述微乳液和所述钛源前驱液混合，然后将所述衬底放入混合溶液中，然后在80～130℃的温度下反应5～30h，反应结束后取出所述衬底并清洗、烘干，得到生长于所述衬底表面的二氧化钛纳米棒阵列。本发明提供了一种反应条件温和的制备方法，大幅降低了常规水热法制备二氧化钛纳米棒阵列的反应温度，在80～130℃的反应温度下即可制备出结晶良好的二氧化钛纳米棒阵列。
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公开(公告)号：CN111739961A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010547524.8
申请日：2020-06-16
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L31/032 , H01L31/06 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，具体而言，涉及一种基于有序SnO2纳米棒阵列的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括导电基底、沉积于导电基底表面的SnO2晶种层、生长在SnO2晶种层表面的SnO2纳米棒阵列、沉积于SnO2纳米棒的间隙中和SnO2纳米棒表面的无机钙钛矿层、沉积于无机钙钛矿层表面的空穴传输层、以及沉积于空穴传输层表面的Au电极层。本发明的无机钙钛矿太阳能电池，其具备电荷传输快、电荷提取效率高、光电转化效率高和器件稳定性好等优点。本发明的制备方法，其操作简便、成本低、适用范围广，制得的太阳能电池稳定且高效。
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公开(公告)号：CN108806990B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810601667.5
申请日：2018-06-12
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01G9/20
Abstract: 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法，属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层，n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极光电转化效率高。
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公开(公告)号：CN108467734B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201810411158.6
申请日：2018-05-02
Applicant: 湖北文理学院
IPC: C09K11/85
Abstract: 快速制备不同物相NaYF4上转换材料的方法及上转换材料，属于上转换材料技术领域。方法包括：向溶有Y3+、Yb3+及Er3+的初始溶液中混入柠檬酸钠，得络合溶液。向络合溶液中混入乙醇胺，得前驱体溶液。向前驱体溶液中混入含F‑的盐，调节pH值为1‑10，得胶状溶液。将胶状溶液置于高压反应釜中，于160‑180℃条件下加热40‑60min。工艺简单、晶相可控、重复性强、周期短，制得的NaYF4上转换材料形貌均一、发光强度高。NaYF4上转换材料根据上述方法制得，形貌均一，且具备高发光强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107353247B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201710565274.9
申请日：2017-07-12
Applicant: 湖北文理学院
IPC: C07D215/38
Abstract: 本发明提供了一种2‑芳基‑3‑酰氨基喹啉衍生物及其制备方法，包括以下步骤：以2‑Boc‑氨基苯甲醛为原料，在碱性条件下与取代苯乙酮发生缩合反应，得到查尔酮衍生物，然后经由氨基化试剂环合得取代环丙胺，所得产物再与酰氯发生反应，最后在酸性条件下，发生脱保护的同时成环，得到2‑芳基‑3‑酰氨基喹啉衍生物。采用一锅法，由环丙胺中间体直接在酸性水溶液中，脱去保护基团的同时，发生关环反应得到2‑芳基‑3‑酰氨基喹啉衍生物，具有反应条件温和、步骤简单等优点，无需高温、强碱等苛刻条件。
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公开(公告)号：CN108806990A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810601667.5
申请日：2018-06-12
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01G9/20
Abstract: 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法，属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层，n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极光电转化效率高。
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公开(公告)号：CN114974660A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210671074.2
申请日：2022-06-14
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明公开一种低阻值耐磨导电碳浆及其制备方法，所述低阻值耐磨导电碳浆包括以下质量分数的组分：20～35％的有机溶剂、0.1～0.5％的消泡剂、0.1～0.5％的流平剂、0.1～0.5％的分散剂、40～50％的粘结剂以及20～30％的碳材料；其中，所述碳材料包括膨胀石墨和纳米碳粉，且所述膨胀石墨和所述纳米碳粉的质量比为(1～3)：1。本发明提供的低阻值耐磨导电碳浆，能够降低用该碳浆制得的碳电极的方阻值，且能够提高用该碳浆制得的碳电极的耐磨寿命。
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公开(公告)号：CN111961086B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010840102.X
申请日：2020-08-19
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明公开一种荧光磷光双发射的三齿铱配合物及其制备方法和应用，所述荧光磷光双发射的三齿铱配合物具有如结构式(Ⅰ)或(Ⅱ)所示的结构。本发明提供的荧光磷光双发射的三齿铱配合物，以苯基亚磷酸酯构建三齿结构，将现有的多齿铱配合物的柔性基团替换成刚性桥联基团，减少了铱配合物的自淬灭，并且提高了铱配合物的稳定性；同时在苯基亚磷酸酯的苯基上引入叔丁基，提高了铱配合物的溶解性，使本发明得到的荧光磷光双发射的三齿铱配合物在保证稳定性好的同时，溶解性也较好，提高了其实际使用价值。
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公开(公告)号：CN108863839B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201810884672.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 湖北文理学院
IPC: C07C243/02 , C07C241/00 , C07D487/04 , C06B25/34
Abstract: 四硝胺基乙烷的碱金属盐、其制备方法及高能材料，属于高能化合物领域。四硝胺基乙烷的碱金属盐的制备方法，包括水解原料四硝基甘脲的合成：以甘脲为原料、过渡金属盐为催化剂、醋酸酐为吸水剂，在温度低于10℃的条件下进行硝化反应。其原料成本低，产率高，合成工艺方便、高效、安全。四硝胺基乙烷的碱金属盐，根据上述的制备方法制得。纯度高、热稳定性好、爆速高且无严重板结现象。高能材料，包括上述的四硝胺基乙烷的碱金属盐。稳定性好、爆速高且使用效果好。
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