一种增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法

    公开(公告)号:CN118567195A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410710354.9

    申请日:2024-06-03

    Abstract: 本发明公开了一种增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法,属于微纳制造技术领域,通过将光刻胶薄膜置于悬空状态执行曝光过程,消除衬底对于光刻分辨率,然后通过透明载体将曝光后的光刻胶剥离并完成显影,之后将显影后的光刻胶图案转移释放至目标衬底。所述提升集成精度的方法在于光刻胶薄膜显影后的图案中同时包含套刻标记,在释放过程中将其与目标衬底上的标记进行对准,可显著提升异质集成精度。本发明将光刻技术的分辨率推进极限,甚至能够进一步拓展电子束与光学混合匹配光刻技术的应用场景,为跨尺度微纳结构、3D异质/异构系统、以及多功能光电子器件的制备和集成提供新的解决方案。

    一种柔性光刻掩模版高效批量化制备工艺

    公开(公告)号:CN118550153A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410839892.8

    申请日:2024-06-26

    Abstract: 本发明公开了一种柔性光刻掩模版高效批量化制备工艺,属于微纳制造领域。包括:硅衬底清洗;得到硅衬底上均匀分布的无缺陷低界面黏附可转移光刻胶膜。去除胶层内的溶剂并提高光刻胶膜的机械擦伤能力。转移,将光刻胶转移到柔性印章上。将硬质母掩模版图案等比例转移到光刻胶上。将硬质母掩模版图案等比例复制到光刻胶上。金属沉积;通过沉积一层不透光金属,最终实现大面积高分辨柔性掩模版的高效、低成本制备。用胶带将结构外的金属和光刻胶缓慢剥离,得到大面积高分辨柔性掩模版。该发明不仅为传统柔性掩模版加工制造提供了更可靠和高效的工艺,使得制造过程更加稳定和高效,同时也能满足大幅面的制造需求。

    一种柔性透明可拉伸锌负极及其制备方法

    公开(公告)号:CN118231585A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410339281.7

    申请日:2024-03-25

    Abstract: 本方法公开了一种柔性透明可拉伸锌负极的制备方法,首先在聚合物基底表面沉积复合金属薄膜,然后通过光刻、显影在金属导电薄膜表面构建周期性导电沟槽,之后通过电化学沉积将锌金属选择性地沉积在导电沟槽中形成网栅结构,通过在锌金属网栅表面涂覆耐有机溶剂高分子化合物材料并固化,之后通过两次非机械剥离得到柔性透明可拉伸锌负极。基于所述沉积复合金属薄膜、制备图案化沟槽,沉积锌金属网栅、涂覆柔性透明衬底材料、溶解聚合物基底一次非机械剥离,刻蚀液刻蚀复合金属薄膜二次非机械剥离,实现柔性透明可拉伸锌负极的制备。所得到的锌负极功能丰富,具有高柔性、高透光率、可拉伸性,可应用于多种锌电池及储能器件。

    一种应用于3D IC的正/背面套刻集成方法

    公开(公告)号:CN118151504A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410277927.3

    申请日:2024-03-12

    Abstract: 本发明公开了一种应用于3D IC的正/背面套刻集成方法,包括步骤:外延衬底准备(top‑Si/SiGe‑牺牲层on Si基底);正面“贯穿式形态”套刻标记制备;芯片正面器件/结构制备:在硅衬底所外延的top‑Si层顶部,以“贯穿式形态”套刻标记为基准,确定光刻和图形化位置,套刻定义正面芯片结构在carrier wafer和硅基底top‑Si层同时沉积键合层材料;硅基底晶圆翻转;carrier wafer和硅基底top‑Si层顶部的键合层材料face to face键合;硅基底背部减薄直至暴漏出从top‑Si层正面贯穿过来的套刻标记;芯片背面结构制备:共享正面贯穿过来的同一组套刻标记,以此作为基准,确定背面光刻和图形化位置,套刻定义背面器件/结构,实现正/背面器件/结构的高精度对准和集成。

    一种结合超构透镜及折射镜头的混合光学系统设计方法

    公开(公告)号:CN117687203A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311722458.3

    申请日:2023-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种结合超构透镜及传统折射镜头的混合光学系统设计方法,包括以下步骤:步骤1:折射镜头与相位面的光线追迹设计优化,获得超构透镜的理想相位轮廓;步骤2:根据理想相位轮廓设计超构透镜,获得超构透镜实际离散相位分布;步骤3:将超构透镜的实际离散相位取代理想相位面进行适用于折超混合系统的衍射传播仿真,获得光学系统的像质评价指标;沿步骤1‑3依次进行,完成后对光学系统的像质评价指标进行评价,若像质评价指标符合技术要求,则完成折超混合光学系统的设计,得到光学系统的结构参数;若不符合技术要求,则重返步骤1重复步骤进行设计优化。

    用于无标记光谱检测的介电超构表面传感芯片

    公开(公告)号:CN116087117A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202211735840.3

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本发明公开了用于无标记光谱检测的介电超构表面传感芯片,包括从下至上依次设置的玻璃衬底和超表面微结构,所述超表面微结构为二氧化钛纳米椭圆二聚体。本发明用于无标记光谱检测的介电超构表面传感芯片可以作为一种高光谱显微成像分析系统的活性纳米载玻片用于肿瘤组织的无标记检测。全介质超构表面由玻璃衬底上的周期性排列的高折射率二氧化钛椭圆二聚体纳米结构组成,其激发的连续域中的束缚态共振模式支持高光谱分辨率和强光与物质相互作用,在可见光波段内降低了光学损耗和提高了检测灵敏度,本发明具有低光学损耗、加工简单,且可通过对多个结构参数的调控以适应不同工作波长的优势。

    一种离子束溅射高熵合金玻璃电催化电极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119932620A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202411992878.8

    申请日:2024-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种离子束溅射高熵合金玻璃电催化电极及其制备方法和应用,该方法包括:首先利用微纳光刻和电沉积技术制备具有三维纳米锥阵列结构的镍微网栅,再将所获得的镍微网栅作为基底,通过离子束溅射法在其表面溅射沉积FeCoNiCrMn高熵金属玻璃即可制得该催化电极。本发明制备方法可增强高熵金属玻璃的分布均匀性和与基底的附着力,因此该一体化催化电极可直接作为工作电极;同时该制备方法可控性强、重复性高,适于工业化生产。本发明制备的催化电极主要应用于碱性电解液中的电解水反应,表现出优异的催化性能,其多元协同效应和高熵效应使其具有高的本征催化活性和稳定性,此外非晶结构暴露出丰富的活性位点。

    一种自动对焦的投影光机
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119439598A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411854592.3

    申请日:2024-12-17

    Abstract: 本发明提供了一种自动对焦的投影光机,包括壳体,光源和镜头分别设置于壳体内;光学系统配置为将光源的光线传导至光调控芯片;光调控芯片被配置为接收光学系统传导来的光线,进行调控后传导至镜头;往复运动装置与光调控芯片连接,被配置为驱动光调控芯片沿着光轴往复运动而调节到镜头的距离;激光距离传感器被配置为测量光机到被投影物体的距离;自动对焦控制装置与往复运动装置及激光距离传感器电信号连接,被配置为接收并根据激光距离传感器的测量信息,控制往复运动装置驱动光调控芯片运动,进行投影光机的对焦。

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