公开(公告)号：CN116390486A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211507352.7

申请日：2022-11-29

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 韩在贤

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 本公开涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括彼此交替层叠的绝缘层和导电层；沟道结构，其穿过层叠结构的至少一部分；以及存储器层，其插置在导电层与沟道结构之间，其中，存储器层包括布置在导电层与沟道结构之间的浮栅。

公开(公告)号：CN115274766A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210347142.X

申请日：2022-04-01

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 具元泰 ,  韩在贤 ,  李在吉

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L45/00

Abstract: 本申请公开了包括具有可变电阻的有源层的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括：衬底；源电极层和漏电极层，它们彼此间隔开地被设置在所述衬底上；有源层，其被设置在所述衬底上而接触所述源电极层和所述漏电极层；以及栅电极层，其被设置在所述有源层上。该有源层包括能够解析和再吸收金属颗粒的金属氧化物。该有源层中的电阻被配置为通过金属颗粒的解析和再吸收而可逆地改变。

公开(公告)号：CN114429969A

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202110661935.4

申请日：2021-06-15

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 韩在贤

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。根据本公开的一个方面的半导体器件包括衬底、设置在衬底上方以在垂直于衬底表面的第一方向上彼此间隔开的多个字线结构。多个字线结构中的每一个在平行于衬底表面的第二方向上延伸。另外，半导体器件包括：开关层，其设置在衬底上以接触多个字线结构的侧表面；以及位线结构，其设置在衬底上以在第一方向上延伸并接触开关层的表面。开关层被配置为执行阈值开关操作，并且具有可变的可编程阈值电压。

公开(公告)号：CN114256413A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110494121.6

申请日：2021-05-07

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 韩在贤

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 提供了一种可变电阻存储器件及其制造方法。所述可变电阻存储器件包括：第一电极；第二电极，其布置在从所述第一电极起的竖直方向上；以及氧化物层，其具有在第二电极与第一电极之间在竖直方向上延伸的氧缺乏区域。

公开(公告)号：CN113130739A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010723090.2

申请日：2020-07-24

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 韩在贤 ,  刘香根 ,  李世昊

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 根据一个实施例的非易失性存储器件包括：衬底；阻变层，其设置在所述衬底之上；栅绝缘层，其设置在所述阻变层上；栅电极层，其设置在所述栅绝缘层上；以及第一电极图案层和第二电极图案层，其分别设置在所述衬底上并且设置为接触所述阻变层的不同部分。

公开(公告)号：CN112993154B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202010559840.7

申请日：2020-06-18

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 韩在贤

IPC: H10N70/00 ,  H10B63/00 ,  G11C11/54 ,  G11C11/40

Abstract: 本公开提供了一种包括可变电阻器件的半导体器件。根据本公开的一个实施例的可变电阻元件包括：离子接收层，其具有顶部、底部和将顶部与底部连接的侧壁；离子供给层，其具有与离子接收层的侧壁的至少一部分连接的内侧壁；栅极图案，其连接到离子供给层的外侧壁；以及源极图案，其与离子接收层的顶部或底部之一连接，和漏极图案，其与离子接收层的顶部或底部中的另一个连接，其中离子接收层的电阻根据基于施加到栅极图案的电压而从离子供给层供应的离子的量来变化。

公开(公告)号：CN113130739B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202010723090.2

申请日：2020-07-24

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 韩在贤 ,  刘香根 ,  李世昊

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 根据一个实施例的非易失性存储器件包括：衬底；阻变层，其设置在所述衬底之上；栅绝缘层，其设置在所述阻变层上；栅电极层，其设置在所述栅绝缘层上；以及第一电极图案层和第二电极图案层，其分别设置在所述衬底上并且设置为接触所述阻变层的不同部分。

公开(公告)号：CN113053944B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202010698659.4

申请日：2020-07-20

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 韩在贤

IPC: H10B63/00

Abstract: 根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底，其具有上表面；栅极线结构，其设置在所述衬底之上；栅极电介质层，其覆盖所述栅极线结构的一个侧壁表面并且设置在所述衬底之上；沟道层，其设置为覆盖所述栅极电介质层并且设置在所述衬底、位线结构和阻变结构之上以接触在所述衬底之上的沟道层的不同部分；以及源极线结构，其设置在阻变结构中。所述栅极线结构包括至少一个栅电极层图案和层间绝缘层图案，它们沿着与所述衬底垂直的第一方向交替地层叠，并且沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN113540150B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202110019330.5

申请日：2021-01-07

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 韩在贤

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本申请涉及包括可变电阻层的半导体器件。根据实施方式的一种半导体器件包括衬底，设置在衬底上的栅极结构，在衬底上穿过栅极结构的孔图案，以及顺次设置在栅极结构的侧壁表面上的第一可变电阻层、第二可变电阻层和沟道层。栅极结构包括交替堆叠的至少一个栅电极层与至少一个层间绝缘层。第一可变电阻层和第二可变电阻层包括能够彼此交换的离子。

公开(公告)号：CN113130532B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202010721299.5

申请日：2020-07-24

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 韩在贤 ,  李世昊 ,  刘香根

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 非易失性存储器件包括具有上表面的衬底和设置在该衬底上方的沟道结构。所述沟道结构包括至少一个沟道层图案和至少一个层间绝缘层图案，二者在垂直于所述上表面的第一方向上交替地层叠，并且所述沟道结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。所述非易失性存储器件包括：电阻变化层，其设置在所述衬底上方并且在所述沟道结构的一个侧壁表面的至少一部分上；栅极绝缘层，其设置在所述衬底上方并且在所述电阻变化层上；以及多个栅极线结构，其设置在所述衬底上方，各自与所述栅极绝缘层的第一表面接触，并且被设置成在第二方向上彼此间隔开。