-
-
公开(公告)号：CN113690247B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110011497.7
申请日：2021-01-06
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 本公开提供了一种包含铁电层的三维结构的半导体器件。根据本公开实施例的半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括孔图案，该孔图案包括在垂直于衬底的表面的方向上延伸的中心轴线。栅极结构包括沿着中心轴线交替地层叠的栅电极层与层间绝缘层。该半导体器件包括：铁电层，其在孔图案内与栅电极层的侧壁表面相邻地设置；以及沟道层，其在孔图案内与铁电层相邻地设置。在这种情况下，栅电极层和层间绝缘层中的一个相对于栅电极层和层间绝缘层中的另一个朝向孔图案的中心轴线突出。
-
公开(公告)号：CN113130532B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202010721299.5
申请日：2020-07-24
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 非易失性存储器件包括具有上表面的衬底和设置在该衬底上方的沟道结构。所述沟道结构包括至少一个沟道层图案和至少一个层间绝缘层图案，二者在垂直于所述上表面的第一方向上交替地层叠，并且所述沟道结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。所述非易失性存储器件包括：电阻变化层，其设置在所述衬底上方并且在所述沟道结构的一个侧壁表面的至少一部分上；栅极绝缘层，其设置在所述衬底上方并且在所述电阻变化层上；以及多个栅极线结构，其设置在所述衬底上方，各自与所述栅极绝缘层的第一表面接触，并且被设置成在第二方向上彼此间隔开。
-
公开(公告)号：CN113257999A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010889134.9
申请日：2020-08-28
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 根据实施例的非易失性存储器件包括衬底、设置在衬底上的电阻变化层、设置在电阻变化层上的栅电极层、以及设置在衬底中并接触电阻变化层的不同部分的第一电极图案层和第二电极图案层。电阻变化层包括可移动氧空位和可移动金属离子。
-
公开(公告)号：CN113130532A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010721299.5
申请日：2020-07-24
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 非易失性存储器件包括具有上表面的衬底和设置在该衬底上方的沟道结构。所述沟道结构包括至少一个沟道层图案和至少一个层间绝缘层图案，二者在垂直于所述上表面的第一方向上交替地层叠，并且所述沟道结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。所述非易失性存储器件包括：电阻变化层，其设置在所述衬底上方并且在所述沟道结构的一个侧壁表面的至少一部分上；栅极绝缘层，其设置在所述衬底上方并且在所述电阻变化层上；以及多个栅极线结构，其设置在所述衬底上方，各自与所述栅极绝缘层的第一表面接触，并且被设置成在第二方向上彼此间隔开。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112466903A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010527827.3
申请日：2020-06-11
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本申请公开了一种具有阻变存储层的非易失性存储器件。根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底；源电极结构，其设置在衬底上；沟道结构，其被设置为与源电极结构的侧壁表面接触；阻变存储层，其设置在沟道结构的侧壁表面上；漏电极结构，其被设置为与阻变存储层接触；多个栅极电介质结构，其在第一方向上延伸并被设置为在第二方向上彼此间隔开；以及多个栅电极结构，其被设置为在多个栅极电介质结构中在第一方向上延伸。
-
公开(公告)号：CN110634953A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910067461.3
申请日：2019-01-18
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L27/11585
Abstract: 本发明公开了一种铁电半导体器件。本公开的铁电半导体器件包括：衬底；铁电层，其被设置在所述衬底上；电场控制层，其被设置在所述铁电层上并具有用来改变所述铁电层的矫顽电场的幅值的、在不施加外部电力的情况下形成的预定的内部电场；以及栅电极层，其被设置在所述电场控制层上。
-
公开(公告)号：CN109037317A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810584953.5
申请日：2018-06-08
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 刘香根
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78391 , G11C11/223 , G11C11/2273 , G11C11/2275 , G11C11/5657 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C2213/15 , H01L27/1159 , H01L29/516 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L29/42356
Abstract: 一种铁电存储器件包括：衬底；以及顺序层叠在衬底的表面上的铁电层、可变电阻存储层和栅电极。铁电层根据可变电阻存储层的电阻状态而具有多个不同剩余极化值中的任意一个。
-
公开(公告)号：CN112466902B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010494447.4
申请日：2020-06-03
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H10B63/00
Abstract: 本申请公开了一种具有阻变存储层的非易失性存储器件。根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底；栅电极结构，其设置在衬底上；栅极电介质层，其覆盖衬底上的栅电极结构的侧壁表面的至少一部分；沟道层和阻变结构，其顺序地设置在栅极电介质层上；以及多个位线结构，其设置在阻变结构内部。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
68
records
(took 0.04 seconds)
