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公开(公告)号：CN112310146B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201911264534.4
申请日：2019-12-11
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H10B63/00
Abstract: 本公开提供了一种包括半导体存储器的电子设备。所述半导体存储器包括：具有基本水平的上表面的基板；第一至第N层，所述第一至第N层在所述基板上被设置成水平的层并且在垂直方向上在所述基板上方彼此间隔开，其中所述第一至第N层中的每一个包括多条导电线；绝缘层，所述绝缘层被设置成填充所述导电线之间的空间；具有侧壁的孔，所述孔在垂直方向上延伸穿过所述绝缘层并在所述导电线之间延伸，以在所述孔的侧壁中暴露所述第一至第N层的所述导电线；可变电阻层，所述可变电阻层被设置在所述孔的侧壁上；以及导电柱，所述导电柱被设置成填充在其中形成有所述可变电阻层的所述孔，其中，N为2或大于2的自然数。
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公开(公告)号：CN115995449A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202210833246.1
申请日：2022-07-14
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/8238
Abstract: 提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。半导体器件包括：第一导电层，该第一导电层包含第一金属；第二导电层，该第二导电层电连接到第一导电层并且包含第二金属；以及互连结构，该互连结构对第一导电层与第二导电层的连接部分是共同的。互连结构包括：晶种层，该晶种层在第一导电层上，并且包含石墨烯；以及金属迁移阻挡层，该金属迁移阻挡层在晶种层上，并且包含MXene。
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公开(公告)号：CN115623789A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210312176.5
申请日：2022-03-28
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底和设置在衬底之上的栅结构。栅结构包括彼此交替层叠的栅电极层和层间绝缘结构。该半导体器件包括设置在衬底之上以接触栅结构的侧壁表面的电介质结构，以及设置在衬底之上的电介质结构的侧壁表面上的沟道层。每个层间绝缘结构包括设置在同一平面上的绝缘层和金属‑有机框架层。
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公开(公告)号：CN114373758A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202110428543.3
申请日：2021-04-21
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；位线导电层，其设置在衬底上并在实质上平行于衬底表面的第一横向方向上延伸；第一和第二沟道结构，其设置在位线导电层上而在第一横向方向上彼此间隔开；第一和第二栅极电介质层，其设置在衬底上方的第一沟道结构和第二沟道结构的侧表面上；第一和第二栅极线导电层，其分别设置在第一栅极电介质层和第二栅极电介质层上，第一和第二栅极线导电层分别与第一沟道结构和第二沟道结构相邻，并且在垂直于第一横向方向并实质上平行于衬底表面的第二横向方向上延伸；以及第一和第二储存节点电极层，其分别设置在第一沟道结构和第二沟道结构上方。
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公开(公告)号：CN114203226A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110442878.0
申请日：2021-04-23
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 韩在贤
Abstract: 本发明涉及存储单元及存储单元的操作方法。该存储单元包括：第一电极；第二电极；可变电阻层，其位于第一电极与第二电极之间；以及铁电层，其位于可变电阻层与第二电极之间，其中，在编程操作期间，可变电阻层保持在非晶态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068549A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110522291.0
申请日：2021-05-13
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 韩在贤
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本申请涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。一种半导体器件包括：在第一方向上延伸的第一位线；在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一字线；位于第一字线与第一位线的第一交叉部的第一晶体管，第一晶体管连接到第一字线和第一位线；与第一晶体管电连接的第一电容器，第一电容器位于第一交叉部的第一部分处；与第一晶体管电隔离的第二电容器，第二电容器位于第一交叉部的第二部分处；以及与第二电容器电连接的第二晶体管，第一电容器和第二电容器位于第一晶体管和第二晶体管之间。
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公开(公告)号：CN113078182A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010727739.8
申请日：2020-07-23
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 韩在贤
Abstract: 一种三维电阻式存储器装置包括：垂直字线柱、多个电阻层、多个绝缘层、栅极绝缘层和沟道层。垂直字线柱形成在半导体基板上。电阻层顺序层叠在垂直字线柱的两侧。绝缘层与电阻层交替层叠。栅极绝缘层插置在垂直字线柱和电阻层之间。沟道层布置在栅极绝缘层和电阻层之间。
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公开(公告)号：CN113035876A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010652096.5
申请日：2020-07-08
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/11507 , H01L27/11514 , H01L27/1159 , H01L27/11597
Abstract: 根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底，其具有上表面；源电极结构，其设置在衬底上；以及沟道结构，其设置在衬底上方并被设置为与源电极结构的一个侧壁表面接触。另外，该非易失性存储器件包括漏电极结构，其被设置为在衬底上方接触沟道结构的一个侧壁表面。另外，该非易失性存储器件包括多个铁电结构，该铁电结构在沟道结构中在垂直于衬底的第一方向上延伸并且被设置为沿着垂直于第一方向的第二方向彼此间隔开。另外，该非易失性存储器件包括栅电极结构，其被设置在多个铁电结构的每一个中以沿着第一方向延伸。
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公开(公告)号：CN113035875A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010651872.X
申请日：2020-07-08
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/11507 , H01L27/11514 , H01L27/1159 , H01L27/11597
Abstract: 根据实施例的非易失性存储器件包括具有上表面的衬底以及设置在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括沿垂直于上表面的第一方向交替层叠的至少一个栅电极层图案与至少一个栅极绝缘层图案。栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。非易失性存储器件包括被设置在栅极结构的一个侧壁表面的至少一部分上的铁电层。栅极结构的一个侧壁表面形成基本平行于第一方向和第二方向的平面。非易失性存储器件包括：沟道层，其设置在铁电层上；以及源电极结构和漏电极结构，其被设置为与沟道层接触并且在第二方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN112466902A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010494447.4
申请日：2020-06-03
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/24
Abstract: 本申请公开了一种具有阻变存储层的非易失性存储器件。根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底；栅电极结构，其设置在衬底上；栅极电介质层，其覆盖衬底上的栅电极结构的侧壁表面的至少一部分；沟道层和阻变结构，其顺序地设置在栅极电介质层上；以及多个位线结构，其设置在阻变结构内部。
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