电气模块
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104428858A

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201380036748.0

    申请日:2013-03-21

    CPC classification number: H01G9/2068 H01G9/2031 H01G9/2059 Y02E10/542

    Abstract: 本发明提供一种电气模块,其是具有配置在同一面上的多个单元的电气模块,包括第一电极和与所述该第一电极相对配置的第二电极,在这些所述第一电极与所述第二电极之间夹设有电解质地粘贴,并且具备与所述第一电极连接的第一电极端子和与所述第二电极连接的第二电极端子,所述电气模块使用了第一结构与第二结构中的至少一者,该第一结构是通过沿厚度方向贯穿所述第一电极而设置的开口部将连接于所述第二电极的所述第二电极端子向所述第一电极的外部表面侧取出,该第二结构是通过沿厚度方向贯穿所述第二电极而设置的开口部将连接于所述第一电极的所述第一电极端子向所述第二电极的外部表面侧取出。

    含硅膜的蚀刻装置
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103035516A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210554751.9

    申请日:2009-03-04

    CPC classification number: H01L21/32137

    Abstract: 本发明可抑制基底膜的蚀刻,且没有残渣且高速率地对硅或氧化硅的含硅膜进行蚀刻。本发明中使含有氟系反应成分和氧化性反应成分的处理气体与被处理物(90)接触,对基底膜(92)上的含硅膜(93)进行蚀刻。利用流速调节机构(60),根据蚀刻的进行使处理气体在被处理物(90)上的流速发生变化。优选调节处理气体的流量使气体流速发生变化。更优选在处理气体供给体系(10)中混合流速调节用气体或停止混合,调节处理气体的流量。

    含硅膜的蚀刻方法以及装置

    公开(公告)号:CN102132386B

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN200980132762.4

    申请日:2009-03-04

    CPC classification number: H01L21/32137

    Abstract: 本发明可抑制基底膜的蚀刻,且没有残渣且高速率地对硅或氧化硅的含硅膜进行蚀刻。本发明中使含有氟系反应成分和氧化性反应成分的处理气体与被处理物(90)接触,对基底膜(92)上的含硅膜(93)进行蚀刻。利用流速调节机构(60),根据蚀刻的进行使处理气体在被处理物(90)上的流速发生变化。优选调节处理气体的流量使气体流速发生变化。更优选在处理气体供给体系(10)中混合流速调节用气体或停止混合,调节处理气体的流量。

    用于处理基板的外周部的方法及设备

    公开(公告)号:CN101124663A

    公开(公告)日:2008-02-13

    申请号:CN200580023196.5

    申请日:2005-07-08

    Abstract: 一种用于处理基板的外周的方法和装置,在用于从基板的外周部去除不需要的膜时能够避免对基板中心部分的损坏。作为吸热装置的冷却介质室(4)形成在台(10)内,且诸如水的冷却介质填充到其中。晶片(90)被支撑在台(10)的支撑表面(10a)上。晶片(90)的外周部通过加热器(20)被加热,且用于去除不需要的膜的反应性气体从反应性气体出口(30b)供到晶片的被加热部分。另一方面,晶片(90)的在所述外周部的内侧的部分内的热量通过吸热装置吸收。

    电气模块
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107256802B

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201710249352.4

    申请日:2013-03-21

    Abstract: 电气模块具有配置于同一面的多个单元,包括第一电极、第二电极、夹设于第一电极与第二电极之间的电解质、与第一电极连接的第一电极端子和与第二电极连接的第二电极端子,通过沿厚度方向贯穿第一电极的开口部将连接于第二电极的第二电极端子向第一电极的外部表面侧取出,在第一电极形成有形成第一及第二舌片的切口,第一及第二舌片在形成有第一及第二舌片的第一电极的外部表面折回,在折回的第一舌片的外部表面设有第二电极端子,不将第一电极端子从通过折回第一舌片而形成的第一开口部取出,在折回的第二舌片的外部表面不设置第二电极端子,从通过折回第二舌片而形成的第二开口部取出连接于与第二开口部相对的第二电极的第一电极端子。

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