公开(公告)号：CN108475729A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780005226.2

申请日：2017-02-17

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 藤沼尚洋 ,  安西纯一郎

IPC: H01L51/44

CPC classification number: H01L51/44 ,  Y02E10/549

Abstract: 一种固体接合型光电转换元件，其依次具备基材、第一导电层、包含钙钛矿层的发电层、以及包含第二导电层的导电件，导电件具有自立性。

公开(公告)号：CN105189817B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201480014032.5

申请日：2014-09-12

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 藤沼尚洋 ,  功刀俊介 ,  中嶋节男 ,  广瀬伸吾 ,  江塚幸敏 ,  明渡纯

IPC: C23C24/04 ,  H01G9/20

CPC classification number: C23C24/04 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0046 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: [1]一种复合膜的制造方法，该复合膜含有无机半导体和导电助剂，其中，将上述无机半导体和上述导电助剂以物理方式喷涂至基材而制膜。[2]上述制造方法中，进一步对上述通过喷涂而制成的复合膜进行下述处理：使上述复合膜与含有电子传导带的能量低于上述导电助剂的化合物或上述化合物的前体的溶液接触。[3]上述制造方法中，使用由在氧存在下加热时产生热氧化反应的材料构成的导电助剂作为上述导电助剂，将含有上述无机半导体及上述导电助剂的复合微粒喷涂至基材而制膜。[4]上述制造方法中，上述复合微粒为混合由上述无机半导体构成的微粒和由构成上述导电助剂的材料构成的微粒而成的混合粉末。[5]上述制造方法中，上述导电助剂的含碳率为50质量％。

公开(公告)号：CN105189817A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480014032.5

申请日：2014-09-12

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 藤沼尚洋 ,  功刀俊介 ,  中嶋节男 ,  广瀬伸吾 ,  江塚幸敏 ,  明渡纯

IPC: C23C24/04 ,  H01G9/20

CPC classification number: C23C24/04 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0046 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: [1]一种复合膜的制造方法，该复合膜含有无机半导体和导电助剂，其中，将上述无机半导体和上述导电助剂以物理方式喷涂至基材而制膜。[2]上述制造方法中，进一步对上述通过喷涂而制成的复合膜进行下述处理：使上述复合膜与含有电子传导带的能量低于上述导电助剂的化合物或上述化合物的前体的溶液接触。[3]上述制造方法中，使用由在氧存在下加热时产生热氧化反应的材料构成的导电助剂作为上述导电助剂，将含有上述无机半导体及上述导电助剂的复合微粒喷涂至基材而制膜。[4]上述制造方法中，上述复合微粒为混合由上述无机半导体构成的微粒和由构成上述导电助剂的材料构成的微粒而成的混合粉末。[5]上述制造方法中，上述导电助剂的含碳率为50质量％。

公开(公告)号：CN105164316A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201480024102.5

申请日：2014-07-04

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 片桐友章 ,  藤沼尚洋 ,  功刀俊介 ,  中岛节男

IPC: C23C24/04 ,  H01G9/20

CPC classification number: H01G9/2027 ,  C23C24/04 ,  H01G9/0029 ,  H01G9/2031 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明是一种半导体膜的制造方法，其特征在于，通过将含有半导体粒子的原料粒子吹附于基材而在所述基材上制成半导体膜，该半导体粒子是使抑制半导体粒子彼此凝聚的凝聚抑制物质附着于表面而成的半导体粒子。