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公开(公告)号：CN1484337A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03141230.0
申请日：2003-06-05
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M10/058 , H01M10/446 , H01M2300/0025 , H01M2300/0042 , Y10T29/49108
Abstract: 本发明公开一种锂蓄电池，其包括：正极，其包括作为正极活性材料的能够可逆地嵌入/放出锂离子的材料；负极，其包括作为负极活性材料的能够可逆地嵌入/放出锂离子的材料；电解质，其包括锂盐、碳酸酯基有机溶剂和右式(1)表示的异噁唑化合物。
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公开(公告)号：CN102713758B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201080060221.8
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
Abstract: 提供了一种抗蚀剂底层组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂，其中该有机硅烷系缩聚化合物包含40mol%至80mol%由以下化学式1表示的结构单元。因此，本发明涉及一种能够提供优异的图案转印特性的抗蚀剂底层组合物、利用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂底层、以及利用其制造半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN101796101B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN200780100521.2
申请日：2007-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08G77/04
Abstract: 本发明提供了一种新颖且具有用于半导体器件的优异的填隙特性的有机硅烷聚合物，以及包括该聚合物的组合物。该组合物可通过一般的旋涂技术，在半导体基材中完全填充直径70nm或更少且长径比(即高度(或深度)/直径比)为1或更高的孔洞，且无任何缺陷，例如无空气孔隙。该聚合物具有宽的分子量范围，其可实现完全填隙。此外，在利用烘烤而固化之后，该组合物可通过利用氢氟酸溶液的处理，完全从孔洞中移除，而不留下任何残余物。再者，该组合物在储存期间非常地稳定。
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公开(公告)号：CN102819192A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210272558.6
申请日：2009-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08K5/54 , G03F7/0752
Abstract: 本发明提供了一种抗蚀剂下层组合物及利用其制造集成电路器件的方法。所述抗蚀剂下层组合物包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物，以及溶剂。在以下化学式1至5中，R1至R10、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1][R1]3Si-(CH2)nR2[化学式2][化学式3][R6]3Si-R7-Si[R6]3[化学式4][R8]3Si-R9[化学式5][R10]3Si-X-Si[R10]3。
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公开(公告)号：CN102060981B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010566229.3
申请日：2007-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。
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公开(公告)号：CN101490621A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780025924.5
申请日：2007-11-21
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/004
CPC classification number: C08G77/50 , C08L83/14 , G03F7/11 , G03F7/2022 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0271 , H01L21/31144 , H01L21/3122
Abstract: 本发明提供了一种用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含有机硅聚合物和溶剂或溶剂混合物，其中有机硅聚合物是在酸催化剂存在下，通过缩聚由以下式1、2和3表示的化合物的水解产物而制备的：[R1O]3S－X (1)，其中X是含有至少一个取代或未取代芳环的C6－C30官能团，而R1是C1－C6烷基；[R2O]3S－R3(2)，其中R2是C1－C6烷基，而R3是C1－C12烷基；以及[R4O]3S－Y－S [OR5]3(3)，其中R4和R5每一个独立地是C1－C6烷基，而Y是选自由取代或未取代的芳环、直链或支链C1－C20亚烷基、含有芳环的C1－C20亚烷基、杂环、主链中的脲基或异氰尿酸酯基和含有至少一个多重键的C2－C20烃基组成的组中的连接基团。该硬掩模组合物表现出优异的膜特性和良好的储存稳定性，并且由于其令人满意的硬掩模特性而可以将良好图案转移到材料层。另外，该硬掩模组合物具有对O2等离子体气体在用于图案化的后续蚀刻的改善的蚀刻抗性。该硬掩模组合物可用来形成高度亲水性薄膜，因而可以有效改善薄膜与覆盖抗反射涂层的界面相容性。本发明还提供了一种使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN100454654C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200480044296.1
申请日：2004-10-27
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01M10/40
CPC classification number: H01M10/4235 , H01M10/052 , H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M2300/0025
Abstract: 本发明涉及一种电池用非水电解液，更确切地说，涉及一种新型的电池用非水电解液，其中在传统的锂电池用非水电解液中添加呋喃酮类衍生物以抑制电解液的分解，因此，显著降低了高温下电池厚度的增长率，并且改善了高温下电池的容量存储特性。
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公开(公告)号：CN101048912A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200480044296.1
申请日：2004-10-27
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01M10/40
CPC classification number: H01M10/4235 , H01M10/052 , H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M2300/0025
Abstract: 本发明涉及一种电池用非水电解液，更确切地说，涉及一种新型的电池用非水电解液，其中在传统的锂电池用非水电解液中添加呋喃酮类衍生物以抑制电解液的分解，因此，显著降低了高温下电池厚度的增长率，并且改善了高温下电池的容量存储特性。
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