公开(公告)号：CN104620326B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201380044747.0

申请日：2013-08-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  郭泽秀 ,  金美英 ,  林相学 ,  韩权愚 ,  金古恩 ,  金奉焕 ,  金相均 ,  罗隆熙 ,  朴银秀 ,  裵镇希 ,  宋炫知 ,  李汉松 ,  洪承希

IPC: H01B3/46 ,  C08L83/08

Abstract: 本发明提供一种用于氧化硅类绝缘层的组成物及其制造方法，并揭示一种氧化硅类绝缘层及其制造方法。本发明提供的用于氧化硅类绝缘层的组成物，包括氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷，且具有浓度为1,200ppm或小于1,200ppm的环状化合物，所述环状化合物的重量平均分子量为400或小于400。所述用于氧化硅类绝缘层的组成物可减小氧化硅类绝缘层形成期间的厚度分布，由此减少在半导体制造制程期间的化学机械抛光(CMP)制程之后在层中的缺陷。

公开(公告)号：CN102585516B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110425397.5

申请日：2011-12-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 林相学 ,  金奉焕 ,  吴正堈 ,  郭泽秀 ,  裵镇希 ,  尹熙灿 ,  韩东一 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: C08L83/14 ,  C08G77/54 ,  H01L21/31 ,  H01L27/108

CPC classification number: C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。

公开(公告)号：CN101506941B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200680055586.5

申请日：2006-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金相均 ,  林相学 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  鱼东善 ,  金钟涉 ,  金到贤

IPC: G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/0276

Abstract: 一种处理抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物，包含溶剂和有机硅聚合物，其中有机硅聚合物由结构式6表示：在结构式6中，R是甲基或乙基，R′是取代或未取代的环状或无环烷基，Ar是含芳环官能团，x、y和z满足关系式x+y＝4，0.4≤x≤4，0≤y≤3.6，和4×10-4≤z≤1，而n为约3至约500。

公开(公告)号：CN101042533A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710007513.5

申请日：2007-01-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 鱼东善 ,  尹熙灿 ,  李镇国 ,  吴昌一 ,  金钟涉 ,  金相均 ,  林相学

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物，该组合物含有通过一种或多种式(I)化合物的反应所制备的有机硅烷聚合物，其中，R1、R2和R3可以各自独立地为烷基、乙酰氧基或肟；且R4可以是氢、烷基、芳基或芳烷基；并且其中有机硅烷聚合物具有大约1.1至大约2的多分散性。Si(OR1)(OR2)(OR3)R4(I)

公开(公告)号：CN103910885A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310718120.0

申请日：2013-12-23

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 裴镇希 ,  李汉松 ,  郭泽秀 ,  金古恩 ,  金补宣 ,  金相均 ,  罗隆熙 ,  朴银秀 ,  徐珍雨 ,  宋炫知 ,  林相学 ,  任浣熙 ,  洪承希 ,  黄丙奎

IPC: C08G77/62 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/92 ,  C08G77/00 ,  C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326

Abstract: 本发明披露了制备间隙填充剂的方法；通过所述方法制备的间隙填充剂；和使用所述间隙填充剂的半导体电容器。制备间隙填充剂的方法包括将卤代硅烷注入碱性溶剂并以约1g/hr至约15g/hr的速度加入基于100重量份卤代硅烷的约50重量份至约70重量份的氨以提供氢化聚硅氮烷。

公开(公告)号：CN101302346B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200810090419.5

申请日：2008-03-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 沙赫罗赫·莫塔莱比 ,  林相学

IPC: C08L83/14 ,  C08L83/05 ,  C09D183/14 ,  C09D183/05 ,  C08G77/50 ,  C08G77/12

CPC classification number: C08G77/48 ,  C08G77/50 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106

Abstract: 本发明涉及抗蚀乙硅烷和饱和烃桥接的含硅聚合物及制备和使用方法。本发明还涉及一种组合物，其包含共聚物，该共聚物含有具有结构(A)、(B)和(C)以及结构(D)或(E)之一或更多的单体单元的混合物：HSiO(3-a)/2(OH)a (A)；SiO(3-b)/2(OH)b-(CH2)n-SiO(3-c)/2(OH)c (B)；R1SiO(3-d)/2(OH)d (C)；MeSiO(3-e)/2(OH)e (D)；R2SiO(3-f)/2(OH)f (E)。其中，a、b、c、d、e和f独立地为0至2，n是0至约10，R1是生色团，R2是亲水基团。

公开(公告)号：CN101490621A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780025924.5

申请日：2007-11-21

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  林相学 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  金到贤 ,  鱼东善 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: C08G77/50 ,  C08L83/14 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2022 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3122

Abstract: 本发明提供了一种用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含有机硅聚合物和溶剂或溶剂混合物，其中有机硅聚合物是在酸催化剂存在下，通过缩聚由以下式1、2和3表示的化合物的水解产物而制备的：[R1O]3S－X (1)，其中X是含有至少一个取代或未取代芳环的C6－C30官能团，而R1是C1－C6烷基；[R2O]3S－R3(2)，其中R2是C1－C6烷基，而R3是C1－C12烷基；以及[R4O]3S－Y－S [OR5]3(3)，其中R4和R5每一个独立地是C1－C6烷基，而Y是选自由取代或未取代的芳环、直链或支链C1－C20亚烷基、含有芳环的C1－C20亚烷基、杂环、主链中的脲基或异氰尿酸酯基和含有至少一个多重键的C2－C20烃基组成的组中的连接基团。该硬掩模组合物表现出优异的膜特性和良好的储存稳定性，并且由于其令人满意的硬掩模特性而可以将良好图案转移到材料层。另外，该硬掩模组合物具有对O2等离子体气体在用于图案化的后续蚀刻的改善的蚀刻抗性。该硬掩模组合物可用来形成高度亲水性薄膜，因而可以有效改善薄膜与覆盖抗反射涂层的界面相容性。本发明还提供了一种使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN101302346A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810090419.5

申请日：2008-03-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 沙赫罗赫·莫塔莱比 ,  林相学

IPC: C08L83/14 ,  C08L83/05 ,  C09D183/14 ,  C09D183/05 ,  C08G77/50 ,  C08G77/12

CPC classification number: C08G77/48 ,  C08G77/50 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106

Abstract: 本发明涉及抗蚀乙硅烷和饱和烃桥接的含硅聚合物及制备和使用方法。本发明还涉及一种组合物，其包含共聚物，该共聚物含有具有结构(A)、(B)和(C)以及结构(D)或(E)之一或更多的单体单元的混合物：其中，a、b、c、d、e和f独立地为0至2，n是0至约10，R1是生色团，R2是亲水基团。

公开(公告)号：CN104684968B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201380049625.0

申请日：2013-07-15

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 宋炫知 ,  朴银秀 ,  林相学 ,  郭泽秀 ,  金古恩 ,  金美英 ,  金补宣 ,  金奉焕 ,  罗隆熙 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  尹熙灿 ,  李汉松 ,  田钟大 ,  韩权愚 ,  洪承希 ,  黄丙奎

IPC: C08G77/38 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08 ,  H01B3/46

CPC classification number: C08G77/54 ,  C08G77/60 ,  C08G77/62 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01B3/02 ,  H01B3/303 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0229 ,  H01L21/02326

Abstract: 本发明揭示改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法。改质氢化聚硅氧氮烷是藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。

公开(公告)号：CN104620326A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380044747.0

申请日：2013-08-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  郭泽秀 ,  金美英 ,  林相学 ,  韩权愚 ,  金古恩 ,  金奉焕 ,  金相均 ,  罗隆熙 ,  朴银秀 ,  裵镇希 ,  宋炫知 ,  李汉松 ,  洪承希

IPC: H01B3/46 ,  C08L83/08

CPC classification number: C09D1/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/0433 ,  C08G77/62 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01B3/02 ,  H01B3/303 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337

Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅类绝缘层的组成物，其包括氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷，且具有浓度为1,200ppm或小于1,200ppm的环状化合物，所述环状化合物的重量平均分子量为400或小于400。所述用于形成氧化硅类绝缘层的组成物可减小氧化硅类绝缘层形成期间的厚度分布，由此减少在半导体制造制程期间的化学机械抛光(CMP)制程之后在层中的缺陷。