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公开(公告)号：CN1146059C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN01124308.2
申请日：2001-05-31
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/12
Abstract: 在衬底上形成一个多晶硅层。在多晶硅层上形成绝缘层和栅电极。然后，通过用栅电极作掩膜将杂质掺入多晶硅层中以自对准方式形成沟道区，源区和漏区。然后，形成能量吸收层以覆盖整个衬底。从能量吸收层一侧辐射脉冲激光束。脉冲激光束的能量几乎全部吸收进能量吸收层，通过热辐射对下面的层面进行间接热处理。换句话说，对杂质进行激活并消除绝缘层中的缺陷，同时不会对衬底造成热损坏。
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