公开(公告)号：CN101645488B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200910161731.3

申请日：2009-08-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正 ,  米屋伸英 ,  大江贵裕

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明公开了有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置，所述有机薄膜晶体管包括：由有机绝缘层形成的基板；通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；也通过使用镀膜技术而沉积的覆盖所述第一层且由金属材料构成的第二层，所述第二层用于形成所述源极电极和所述漏极电极，所述第二层的金属材料与所述第一层相比能够与有机半导体材料形成更低的欧姆接触；以及在各自都用所述第一层和所述第二层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方形成的有机半导体层。本发明公开的电子装置中设置有上述有机薄膜晶体管。因此，本发明能够实现优良的器件特性和低的生产成本。

公开(公告)号：CN101595568B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200880003389.8

申请日：2008-01-28

Applicant: 索尼株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 野本和正 ,  平井畅一 ,  安田亮一 ,  八木岩 ,  三成刚生 ,  塚越一仁 ,  青柳克信

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/001 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545

Abstract: 提供了一种底栅/底接触型薄膜半导体装置(1)的制造方法，其中该薄膜半导体装置(1)可以将栅极绝缘膜和薄膜半导体层之间的边界保持在优选的状态而不受源极/漏极电极的影响并因此可以不论精细的结构而具有优选的特性。第一栅极绝缘膜(7-1)形成为覆盖形成的基板(3)上的栅极电极(5)的状态。成对的源极/漏极电极(9)形成在第一栅极绝缘膜(7-1)上。此后，第二栅极绝缘膜(7-2)仅选择性地形成在从源极/漏极电极(9)露出的第一栅极绝缘膜(7-1)上。接着，形成与源极/漏极电极(9)接触的薄膜半导体层(11)以连续覆盖源极/漏极电极(9)、第二栅极绝缘膜(7-2)和第一栅极绝缘膜(7-1)。

公开(公告)号：CN100533802C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200510088403.7

申请日：2005-07-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正

IPC: H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0541 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545

Abstract: 一种场效应晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、源/漏电极、和构成沟道区的有机半导体层。每一源/漏电极包括由金属形成的导电部分和至少部分覆盖导电部分且用掺杂剂掺杂的有机导电材料层。沟道区包含位于源/漏电极之间的有机半导体层。沟道区和每一导电部分通过有机导电材料层电连接。

公开(公告)号：CN1345093A

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：CN01141281.X

申请日：2001-08-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正 ,  川岛纪之 ,  藤原一郎 ,  平健一

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/78645 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7881

Abstract: 提供一种能够精确读取数据的存储器装置、该存储器装置的制造方法、以及集成电路。第一控制电极实质上与第二控制电极相面对,传导区和存储区位于其间。在“数据读取”的同时,电势被施加到第一控制电极。在“数据读取”期间,防止了传导区和存储区之间的电势变化,因此防止了信息的无意写入或擦除,从而能够精确地读取写入的信息。

公开(公告)号：CN101075659A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710102579.2

申请日：2007-05-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 川岛纪之 ,  野本和正 ,  野元章裕

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L21/28 ,  H01L27/28

CPC classification number: H01L51/055 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0541

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法以及采用该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管由有机半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极依次位于基板上的叠层制成，且该薄膜晶体管的制造方法包括：通过印刷在栅极绝缘膜上图案化涂布栅极电极材料的步骤，以及进行热处理以由于图案化涂布的栅极电极材料的干燥固化来形成栅极电极的步骤。

公开(公告)号：CN1979769A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610110899.8

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1905230A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200510088403.7

申请日：2005-07-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正

IPC: H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0541 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545

Abstract: 一种场效应晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、源/漏电极、和构成沟道区的有机半导体层。每一源/漏电极包括由金属形成的导电部分和至少部分覆盖导电部分且用掺杂剂掺杂的有机导电材料层。沟道区包含位于源/漏电极之间的有机半导体层。沟道区和每一导电部分通过有机导电材料层电连接。

公开(公告)号：CN1256793A

公开(公告)日：2000-06-14

申请号：CN99800177.5

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时,使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度在0.1nm以上100nm以下的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时,使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷,存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄,存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此,可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN100524633C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610110899.8

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN101290870A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810092623.0

申请日：2008-04-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野元章裕 ,  野本和正 ,  福田敏生

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L51/0022 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/102 ,  H05K3/046 ,  H05K3/207 ,  H05K2203/0108 ,  H05K2203/0528 ,  H05K2203/122

Abstract: 本发明提供了一种形成图案、半导体装置及其制备方法。该形成图案的方法包括通过涂敷液体组合物在第一板上形成导电膜的步骤。该液体组合物包括有机溶剂和用脂肪酸或者脂肪胺表面改性的导电粒子。然后，通过将表面上具有凹凸图案的第二板压在表面上具有导电膜的第一板的表面上，在第一板上形成作为第一图案的反转图案的第二图案。然后，导电膜的第一图案转移到第二板的凸起顶表面上。然后，通过将表面上具有第二图案的第一板的表面压在转移基板的表面上，将第二图案转移到转移基板的表面上。