公开(公告)号：CN101212018A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710302358.X

申请日：2007-12-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 细见政功 ,  大森广之 ,  五十岚实 ,  山元哲也 ,  肥后丰 ,  山根一阳 ,  大石雄纪 ,  鹿野博司

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15 ,  H01F10/32

CPC classification number: G11C11/16 ,  Y10S977/935

Abstract: 本发明披露了一种存储元件，该存储元件具有：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有铁磁层；以及中间层，介于存储层与磁化固定层之间，并由绝缘体构成。在该存储元件中，自旋极化电子沿堆叠方向注入以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且形成存储层的铁磁层的电阻率为8×10－7Ωm或更大。

公开(公告)号：CN101071628A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710097364.6

申请日：2007-05-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山元哲也 ,  大森广之 ,  细见政功 ,  肥后丰 ,  山根一阳 ,  大石雄纪 ,  鹿野博司

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明公开了一种存储元件，该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态而保持信息的存储层。在该存储元件中，通过中间层为所述存储层设置磁化固定层；中间层由绝缘体形成；自旋极化电子沿堆叠方向被注入，以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中；以及形成存储层的铁磁性层具有1×10－5或更大的磁致伸缩常数。

公开(公告)号：CN1210695C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN99100916.9

申请日：1999-01-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 稻雄辉往 ,  尾上精二 ,  鹿野博司 ,  池田义人 ,  小野寺诚一

IPC: G11B5/52 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11B5/53 ,  G11B5/0086 ,  G11B5/23 ,  G11B5/4893

Abstract: 提供一种磁阻型磁头，该磁阻型磁头具有夹在一对软磁材料屏蔽板之间、通过磁阻效应探测磁带信号的磁阻元件，该磁阻元件具有与垂直于磁带进给或移动方向的方向成一预定方位角的倾斜方式设置的磁探测部分，该磁阻型磁头安装在转鼓上用螺旋扫描法从磁带上读取信号。还提供一种记录/再生装置，在该装置上装有转鼓、作为读头的磁阻型磁头和作为写头的感应型磁头，用螺旋扫描方法从磁带上读取信号或向磁带写入信号。