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公开(公告)号：CN101751991B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910251375.4
申请日：2009-12-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型存储装置，其包括：堆叠体，其构成隧道磁阻效应元件，所述隧道磁阻效应元件具有磁化方向在其中可切换的磁性层并且形成在导电层上，并且所述堆叠体包括在利用由电流注入造成的旋转转移效应来执行数据写入的电阻变化型存储单元中。所述堆叠体形成为使得连接堆叠体各个层中心的线为直线并且相对于与所述堆叠体形成在其上的所述导电层的表面相垂直的方向倾斜。
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公开(公告)号：CN101226769A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810004149.1
申请日：2008-01-18
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , Y10S977/934 , Y10S977/935
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，该存储元件包括：用于根据磁性材料的磁化状态来保存信息的存储层；以及磁化方向固定的磁化固定层，其中，通过非磁性层相对于存储层来放置磁化固定层。通过沿层压方向施加电流来改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中。在磁化固定层中或在磁化固定层与存储层相对的相对侧上形成分别具有沿层压方向的磁化分量和具有沿互不相同方向的磁化的多个磁化区域。
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公开(公告)号：CN101212018B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710302358.X
申请日：2007-12-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , Y10S977/935
Abstract: 本发明披露了一种存储元件，该存储元件具有：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有铁磁层；以及中间层，介于存储层与磁化固定层之间，并由绝缘体构成。在该存储元件中，自旋极化电子沿堆叠方向注入以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且形成存储层的铁磁层的电阻率为8×10-7Ωm或更大。
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公开(公告)号：CN101212018A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710302358.X
申请日：2007-12-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , Y10S977/935
Abstract: 本发明披露了一种存储元件，该存储元件具有：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有铁磁层；以及中间层，介于存储层与磁化固定层之间，并由绝缘体构成。在该存储元件中，自旋极化电子沿堆叠方向注入以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且形成存储层的铁磁层的电阻率为8×10－7Ωm或更大。
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公开(公告)号：CN101101788A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127235.7
申请日：2007-07-03
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 五十岚实
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 一种存储装置，包括存储元件、第一布线、及第二布线。存储元件包括基于磁性材料的磁化状态保持信息的存储层和磁化方向固定并通过非磁性层针对存储层设置的磁化固定层，其中，电流在堆叠方向上流动，以改变存储层的磁化方向。第一布线，提供在存储元件的堆叠方向上流动的电流，以及第二布线提供电流以将电流磁场施加给存储元件。当在存储装置中记录信息时，将第一脉冲电流提供给第一布线，将第二脉冲电流提供给第二布线，并且在第一脉冲电流下降至少10皮秒后，第二脉冲电流下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101174670A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710165918.1
申请日：2007-11-02
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 五十岚实
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 一种存储元件，其包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来存储信息；以及磁化方向固定的磁化固定层，并且在存储层和磁化固定层之间设置有非磁性层。通过沿堆叠方向施加电流以改变存储层的磁化方向来将信息记录在存储层中。磁化固定层包括多个铁磁层，在多个铁磁层之间堆叠有非磁性层，并且磁化固定层包括具有沿堆叠方向的磁化分量和沿各自相反方向的磁化的磁化区域。这些磁化区域形成在多个铁磁层之中最接近存储层放置的至少一个铁磁层的两端处。
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公开(公告)号：CN101226769B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810004149.1
申请日：2008-01-18
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , Y10S977/934 , Y10S977/935
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，该存储元件包括：用于根据磁性材料的磁化状态来保存信息的存储层；以及磁化方向固定的磁化固定层，其中，通过非磁性层相对于存储层来放置磁化固定层。通过沿层压方向施加电流来改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中。在磁化固定层中或在磁化固定层与存储层相对的相对侧上形成分别具有沿层压方向的磁化分量和具有沿互不相同方向的磁化的多个磁化区域。
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公开(公告)号：CN101252144B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810006185.1
申请日：2008-02-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/22 , H01L43/08 , H01L23/522 , G11C11/16 , G11C11/15
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , Y10S977/933
Abstract: 本发明公开了存储器件和具有这种存储器件的存储器，其中，该存储器件包括基于磁体的磁化状态在其上保存信息的存储层、通过非磁性层形成在存储层上的具有固定磁化方向的磁化固定层以及邻近磁化固定层的两端形成的两条金属配线。在存储器中，通过使电流沿堆叠方向流过来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层上。通过本发明的存储器，通过降低用于记录的消耗功率以较小电功率来记录信息。
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公开(公告)号：CN100594554C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200710127235.7
申请日：2007-07-03
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 五十岚实
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 一种存储装置，包括存储元件、第一布线、及第二布线。存储元件包括基于磁性材料的磁化状态保持信息的存储层和磁化方向固定并通过非磁性层针对存储层设置的磁化固定层，其中，电流在堆叠方向上流动，以改变存储层的磁化方向。第一布线，提供在存储元件的堆叠方向上流动的电流，以及第二布线提供电流以将电流磁场施加给存储元件。当在存储装置中记录信息时，将第一脉冲电流提供给第一布线，将第二脉冲电流提供给第二布线，并且在第一脉冲电流下降至少10皮秒后，第二脉冲电流下降。
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公开(公告)号：CN100550458C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200710165918.1
申请日：2007-11-02
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 五十岚实
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 一种存储元件，其包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来存储信息；以及磁化方向固定的磁化固定层，并且在存储层和磁化固定层之间设置有非磁性层。通过沿堆叠方向施加电流以改变存储层的磁化方向来将信息记录在存储层中。磁化固定层包括多个铁磁层，在多个铁磁层之间堆叠有非磁性层，并且磁化固定层包括具有沿堆叠方向的磁化分量和沿各自相反方向的磁化的磁化区域。这些磁化区域形成在多个铁磁层之中最接近存储层放置的至少一个铁磁层的两端处。
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