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公开(公告)号：CN108754442A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810560530.X
申请日：2018-06-04
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种ZnS包覆ZnO纳米核壳结构复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：清洗衬底，去除衬底表面的油污和杂质；采用磁控溅射设备，以ZnS靶与ZnO靶为溅射靶材，ZnS靶与ZnO靶的靶座均与水平面呈45º夹角，使ZnS靶与ZnO靶的延长线相交于一点，衬底置于ZnS靶与ZnO靶的相交点上；S3、通入工作气体氩气，首先使ZnS靶溅射功率45W、ZnO靶溅射功率150W，进行共溅射25min；然后ZnS靶溅射功率增大至100W、ZnO靶溅射功率减小至80W进行共溅射3min；最后关闭ZnO靶、ZnS靶溅射功率增大至150W，溅射2min，得到ZnS包覆ZnO纳米核壳结构复合薄膜；ZnS禁带宽度与ZnO非常接近，两者之间不会由于晶格常数相差太多造成薄膜应力过大的问题，最终形成一个二元的复合体系。
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公开(公告)号：CN108754421A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810560537.1
申请日：2018-06-04
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC classification number: C23C14/0658 , C23C14/0605 , C23C14/221 , C23C14/35 , C23C14/5806
Abstract: 本发明公开一种CN薄膜的复合制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面杂质与油污；S2、采用磁控溅射设备与离子束沉积设备，清洗后的衬底先置于磁控溅射设备的真空腔室内，以石墨为溅射靶材，在衬底上制备C膜；S3、制备完C膜的衬底转置于离子束沉积设备的真空腔室内，以N2为离子束的N+离子源，在C膜表面进行离子束沉积，得到CN薄膜；S4、在N2气氛炉中，以250℃对CN薄膜退火3小时；磁控溅射与离子束沉积相互配合且各自独立控制，互不影响，工艺简单，可控性强；退火过程有利于CN薄膜中未参与反应的C、N离子进一步反应，提高薄膜的结晶质量。
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公开(公告)号：CN108754420A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810560532.9
申请日：2018-06-04
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种制备Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜的方法，包括：S1、采用具有绒面结构的玻璃作为衬底；S2、采用真空蒸镀设备与磁控溅射设备，将衬底置于真空蒸镀设备的腔体内，在衬底的绒面蒸镀Cu膜层；S3、将衬底转入磁控溅射设备的真空腔体内，以Al靶为溅射靶材，N2为反应气体，通入氩气，在Cu膜层表面溅镀AlN膜层，得到复合薄膜；S4、将复合薄膜置于真空退火炉中，在400℃的温度下退火2小时，得到Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜；蒸发室真空度高，蒸发得到的Cu膜质量好，纯度高；磁控溅射镀制AlN薄膜，工艺非常简单，可控性、操作性强；真空退火，达到对掺杂Cu在薄膜中进行再均匀化分布的作用，同时可以提高整个薄膜的结晶质量。
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公开(公告)号：CN108570650A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810560498.5
申请日：2018-06-04
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0641 , C23C14/14 , C23C14/48 , H01F41/183
Abstract: 本发明公开一种离子注入制备Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜的方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备与离子注入机，以Cu靶与Al靶为溅射靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔室，通入氩气，在衬底上溅镀Cu、Al共掺杂薄膜；S3、衬底转入离子注入机的真空腔室内，以N2为离子注入源，在Cu、Al共掺杂薄膜上进行N离子注入，得到Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜；本方法工艺简单，可控性、操作性强；离子注入机对溅镀得到的金属共掺杂薄膜进行N离子注入，并与其中的Al进行反应，生成AlN，过程简单，克服了传统磁控溅射N不易掺杂到薄膜中的缺陷；以N2为离子源，N2无毒无害，提高N2的使用效率。
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公开(公告)号：CN108103438A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711415268.1
申请日：2017-12-25
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC classification number: C23C14/0658 , C23C14/0036 , C23C14/35 , C23C14/48
Abstract: 本发明公开一种离子注入式氮掺杂氮化碳薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、取单晶硅作为衬底，清洗衬底，去除衬底表面污垢；S2、将清洗后的衬底放入离子注入机的磁控溅射腔，采用碳靶，氮气作为离子源，氩气作为溅射气体，通过离子注入机制备得到所述氮掺杂氮化碳薄膜；整个制备过程中只有碳靶进行起辉镀膜，工艺过程简单，质量容易控制；通过离子注入机，有效提高了氮的离子化，并使氮较容易掺入到薄膜中，提高氮化碳薄膜的晶体化；氮的离子化掺入解决了氮在薄膜中不易掺入的缺陷，同时也能够提升氮在薄膜中的掺杂量，使薄膜中的氮以化合物的形成存在，使薄膜中的氮不易流失。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107986635A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711429976.0
申请日：2017-12-26
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: C03C17/00
CPC classification number: C03C17/009 , C03C2217/73 , C03C2218/118
Abstract: 本发明公开一种增透防眩玻璃涂覆液及防眩玻璃的制备方法，增透防眩玻璃涂覆液的组分含有重量比10-30%的氟化氢铵，15-20%的异丙醇，20-40%的糖，以及余量的溶剂。本发明的涂覆液及制备方法，a.分别用去离子水和无水乙醇把玻璃表面清洗干净，接着用氮气吹扫玻璃表面至无任何颗粒残留，并将玻璃表面预热至60℃；b.然后迅速将增透防眩玻璃涂覆液涂覆在玻璃表面，随后玻璃进入真空干燥箱，在150℃-200℃烘烤20分钟即得到具有增透功能的防眩光玻璃。形成的防眩涂层，与玻璃基底附着力高，使用过程不易脱落，可见光透过率高，生产过程中良品率高，成本低，且无废液产生，环保性能优，对人体无伤害。
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公开(公告)号：CN106784060B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201611188429.3
申请日：2016-12-21
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开一种具有自陷光功能的ZnO基透明导电玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次设有下ZnO基薄膜、微结构增透膜系与上ZnO基薄膜；所述微结构增透膜系为单层离散分布的SiO2小球，所述上ZnO基薄膜的厚度小于SiO2小球的直径，在微结构增透膜系上形成凹凸的织构化结构；采用离散分布的SiO2小球作为微结构增透膜系，其上方的上ZnO基薄膜以微结构增透膜系为模板，自然地形成凹凸的织构化结构；在制备时，SiO2小球表面微结构可根据需要进行调整，使得上ZnO基薄膜的表面微结构容易控制，形成均匀性优良的表面微结构，实现高透过率、低电阻，制备工艺简单，降低成本，利于产业化推广应用。
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公开(公告)号：CN105546857B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510876489.3
申请日：2015-12-03
Applicant: 凯盛光伏材料有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC: F24S70/225 , C23C14/06 , C23C14/10 , C23C14/35 , C23C14/02
CPC classification number: Y02E10/40
Abstract: 本发明公开一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法，包括金属基底，所述金属基底的顶面呈凹凸不平的微结构，金属基底的顶面沉积有TiAlN吸收阻隔层，TiAlN吸收阻隔层上沉积有TiNxOy吸收层，TiNxOy吸收层上沉积有SiO2减反层，SiO2减反层上沉积有AlN减反保护层；采用反应离子束技术对金属基底的顶面进行刻蚀形成微结构，增大了金属基底与膜层之间的附着力，使膜层不易脱落，延长膜系的使用寿命；利用磁控溅射沉积各膜层，TiAlN吸收阻隔层能够阻止金属基底和TiNxOy吸收层之间的扩散，增大整个膜系对太阳光的吸收；利用折射率不同的AlN和SiO2组成的双层减反膜系能够提升减反效果；AlN减反保护层具有优良的耐蚀耐磨性能，在高温大气环境下，膜层寿命持久，提高使用寿命。
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公开(公告)号：CN107601921A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710795836.9
申请日：2017-09-06
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC: C03C17/36 , H01L31/0392 , H01L31/049
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开一种薄膜太阳能电池用光伏背板玻璃的制备方法，包括以下步骤：选取高应变点玻璃作为玻璃基底，高应变点玻璃的应变点≥575℃、软化点≥800℃；通过磁控溅射，在玻璃基底顶面由下至上依次溅射生长80～120nm厚度的SiN膜层、50～90nm厚度的CuZn膜层、30～60nm厚度的ZnAl膜层、15～35nm厚度的降阻膜层、20～50nm厚度的防腐蚀膜层及35～65nm厚度的Mo膜层，得到所述光伏背板玻璃；降阻膜层为Ti膜层或Cu膜层；防腐蚀膜层为MoN、MoO、TiN或TiON膜层；通过该方法制备得到的背板玻璃具有高应变点、后期高温硒化不变形、抗腐蚀、低电阻率、薄膜应力小等优点，且多层膜结构与玻璃基底附着强度高，能够阻挡玻璃基底中Na+向吸收层的扩散且与CIGS有良好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN107579135A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710795789.8
申请日：2017-09-06
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开一种表面具有微结构的ZnO基透明导电玻璃制备方法，包括以下步骤：S1、在玻璃衬底表面室温下溅射生长ZnO基薄膜；S2、采用线棒刮涂法，在ZnO基薄膜表面制备单层离散分布的聚苯乙烯小球掩膜层；S3、采用反应等离子体刻蚀技术对带有掩膜的ZnO基薄膜进行刻蚀，使ZnO基薄膜表面形成凹凸的织构化结构；S4、将刻蚀好的ZnO基薄膜退火处理，去除聚苯乙烯小球掩膜，最终得到表面具有微结构的ZnO基透明导电玻璃；本方法能够制备出的ZnO基透明导电玻璃具有织构化微结构表面形貌，且具有高透过率、低电阻的，制备过程简单，并且微结构形貌可控。
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