一种电致变色智能玻璃的制备方法

    公开(公告)号:CN106886114A

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201710221607.6

    申请日:2017-04-06

    CPC classification number: G02F1/15 G02F1/155

    Abstract: 本发明公开一种电致变色智能玻璃的制备方法,包括以下步骤:S1、玻璃基板由上片台进入第一液相辊涂镀膜机,涂覆氧化锡掺氟透明导电膜,然后进入流平段进行流平表干;S2、步骤S1处理后的玻璃基板由传输辊道送入第二液相辊涂镀膜机,在氧化锡掺氟透明导电膜上涂覆氧化钨薄膜;S3、对步骤S2处理后的玻璃基板进行热处理,热处理温度350~700℃,热处理时间2min以上,得到电致变色智能玻璃;在玻璃基板和氧化钨薄膜之间沉积氧化锡掺氟透明导电膜中间层,提供电致变色导电电极,便于电子及离子传输;工艺简单,设备及原料成本低,得到的智能玻璃具有响应灵敏、光学调制幅度大等特点,完全可以应用于智能窗、汽车等节能领域,适合工业化大批量生产。

    一种制备致密AZO薄膜的方法

    公开(公告)号:CN106555165A

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201610956494.X

    申请日:2016-10-27

    CPC classification number: C23C14/35 C23C14/08

    Abstract: 本发明公开一种制备致密AZO薄膜的方法,包括以下步骤:a)将衬底置于磁控溅射腔室内,采用AZO陶瓷靶材,用Ar离子做为溅射气体;b)采用直流电源与射频电源共同作用于阴极,射频电源通过射频匹配器连接至滤波器的输入接口,直流电源也连接至滤波器的输入接口,滤波器将直流电源与射频电源中相一致的电波耦合输出至阴极;c)磁控溅射时,直流电源溅射功率为50W,射频电源溅射功率为150~250W,靶电压为39~120V,溅射生长出符合工艺要求的AZO薄膜;采用直流射频耦合磁控溅射室温制备AZO薄膜,降低了靶电压,电子的能量降低,薄膜内部缺陷减少、薄膜透过率提高,致密性变好;并且由于射频使得粒子离化率提高,AZO薄膜的电学性能有显著提高。

    一种消影导电玻璃
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105541124A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201510985601.7

    申请日:2015-12-25

    CPC classification number: C03C17/3417

    Abstract: 本发明公开一种消影导电玻璃,包括玻璃基板,玻璃基板上依次设有SiO2膜层、ITO膜层与高折射率膜层,所述高折射率膜层为Nb2O5膜层或TiO2膜层;采用Nb2O5膜层或TiO2膜层作为高折射率膜层,在满足ITO方阻值的同时消除蚀刻阴影,保证显示效果;由于采用氧化物膜层,在沉积时只需要通入氧气这一种反应气体,更换靶材就可以实现不同膜层的沉积,在一个腔室里就能够完成,无需增加额外溅射腔室,减少生产设备的投入降低成本;另外,对不同膜层可以连续沉积,不需要经过抽放气环节,降低工艺难度,提高了生产效率。

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