公开(公告)号：CN112745117A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011607945.1

申请日：2020-12-29

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李飞 ,  刘金凤 ,  杨帅 ,  王明文 ,  乔辽 ,  邱超锐 ,  高翔宇 ,  李景雷 ,  徐卓

IPC: C04B35/472 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明提供的一种织构化压电陶瓷叠层驱动器及其制备方法，包括以下步骤：步骤1，通过细晶压电陶瓷基体和片状模板制备得到陶瓷厚膜，将得到的陶瓷厚膜切成预设尺寸的方片结构，然后在方片结构的陶瓷厚膜的一表面刷上电极，得到刷有内电极的陶瓷厚膜；步骤2，将得到的刷有内电极的陶瓷厚膜按照电极交错的方式进行堆叠，得到陶瓷压电堆；步骤4，对得到的陶瓷压电堆依次进行排胶和烧结，得到烧结后的陶瓷压电堆；步骤5，在得到的烧结后的陶瓷压电堆的两侧面依次进行被电极、极化，得到织构化铅基压电叠层驱动器；本发明通过细晶压电陶瓷基体围绕片状模板定向生长获得各向异性的陶瓷，从而大幅提高陶瓷的压电性能。

公开(公告)号：CN119400592A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411584319.3

申请日：2024-11-07

Applicant: 西安交通大学 ,  南方电网科学研究院有限责任公司

Inventor： 李洋 ,  吴杰 ,  卓然 ,  李学鑫 ,  杨伟鸿 ,  李景雷 ,  傅明利 ,  李飞

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/005 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H01G13/00

Abstract: 本发明公开一种钛酸铋钠基 取向多层陶瓷电容器及制备方法，属于多层陶瓷电容器制备技术领域，本发明中的制备方法包括低速球磨分散模板、流延法制备单层陶瓷生坯、丝网印刷插指电极、温水等静压叠层、高温烧结、涂刷端电极，低速球磨可以保证模板不碎裂的前提下使模板均匀分散于陶瓷浆料中；长时间烧结保温可以使添加了模板的生坯块体的晶粒延特定晶体学方向定向生长；在该方法制备的钛酸铋钠基织构多层陶瓷电容器，稳定工作条件下的耐电压值可达840 kV/cm，储能密度>15 J/cm3、储能效率>90%，与钛酸铋钠基多层陶瓷电容器相比，陶瓷晶粒取向延 晶体学方向排列，其可施加电场得到明显增大，并且在高外加电场下可以实现更优异的脉冲储能性能。

公开(公告)号：CN119219398A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411370393.5

申请日：2024-09-29

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 鲁开来 ,  吴杰 ,  王明文 ,  李景雷 ,  杨帅 ,  刘雪晨 ,  李飞

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开一种超高致密度PIN‑PYN‑PT固溶体压电陶瓷及其制备方法，采用的压电陶瓷材料的化学式通式为：xPb(In0.5Nb0.5)‑yPb(Yb0.5Nb0.5)‑zPbTiO3，其中0.05≤x≤0.5，0.2≤y≤0.8，0.05≤z≤0.5；制备流程主要包括：前驱体合成，球磨混料，在干燥的PIN‑PYN‑PT陶瓷粉内加入PVA粘合剂溶液，充分混合再烘干得到干燥粉体，将干燥粉体压制成型后进行排胶，将得到的陶瓷素坯采用热等静压烧结，在900～1000℃、20MPa‑100MPa的条件下烧结1‑3小时，得到热等静压烧结的PIN‑PYN‑PT压电陶瓷；将所得陶瓷在800℃‑1000℃氧气气氛中保温0.5‑2h进行退火和陶瓷极化，得到超高致密度PIN‑PYN‑PT固溶体压电陶瓷，具有高压电性能和介电性能的同时具有高的相变温度，准静态压电常数d33达620pC/N，常温介电系数达3100，居里温度TC达350℃，相变温度Trt达230℃，纵向耦合系数k33达0.57，厚度机械耦合系数kt达0.57。

公开(公告)号：CN114873636B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210682423.0

申请日：2022-06-16

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王明文 ,  李飞 ,  杨帅 ,  吴杰 ,  李纯纯 ,  李景雷 ,  徐卓

IPC: C01G23/00 ,  C04B35/472

Abstract: 本发明公开一种钛酸铅基片晶模板及其制备方法，制备方法如下：取片状Na2Ti3O7粉体与设定量的PbO进行混合得到混合物A，再将其与钡盐或者锶盐混合得到混合物B或混合物C；其中，混合物B中，Na2Ti3O7与铅钡离子总量的摩尔比为(3～3.6):1，铅离子与钡离子的摩尔比为(0.01～4):1；混合物C中，Na2Ti3O7与铅锶离子总量的摩尔比为(3～3.6):1，铅离子与锶离子的摩尔比为(0.01～4):1。将混合物B或者C中加入其自身1～4倍质量的NaCl与KCl的混合物，将混合物料在高温环境中保温，得到熔盐产物；将所述熔盐产物依次用去离子水以及稀酸进行清洗，得到高纯度的具有 取向的(M,Pb)TiO3，其中，M为Ba或者Sr，且Pb:M＝(0.01～4):1；在模板数量一定的情况下，新模板自身Ba以及Sr元素含量相对原来模板较低，弱化模板阳离子扩散效应。

公开(公告)号：CN113979748B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202111165902.7

申请日：2021-09-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李景雷 ,  罗力晨 ,  王明文 ,  杨帅 ,  吴杰 ,  李飞

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种铌酸钠钾基无铅压电陶瓷及其制备方法，铌酸钾钠基压电陶瓷的化学式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xBi(Li0.5Sb0.5)O3，其中0.01≤x≤0.20。按照化学计量比(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xBi(Li0.5Sb0.5)O3称量干燥的原料混合后球磨并烘干，得到混合物料；高温预烧步骤1的所得混合物料，得到预烧粉料后二次球磨并烘干，得到二次球磨粉料；向二次球磨粉料中添加粘合剂造粒，再进行过筛后压制成型，得到陶瓷素胚；排胶去除有机粘合剂后高温烧结，得到烧结陶瓷；将烧结陶瓷两侧表面被银并高压极化，制得铌酸钠钾基无铅压电陶瓷。通过组分设计和工艺优化有效改善了铌酸钠钾基陶瓷的烧结特性，抑制了钠、钾元素的挥发，降低气孔率，提高陶瓷致密度，进而提高了介电常数，降低了损耗，改善KNN基陶瓷的综合性能。

公开(公告)号：CN113979748A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111165902.7

申请日：2021-09-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李景雷 ,  罗力晨 ,  王明文 ,  杨帅 ,  吴杰 ,  李飞

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种铌酸钠钾基无铅压电陶瓷及其制备方法，铌酸钾钠基压电陶瓷的化学式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xBi(Li0.5Sb0.5)O3，其中0.01≤x≤0.20。按照化学计量比(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xBi(Li0.5Sb0.5)O3称量干燥的原料混合后球磨并烘干，得到混合物料；高温预烧步骤1的所得混合物料，得到预烧粉料后二次球磨并烘干，得到二次球磨粉料；向二次球磨粉料中添加粘合剂造粒，再进行过筛后压制成型，得到陶瓷素胚；排胶去除有机粘合剂后高温烧结，得到烧结陶瓷；将烧结陶瓷两侧表面被银并高压极化，制得铌酸钠钾基无铅压电陶瓷。通过组分设计和工艺优化有效改善了铌酸钠钾基陶瓷的烧结特性，抑制了钠、钾元素的挥发，降低气孔率，提高陶瓷致密度，进而提高了介电常数，降低了损耗，改善KNN基陶瓷的综合性能。

公开(公告)号：CN110981480A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201910930606.8

申请日：2019-09-29

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨帅 ,  李飞 ,  李景雷 ,  周文龙 ,  王领航 ,  刘金凤 ,  徐卓

IPC: C04B35/499 ,  C04B35/50 ,  C01G23/00

Abstract: 本发明提供的一种高Tr-t和Tc的铅基 C织构压电陶瓷材料及其制备方法，利用(1-x-y)Pb(In1/2Nb1/2)O3-xPb(Sc1/2Nb1/2)O3-yPbTiO3(PIN-PSN-PT)体系作为织构陶瓷粉体，x、y均表示摩尔分数，0.405≤x≤0.445，0.365≤y≤0.405；在 C BT模板上进行织构，其主要原理是PIN-PSN-PT陶瓷粉体在水平 C BT模板上进行定向生长，获得与单晶类似的各向异性的结构，从而获得接近单晶的压电性能，在此基础上结合4R工程畴在非自发极化方向上极化，最终获得高Tr-t和Tc及较高压电性能的织构陶瓷。