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公开(公告)号：CN105425749B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201510937567.6
申请日：2015-12-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明公开了一种批量加工晶圆的统计过程控制的方法，主要解决现有控制图无法对批量加工晶圆实施统计过程控制的问题。其实施步骤是：1、当同一产品在相应加工炉中完成晶圆批量加工后，采集样本数据，获得每个子批的均值和标准偏差；2、由子批均值和标准偏差，计算二阶嵌套控制图中四个控制图相应的特征值，获得二阶嵌套控制图中四个控制图的控制线；3、按照休哈特控制图的绘制方法，将特征值和控制线绘制到对应的控制图中；4、应用判断过程异常准则对步骤3的四个控制图进行判断，得出批量加工晶圆的生产过程是否处于受控状态的结果。本发明可全面监控晶圆批量加工，且具有诊断功能，提高了晶圆的加工质量，可用于晶圆批量生产。
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公开(公告)号：CN106779322A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611067417.5
申请日：2016-11-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06Q10/06
CPC classification number: G06Q10/06395
Abstract: 本发明公开了一种服从二项分布的计件值工序能力指数评价方法，主要解决现有技术所得工序能力指数结果明显偏高的问题，其实现步骤包括：1.连续采集多批产品的不合格品率作为样本数据；2.根据样本数据计算不合格品率的均值；3.根据不合格品率均值，获得每批不合格品数的上规范限，进而得到批次成品率；4.根据成品率计算得到工序能力指数CP；5.判断工序能力指数CP是否满足要求。本发明工序能力指数CP计算精确，所得工序能力指数CP与相应工艺成品率的对应关系和计量值工序能力指数与相应工艺成品率的对应关系完全相同，不同工序之间只需对比工序能力指数的大小就能判断工艺成品率的高低，可用于生产线上生产质量的评价。
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公开(公告)号：CN104451607B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410719525.0
申请日：2014-12-01
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第四十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高LPCVD沉积BPSG薄膜均匀性的工艺优化方法，主要解决现有技术成本高，实验周期长，难于寻找工艺优化参数组合的问题。其实施步骤是：(1)确定实验因子及其取值范围；(2)根据实验设计原理及实验因子的取值范围设计并进行预实验，之后，采集数据并保存；(3)计算每组预实验对应的均匀性和沉积速率；(4)建立均匀性和沉积速率关于实验因子的数学式；(5)根据数学式和实际情况，获得工艺优化参数组合；(6)对工艺优化参数组合进行实验和分析，确定最终工艺优化组合参数。本发明成本低，实验周期短，易于寻找工艺优化参数组合，用于提高不同LPCVD设备沉积BPSG薄膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN106485401A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610850134.1
申请日：2016-09-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06Q10/06
CPC classification number: G06Q10/06393
Abstract: 一种满足泊松分布的计点值工序能力指数评价方法。其具体步骤包括：1.采集样本；2.计算泊松分布的累计概率；3.计算工序能力指数；4.判断计点值工序能力指数是否满足要求；5.继续生产；6.检查工序能力不足的原因。本发明具有结果正确、更适用实际生产，且所得工序能力指数CPU与相应工艺成品率的对应关系和计量值工序能力指数与相应工艺成品率的对应关系完全相同，不同工序之间只要对比工序能力指数的大小就直接说明工艺成品率的高低，将计量值和计点值工序能力指数统一量化的优点。
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公开(公告)号：CN103412032B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310391190.X
申请日：2013-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/02
Abstract: 本发明公布了一种增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法。具体步骤是：（1）检查器件外观，获取表面完好的器件；（2）“两线法”测量器件阈值电压；（3）判定是否存在其它损坏，去除内部存在其它损坏的器件；（4）“三线法”测量器件阈值电压；（5）判定栅内引线是否脱落。本发明采用“两线法”和“三线法”，对增强型功率MOS器件的阈值电压进行测量，根据测量结果，判定增强型功率MOS器件栅内引线是否脱落。本发明具有操作简便，测量耗时短、成本低、效率高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102929148B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210433123.5
申请日：2012-10-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开了一种基于T-K控制图的多品种生产模式统计过程控制方法，包括以下步骤：1)建立用于监测工艺参数均值的T控制图；2)建立用于监测工艺参数标准偏差的K控制图；3)在多品种生产模式下，采用T-K控制图对设备运行状态进行监控，只要每种类型产品样本数据达到2批以上，如果分布参数已知，1批数据即可，并保证每批产品的样本容量相同且大于1，根据工艺参数母体分布的均值或标准偏差是否已知，确定控制限，并建立T-K控制图。通过实例分析及仿真验证，证实该过程控制方法能够及时、有效地检测出多品种生产模式下导致生产过程失控的异常因素，提示操作人员适时做出响应，使生产过程维持在统计受控状态以保证产品质量。
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公开(公告)号：CN103559369A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310577280.8
申请日：2013-11-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于计算机辅助设计（CAD）蒙特卡洛分析的电路成品率估算方法。步骤包括：确定所分析电子线路或集成电路的拓扑结构、电路的性能参数指标范围、关键元器件参数及元器件参数的统计分布规律；建立电路性能参数与元件参数标称值之间的代理模型来近似电路；依据电路元件参数分布规律，产生电路蒙特卡洛分析的随机抽样组合序列；利用电路性能参数的代理模型对随机抽样组合序列进行预测，得到电路性能参数预测值及每个性能参数预测值的置信区间范围；对电路性能参数预测值修正计算；将性能参数预测值代入性能参数指标规范范围进行统计分析，计算电路性能参数的成品率；本发明时间成本开销低、电路仿真次数少、分析效率高、估算成品率准确性高。
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公开(公告)号：CN119442998A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411461535.9
申请日：2024-10-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/333 , G06F30/392
Abstract: 本发明涉及一种基于基准测试集的集成电路物理设计工具评测系统，包括：用例管理模块、被测工具管理模块和测试执行与报告模块；用例管理模块用于根据用户指令，利用具有统一命名规范格式和数据规范格式的基准例子新建用例，将新建的用例上传到基准测试集库；被测工具管理模块用于根据用户指令上传被测件；测试执行与报告模块用于根据用户指令，利用被测件运行通过规范性检查的评测用例后得到被测件的输出值，并将被测件的输出值与标杆工具运行评测用例的输出值通过评测算法进行同一标准换算，输出被测件的每个指标的性能评测值可视化评估报告。该评测系统的指标评分方法简单、实用，可以根据不同指标的得分值快速评估出物理设计工具的性能。
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公开(公告)号：CN118259136A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410203614.3
申请日：2024-02-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/28 , G01R31/317 , G06F30/3308
Abstract: 本发明涉及一种数字电路中的潜在缺陷位置分析方法、装置、电子设备及存储介质，属于数字电路分析领域，该方法包括获取数字电路中标准单元的参考缺陷关键度；根据标准单元的实际负载得到标准单元的缩放因子；根据标准单元的参考缺陷关键度和缩放因子，得到标准单元的实际缺陷关键度；根据标准单元的实际缺陷关键度确定数字电路中的潜在缺陷位置。通过上述技术方案，利用参考缺陷关键度得到实际缺陷关键度，并进一步根据实际缺陷关键度确定潜在缺陷位置，利用仿真实验得到的参考缺陷关键度，反应潜在缺陷的影响，确保潜在缺陷的分析结果的有效性，从而提高芯片的测试质量，进一步帮助提高芯片的质量和可靠性。
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公开(公告)号：CN118036528A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410145856.1
申请日：2024-02-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/3315 , G06F30/337
Abstract: 本发明公开了一种缓解数字电路NBTI老化的输入矢量生成方法和装置，方法包括：针对数字电路选用的所有种类的单元，建立感知NBTI效应的老化单元库；基于对老化单元库的老化仿真，确定数字电路中的NBTI老化关键路径；基于NBTI老化关键路径，采用线性规划方法确定数字电路中的NBTI老化关键门；基于NBTI老化关键门生成缓解NBTI老化的故障列表，并根据故障列表使用ATPG工具生成缓解NBTI老化的输入矢量。本发明对关键路径及关键门的定位更准确，无需在设计初期为NBTI效应预留额外的裕量、改变电路的结构，不会在缓解NBTI效应的同时给电路的面积、功耗等带来额外开销，无需在求解缓解老化的矢量时产生过大消耗，且生成效率较高。
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