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公开(公告)号：CN118643316B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411132085.9
申请日：2024-08-19
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G06F18/213 , G06F18/15 , G06F18/214 , G06N3/0442 , G06N3/086 , G06N3/042 , G06N3/045 , G06F30/367
Abstract: 本发明提供一种半导体器件参数智能提取方法及装置，涉及集成电路技术领域。此方法包括：首先将获取的半导体器件的目标数据输入初始神经网络的提取器，以获取当前模型参数组合。然后使用仿真器输出当前模型参数组合的当前目标数据，并计算当前目标数据对应的多个第一电学目标。计算第一误差，判断第一误差是否小于预设误差，若否，调整当前模型参数组合并重新仿真和计算第一误差，直至第一误差小于预设误差，根据当前模型参数组合和预设范围，生成模型参数范围。最终根据模型参数范围生成数据集，利用数据集所训练完成的神经网络的提取器，输出目标模型参数组合。可有效提高半导体器件参数提取的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN112051495A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010733221.5
申请日：2020-07-27
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G01R31/26 , H01L29/872 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法，包括：测量第一SiC JBS二极管的初始电学特性参数、初始噪声特性参数；对第一SiC JBS二极管在预设温度、预设湿度、预设反向偏压条件下暴露预设时间得到第二SiC JBS二极管；测量第二SiC JBS二极管的电学特性参数、噪声特性参数；得到电学特性参数漂移程度；得到噪声特性参数漂移程度。本发明可以更加敏感且全面地反映经过高温高湿反偏应力环境下应力后SiC JBS二极管的损伤程度。
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公开(公告)号：CN119940431A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411927812.0
申请日：2024-12-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种面向边缘设备的硬件加速系统及边缘设备，该系统包括：RISC‑V内核、外部存储器、摄像头和加速器；RISC‑V内核用于向加速器发送VLIW指令；VLIW指令是将训练好的神经网络的每一个网络层的操作进行分解和指令转化得到的；加速器具有基于VLIW架构的并行处理结构，用于根据每个VLIW指令的计算需求配置计算模式，根据配置的计算模式进行每个VLIW指令的数据操作的并行计算；外部存储器用于存储加速器进行并行计算时所需的训练好的神经网络的参数；摄像头用于捕获训练好的神经网络的待处理图像。本发明能够降低系统功耗，提高系统并行处理能力，并且硬件成本低。
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公开(公告)号：CN118643316A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411132085.9
申请日：2024-08-19
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G06F18/213 , G06F18/15 , G06F18/214 , G06N3/0442 , G06N3/086 , G06N3/042 , G06N3/045 , G06F30/367
Abstract: 本发明提供一种半导体器件参数智能提取方法及装置，涉及集成电路技术领域。此方法包括：首先将获取的半导体器件的目标数据输入初始神经网络的提取器，以获取当前模型参数组合。然后使用仿真器输出当前模型参数组合的当前目标数据，并计算当前目标数据对应的多个第一电学目标。计算第一误差，判断第一误差是否小于预设误差，若否，调整当前模型参数组合并重新仿真和计算第一误差，直至第一误差小于预设误差，根据当前模型参数组合和预设范围，生成模型参数范围。最终根据模型参数范围生成数据集，利用数据集所训练完成的神经网络的提取器，输出目标模型参数组合。可有效提高半导体器件参数提取的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN112098788A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010734350.6
申请日：2020-07-27
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G01R31/26 , H01L29/872 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种基于噪声测试表征SiC JBS的抗浪涌能力的方法，其特征在于，包括：获取第一SiC JBS二极管的初始电流与电压关系曲线、初始噪声特性参数；对第一SiC JBS二极管的电流施加预设次数的半正弦浪涌脉冲得到第二SiC JBS二极管；获取第二SiC JBS二极管的电流与电压关系曲线、噪声特性参数；得到电流与电压关系曲线的漂移程度和噪声特性参数漂移程度。本发明能够更敏感、更准确、更快速地表征SiC JBS二极管的浪涌损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118643317B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411132653.5
申请日：2024-08-19
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G06F18/213 , G06F18/25 , G06F18/2113 , G06F18/214 , G06N3/0442 , G06N3/0985 , G06N3/042 , G06N3/045 , G06F30/367 , G06N3/048
Abstract: 本发明公开了一种基于门控神经网络的半导体器件模型参数提取方法及装置，其中方法包括：通过拉丁超立方采样生成初始数据集；初始数据集包括多个电数据样本及其对应的一组真实模型参数；对初始数据集进行关于是否满足物理规律的数据质量筛选，得到优化数据集；利用优化数据集训练门控神经网络模型，得到预训练的门控神经网络模型；该门控神经网络模型包括#imgabs0#个专家网络、#imgabs1#个门控网络和#imgabs2#个塔网络；门控网络能够为#imgabs3#个专家网络分别生成门控分数；训练时根据模型参数损失值和门控分数调整门控神经网络模型的网络权重参数。本发明通过结合神经网络与门控机制和模型感知技术，能够更准确、高效地从测量数据中提取半导体器件模型参数。
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公开(公告)号：CN118643317A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411132653.5
申请日：2024-08-19
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G06F18/213 , G06F18/25 , G06F18/2113 , G06F18/214 , G06N3/0442 , G06N3/0985 , G06N3/042 , G06N3/045 , G06F30/367 , G06N3/048
Abstract: 本发明公开了一种基于门控神经网络的半导体器件模型参数提取方法及装置，其中方法包括：通过拉丁超立方采样生成初始数据集；初始数据集包括多个电数据样本及其对应的一组真实模型参数；对初始数据集进行关于是否满足物理规律的数据质量筛选，得到优化数据集；利用优化数据集训练门控神经网络模型，得到预训练的门控神经网络模型；该门控神经网络模型包括#imgabs0#个专家网络、#imgabs1#个门控网络和#imgabs2#个塔网络；门控网络能够为#imgabs3#个专家网络分别生成门控分数；训练时根据模型参数损失值和门控分数调整门控神经网络模型的网络权重参数。本发明通过结合神经网络与门控机制和模型感知技术，能够更准确、高效地从测量数据中提取半导体器件模型参数。
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公开(公告)号：CN117767931A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311693652.3
申请日：2023-12-06
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H03K17/041 , H03K17/687 , H03M1/06 , H03M1/12
Abstract: 本发明适用于集成电路技术领域，提供了一种用于高速模数转换器的栅压自举开关电路，包括：开关管、P型栅压自举电路，以及N型栅压自举电路；其中开关管包括相互并联的NMOS管和PMOS管，其中开关管的一端连接至输入端Vin，开关管的另一端连接至输出端Vout；NMOS管与N型栅压自举电路连接；PMOS管与P型栅压自举电路连接；P型栅压自举电路和N型栅压自举电路之间相互连接；开关管用于消除沟道电荷注入效应、时钟馈通效应、体效应；N型栅压自举电路用于保持NMOS管的导通电阻恒定；P型栅压自举电路用于保持PMOS管的导通电阻恒定。本发明能够有效改善开关管的非线性失真，提高开关管的响应速度。
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公开(公告)号：CN115221821A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210642441.6
申请日：2022-06-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/331 , G06F111/04 , G06F111/08
Abstract: 本发明涉及一种时序驱动电路划分方法，包括：获取第一超图和路径集合；对所述路径集合中的每条路径进行加权处理得到第二超图；对所述第二超图进行多级聚类处理得到第三超图；利用迭代二划分方法对所述第三超图进行划分，经多次迭代后，得到k个划分，在每次迭代划分后，先使用基于节点移动的改善算法优化分割结果的割代价，再进行系统级布局，以得到第四超图；按照聚类的逆过程，将所述节点团散开，且在每一级时对所述第四超图中处于边界的节点进行移动，得到移动到其他所有划分的增益值，以根据所述增益值得到第五超图。本发明在进行电路划分时，能够同时考虑割代价和最大路径延时的影响，划分结果具有较好的时序性能。
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公开(公告)号：CN112349777B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010976148.4
申请日：2020-09-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/49 , H01L29/423 , H01L29/20 , H01L31/113
Abstract: 本发明公开了一种具有钙钛矿复合栅结构的GaN HEMT光电探测器及其制备方法，其中，GaN HEMT光电探测器包括衬底、位于衬底上的GaN缓冲层、位于GaN缓冲层上的AlGaN势垒层、位于AlGaN势垒层表面两侧的源漏电极，以及位于源漏电极之间的复合栅结构，其中，复合栅结构包括位于AlGaN势垒层上的钙钛矿以及位于钙钛矿层上的TCO层。本发明将钙钛矿图形化后，与透明导电氧化物组成复合栅结构，并将其用在氮化镓HEMT光电探测器上，以使钙钛矿材料优异的光电性能与HEMT器件的高迁移率、高开关比特性相结合，从而获得更好的光电响应，扩大了器件应用范围。
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