-
公开(公告)号：CN105606158A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610150468.8
申请日：2016-03-16
Applicant: 黑龙江大学
CPC classification number: G01D21/02 , B81B7/0009
Abstract: 本发明公开了一种力/磁多功能传感器，该传感器包括用来检测外加磁场的第一悬臂梁1、悬臂梁顶端磁性材料3，和用来检测外加力的第二悬臂梁2、悬臂梁顶端硅质量块4，并由第一薄膜晶体管TFT1沟道等效电阻R1、第二薄膜晶体管TFT2沟道等效电阻R2、第三薄膜晶体管TFT3沟道等效电阻R3和第四薄膜晶体管TFT4沟道等效电阻R4构成第一惠斯通电桥，实现了磁场的检测；第五薄膜晶体管TFT1′沟道等效电阻R1′、第六薄膜晶体管TFT2′沟道等效电阻R2′、第七薄膜晶体管TFT3′沟道等效电阻R3′和第八薄膜晶体管TFT4′沟道等效电阻R4′构成第二惠斯通电桥，实现了力的检测；本发明提供的力/磁多功能传感器体积小，成本低，准确度高，稳定性好。
-
公开(公告)号：CN105588772A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610150467.3
申请日：2016-03-16
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种压敏材料应变因子测试装置及测试方法，该装置包括防震台、悬臂梁测试构件、模态激振器、激振器信号源、激光非接触振动测量仪、万用表、数字示波器和计算机；悬臂梁测试构件放置在模态激振器上，在激振器信号源的作用下以一定频率振动，万用表通过互连线与悬梁臂上的压敏材料构成的敏感结构相连，用于测量压敏材料电阻阻值，计算阻值相对变化量；激光非接触振动测量仪的探头可发射激光到悬臂梁顶端，激光非接触振动测量仪的输出端与数字示波器相接，用于记录激光非接触振动测量仪的模拟信号输出，数据可输入到计算机进行数据分析，得到应变和应变因子。本发明装置结构简单，检测稳定性高，可满足高精确度的检测要求。
-
公开(公告)号：CN101770981A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200810209819.3
申请日：2008-12-29
Applicant: 黑龙江大学
IPC: H01L21/82 , H01L21/8238 , H01L27/22 , G01R33/07
Abstract: 霍尔磁传感器零点漂移进行补偿的方法，目前，公知的Hall磁传感器在外加磁场B＝0时，由于霍尔电极几何位置不对称、电极欧姆接触不良、电阻率不均匀、温度不均匀等因素使霍尔输出电压VH不等于零，产生零位误差VHO。为消除零位误差，主要采用外加补偿电路对零位漂移进行补偿，该种方法不易于磁传感器向小型化、智能化方向发展。本发明是通过CMOS工艺制作MOSFETHall霍尔磁传感器的沟道四个等效电阻阻值随外加栅压而变化。本发明应用在医学、汽车等领域。
-
公开(公告)号：CN1929086A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610135874.3
申请日：2006-10-16
Inventor： 温殿忠
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/306 , H01L29/96
Abstract: 本发明涉及一种在SOI基片上制造可以同时检测磁场和压力的MOSFET工艺方法。尤其是该方法所采用的微电子制造工艺与半导体集成电路工艺相兼容。本发明提供一种采用纳米硅/单晶硅异质结作为MOSFET漏和源的磁场和压力同时检测多功能器件的制造方法。本发明的制造方法所采用的工艺方案是：在SOI硅片上，采用CMOS技术和PECVD方法在SOI表面的Si层上制造具有纳米硅/单晶硅异质结漏和源的SOI MAG－MOSFET，并将SOI MAG－MOSFET器件的背面硅衬底利用MEMS技术加工成硅杯结构，使制造的器件成为在检测磁场的同时又能检测压力的多功能传感器。在SOI硅片上研制MAG－SOI MOSFET多功能压/磁传感器集纳米硅/单晶硅异质结和SOI MOSFET的共同优点，具有很好的温度稳定性、寄生电容小、功耗低、可靠性高，耐恶劣环境，抗辐射、寿命长等优点。本发明的制造方法有益效果是将性能优秀的纳米硅/单晶硅异质结作为MOSFET的漏和源，又将制造的器件结构与硅杯结构相结合，使制造的器件成为在检测磁场的同时又能检测压力的多功能传感器，结构简单，制造方法与集成电路工艺相兼容。
-
公开(公告)号：CN119395126A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411494078.3
申请日：2024-10-24
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种便携式磁场成像装置，包括阵列式磁场传感器、传感器变焦机构、多路差分输出电压信号处理电路、显示屏和磁场成像模型等。阵列式磁场传感器可同时获取待测平面内多点磁场信息，并通过传感器变焦机构进行多平面内磁场测量，磁场成像模型将磁场信息与待测空间位置坐标相对应，并绘制磁场矢量分布图。本发明公开的便携式磁场成像装置，可高速采集待测空间内多个被测量点的磁场信息，且成像装置体积小，具有较好的便携性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109856425B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201810362459.4
申请日：2018-04-20
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种单片集成三轴加速度传感器及其制作工艺，其中，采用微电子机械加工技术方法，利用4个双L型梁、两个质量块、中间双梁作为弹性元件，所述两个质量块将感受的加速度信息(ax、ay、az)转换为弹性元件形变，引起所述由弹性元件根部12个压敏电阻构成的3个惠斯通电桥结构输出电信号发生变化，可分别实现三个方向加速度(ax、ay、az)检测；并且，通过优化4个双L型梁和两个质量块、中间双梁尺寸，优选后三个检测电路检测对应加速度具有较好一致性。
-
公开(公告)号：CN108975265B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201810144174.3
申请日：2018-02-12
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种单片集成空间磁场传感器及其制作工艺，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在第一硅片(1)上设置有六个呈立体结构的硅磁敏三极管，其中两两硅磁敏三极管结合，形成三个磁敏感单元，并且，在芯片内采用MEMS技术嵌入导磁微结构，对z轴方向的磁场进行聚集并导向，从而使得所述传感器实现了空间三维磁场(Bx、By和Bz)的检测。本发明所述单片集成空间磁矢量传感器结构简单，实现了芯片的小型化和集成化；所述制作工艺简单，易于实现，适合规模化工业应用。
-
公开(公告)号：CN114190901B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202111314381.7
申请日：2021-11-08
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明提供了一种压电式脉搏传感器及其集成化工艺方法，所述压电式脉搏传感器包括力测量结构和抗过载结构，力测量结构安装在抗过载结构上方，力测量结构和抗过载结构均包括力敏感单元，力测量结构还包括柔性覆盖膜，力敏感单元包括弹性衬底、压电结构等组成。在脉搏力作用下，通过柔性覆盖膜将力传导至弹性衬底上，使其发生弹性形变，进而使压电结构产生相应输出电荷，实现脉搏力大小的测量。本发明采用双层力敏感单元堆叠的方式，在所测力过大时，抗过载结构对力测量结构进行支撑保护及过载报警。本发明所述的压电式脉搏传感器可实现人体腕部脉搏的多点独立测量，具有无源、动态响应性好、准确性高等特点，同时，其制作工艺简单，可批量生产。
-
公开(公告)号：CN108975261B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201811020543.4
申请日：2018-09-03
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种磁场传感器及其制作工艺，所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2)，在所述第一硅片(1)上设置有一个呈立体结构的硅磁敏三极管，在所述第一硅片(1)和第二硅片(2)上分别设置一个聚/导磁微结构(4)，其中，所述聚/导磁微结构(4)使得非磁敏感方向的磁场聚集和传导至硅磁敏三极管的磁敏感方向，以进行测量。本发明所述的磁场传感器，结构简单，体积小，集成化程度高，其制作工艺操作方便，易于实现，适合大规模工业应用。
-
公开(公告)号：CN107356885B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201710713847.8
申请日：2017-08-18
Applicant: 黑龙江大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明公开了一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺，所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2)，在第一硅片(1)上设置有用于检测二维磁场的四个硅磁敏三极管，其中两个硅磁敏三极管在xy平面内沿y轴、相反磁敏感方向对称设置，用于x轴方向磁场分量的检测，另两个硅磁敏三极管在xy平面内沿x轴、相反磁敏感方向对称设置，用于y轴方向磁场分量的检测；并且，在第一硅片上、每个硅磁敏三极管周围制作有隔离环(11)。所述制作工艺结合微电子机械加工技术和双极型工艺，实现了所述单片集成化传感器芯片的工艺制作。本发明所述单片集成二维磁场传感器结构简单，实现了二维磁场的检测，芯片实现了小型化和单片集成化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.026 seconds)
