公开(公告)号：CN111758071A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201980014769.X

申请日：2019-01-08

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 前田仁 ,  大久保亮 ,  堀込康隆

IPC: G03F1/32 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种掩模坯料，在其透光性基板上具备的相移膜至少包含含氮层和含氧层，含氮层由氮化硅类材料形成，含氧层由氧化硅类材料形成，对含氮层进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对透光性基板进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_s时，用含氮层中的最大峰PSi_f除以透光性基板中的最大峰PSi_s而得到的数值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。

公开(公告)号：CN111742259A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201980013951.3

申请日：2019-02-13

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 谷口和丈 ,  前田仁 ,  大久保亮

IPC: G03F1/34 ,  G03F7/20 ,  H01L21/3065 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明提供具备蚀刻停止膜的相移掩模用的掩模坯料，所述蚀刻停止膜对于ArF曝光光具有高透射率、并且对于检查光可以得到高对比率。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和相移膜的结构，相移膜由含有硅及氧的材料形成，对于波长193nm的光的折射率n1为1.5以上，且对于波长193nm的光的消光系数k1为0.1以下，蚀刻停止膜对于波长193nm的光的折射率n2为2.6以上，且对于波长193nm的光的消光系数k2为0.4以下，折射率n2及消光系数k2满足k2≤‑0.188×n2+0.879、及k2＞‑0.188×n2+0.879且k2≤2.75×n2－6.945中的任意条件。