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公开(公告)号:CN103703418A
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN201280036229.X
申请日:2012-07-23
Applicant: LG化学株式会社
Abstract: 提供一种掩模以及包括该掩模的滤光器制造设备。一种用于在基膜中形成图案的卷对卷工艺的掩模,所述基膜被配置成沿弯曲表面移动,所述掩模包括掩模体,所述掩模体具有被设置成与所述基膜所缠绕的辊相对的弯曲表面以及与所述弯曲表面的相反侧相对应的平表面。所述掩模体的所述弯曲表面被设置成与所述辊的弯曲表面相距预定距离。所述掩模和滤光器制造设备能够实现在所述基膜上形成均匀图案,以提高产品的质量,并精确地获得所述基膜的性质。
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公开(公告)号:CN102597815A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201080049593.0
申请日:2010-10-28
Applicant: LG化学株式会社
IPC: G02B1/10 , H01L21/027 , B82B3/00
CPC classification number: G02B1/118 , G02B1/105 , G02B1/11 , G02B1/18 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明提供一种基板,其包括:基底,该基底的至少一面上具有图案,其中,根据该图案的形状,该图案的下部区域的折射率和该图案的上部区域的折射率彼此不同;和斥水涂层,该斥水涂层设置在所述基底的至少一个具有图案的面上,以及本发明提供一种包括所述基板的光学产品和该基板的制备方法。根据本发明的基板具有优异的防反射性能和优异的斥水性能。
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公开(公告)号:CN105474331B
公开(公告)日:2017-12-05
申请号:CN201480045195.X
申请日:2014-08-07
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C23C18/31 , C09D5/24 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/1641 , C23C18/1689 , C23C18/204 , C23C18/2053 , C23C18/22 , C23C18/30 , C23C18/32 , C23C18/38 , C25D5/02 , C25D5/56 , H05K1/0296 , H05K1/09 , H05K3/02 , H05K3/181 , H05K2201/09009
Abstract: 本发明涉及一种通过电磁波的直接辐射来形成导电图案的方法,以及具有通过该方法形成的导电图案的树脂结构,所述方法在聚合物树脂中不含特定无机添加剂的情况下,能够通过较简单的工艺和输出功率相对较低的电磁波辐射而在多种聚合物树脂产品或树脂层上形成微细导电图案。所述通过电磁波的直接辐射来形成导电图案的方法包括:通过在含有碳类黑色颜料的聚合物树脂基底上选择性地辐射所述电磁波,形成具有预定表面粗糙度的第一区域;在所述聚合物树脂基底上形成导电种子;通过对其上形成有所述导电种子的聚合物树脂基底进行电镀,形成金属层;以及从所述聚合物树脂基底的第二区域脱除所述导电种子和所述金属层,其中,所述第二区域具有小于所述第一区域的表面粗糙度。
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公开(公告)号:CN104126136B
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201280069065.0
申请日:2012-12-05
Applicant: LG化学株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/3075 , G02B5/1809 , G02B5/1838 , G02B5/3058
Abstract: 本申请涉及一种偏振分离元件,制造偏振分离元件的方法,光照射装置,照射光的方法以及制造光配向膜的方法。根据本申请的紫外线偏振分离元件对紫外线和热具有优异的耐久性,由于偏振特性的低间距依赖性而仅需要简单的制造过程。此外,根据本申请的偏振分离元件即使在短波长区域内也可以实现优异的偏振度和消光比。
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公开(公告)号:CN103998956B
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201280062257.9
申请日:2012-12-17
Applicant: LG化学株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/133536 , G02B5/3058 , G02F2001/133548
Abstract: 本申请涉及一种反射式偏光器、制备该反射式偏光器的方法、光学元件和显示装置。本申请的反射式偏光器即使在暴露于光源或外部摩擦下时,也可以具有优良的热耐久性和物理耐久性。此外,根据本申请的制备反射式偏光器的方法可以在不使用昂贵设备的情况下,提供具有较大尺寸的反射式偏光器。
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公开(公告)号:CN104937697A
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201480005571.2
申请日:2014-08-01
Applicant: LG化学株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/22
CPC classification number: G03F7/70058 , G03F1/00 , G03F1/34 , G03F1/50 , G03F1/60 , G03F7/20 , G03F7/24 , G03F7/703 , G03F7/7035
Abstract: 本发明涉及一种光掩模,一种曝光装置及一种方法。根据本申请的掩模、曝光装置和方法,可以在圆柱形模具上容易地形成具有亚微米大小的精细图案,并且有图案形成于其中的圆柱形模具可容易地应用于自动化工艺,诸如辊对辊工艺。此外,使用由挠性材料形成的光掩模,因此可以大规模形成具有各种大小的精细图案,并且这些精细图案可以分开地或独立地形成在圆柱形模具的曲面上,本发明在工艺的自由度方面表现出优异的效果。
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公开(公告)号:CN103443660B
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201280012424.9
申请日:2012-11-26
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C03C15/00 , B81B2203/0361 , B81C1/00206 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及一种超疏水基板,其中多个突起部以伪随机分布排列在所述基板的一个表面上,并且突起部间的平均间隔大于可见光波长。根据本发明的超疏水基板的优点在于,突起部间的平均间隔大于可见光波长,以确保耐久性;并且突起部以伪随机分布进行排列,以调节突起部的尺寸和分布,从而确保基板的透明性。
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公开(公告)号:CN103443660A
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN201280012424.9
申请日:2012-11-26
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C03C15/00 , B81B2203/0361 , B81C1/00206 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及一种超疏水基板,其中多个突起部以伪随机分布排列在所述基板的一个表面上,并且突起部间的平均间隔大于可见光波长。根据本发明的超疏水基板的优点在于,突起部间的平均间隔大于可见光波长,以确保耐久性;并且突起部以伪随机分布进行排列,以调节突起部的尺寸和分布,从而确保基板的透明性。
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公开(公告)号:CN102947742A
公开(公告)日:2013-02-27
申请号:CN201180031272.2
申请日:2011-04-22
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: G02F1/1323 , G02F1/1533 , G02F2001/1536 , G02F2201/44
Abstract: 本发明涉及一种隐私保护滤光片及其制造方法,更具体而言,涉及一种隐私保护滤光片及其制造方法,其中,所述隐私保护滤光片包括:第一透明基板;第二透明基板,其以与第一透明基板间隔预定的距离且相对地设置;电解质,其填充在第一透明基板和第二透明基板之间;和第二透明导电层,其设置在电解质与第二透明基板之间,其中第一透明基板包括:具有线栅和沟槽的凸凹图形,其形成于第一透明基板上;第一透明导电层,其形成于凸凹图形的线栅和沟槽上;和电致变色层,其沿着线栅的侧壁在第一透明导电层上形成,并且包含电致变色材料以根据是否施加电信号来透射或吸收可见光。本发明的隐私保护滤光片在隐私模式下有效地阻挡了光的侧向透射而没有损失前侧透射,实现宽视野模式和窄视野模式之间的快速转换,并确保优异的滤光性能和驱动稳定性。
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公开(公告)号:CN102576107A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201080042347.2
申请日:2010-08-24
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: G02B5/3058 , Y10T428/1005 , Y10T428/2457
Abstract: 本发明提供一种用于光控取向膜的紫外高透过双层线栅偏振片及其制备方法。更具体地,本发明提供一种紫外高透过双层线栅偏振片,包括:基底;设置在所述基底上的抗反射层;设置在所述抗反射层上的图形化光刻胶层;以及设置在所述光刻胶层和所述抗反射层上的金属薄膜。另外,本发明提供一种紫外高透过双层线栅偏振片的制备方法,该方法包括以下步骤:在基底上形成抗反射层;通过在所述抗反射层上涂覆光刻胶形成光刻胶层;根据由激光干涉光所形成的图形对所述光刻胶层进行选择性曝光并对曝光后的光刻胶层进行显影来形成线栅图形;以及在所述形成有线栅图形的光刻胶层上沉积金属。因此,当制备所述双层线栅偏振片时通过使用抗反射层,本发明可以光滑地形成线栅。由于在光刻胶层线栅形成之后沉积金属,因此不需要形成线栅的干法刻蚀过程,降低了制备成本。此外,与现有的单层线栅偏振片相比,本发明改善了紫外区域的透过率和偏振,从而提高了光控取向膜的制备效率。
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