发光器件及其制造方法
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101026213A

    公开(公告)日:2007-08-29

    申请号:CN200710005814.4

    申请日:2007-02-25

    CPC classification number: H01L33/08 H01L33/20

    Abstract: 公开了一种具有改进的光提取效率的发光器件。该发光器件包括:氮化物半导体层,其包括顺序堆叠的第一半导体层,有源层和第二半导体层,通过从第二半导体层到部分第一半导体层执行台面刻蚀将第一半导体层的一部分暴露到外部;以及通过第一半导体层的一部分、有源层和第二半导体层形成的至少一个沟槽。

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