-
公开(公告)号：CN103928580A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410116298.2
申请日：2007-05-08
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0083 , Y10S438/977 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种能够实现发射效率的增强和可靠性的增强的氮化物基发光器件。该发光器件包括半导体层，和布置在该半导体层上，并且由具有等于或者高于该半导体层的折射率的折射率的材料制成的光提取层。
-
公开(公告)号：CN101071840A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710104963.6
申请日：2007-05-08
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0083 , Y10S438/977 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种能够实现发射效率的增强和可靠性的增强的氮化物基发光器件。该发光器件包括半导体层，和布置在该半导体层上，并且由具有等于或者高于该半导体层的折射率的折射率的材料制成的光提取层。
-
公开(公告)号：CN102157644A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110094682.3
申请日：2006-12-15
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/20
Abstract: 本发明涉及具有垂直结构的发光二极管及其制造方法，本发明公开一种具有垂直结构的发光二极管(LED)及其制造方法。该具有垂直结构的发光二极管(LED)包括：支撑层；在该支撑层上形成的第一电极；在该第一电极上形成的多个半导体层；导电型半导体层，其形成在该多个半导体层上，并且设置有具有指定角度的倾角的外表面；以及在该导电型半导体层上形成的第二电极。
-
公开(公告)号：CN101485000A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780023663.3
申请日：2007-01-26
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
Abstract: 这里公开了一种具有垂直拓扑的发光二极管。具体地说，提供了一种能够改善发光效率及其可靠性并且还能够实现大规模生产的具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法。该方法包括在衬底上形成半导体层；在半导体层上形成第一电极；在第一电极上形成支撑层；在衬底和半导体层之间的界面处生成声音应力波，从而将衬底从半导体层分离；在通过分离衬底而露出的半导体层上形成第二电极。
-
公开(公告)号：CN1983656A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610170062.2
申请日：2006-12-15
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种具有垂直结构的发光二极管(LED)及其制造方法。该具有垂直结构的发光二极管(LED)包括：支撑层；在该支撑层上形成的第一电极；在该第一电极上形成的多个半导体层；导电型半导体层，其形成在该多个半导体层上，并且设置有具有指定角度的倾角的外表面；以及在该导电型半导体层上形成的第二电极。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN102361052A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110359382.3
申请日：2007-01-26
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
Abstract: 这里公开了一种具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法。具体地说，提供了一种发光装置，该发光装置包括：支撑层；在所述支撑层上的连接金属层，该连接金属层包括：在所述支撑层的第一层；在所述第一层上的扩散阻挡层；和在所述扩散阻挡层上的第二层，其中，所述第一层包括用于附接所述支撑层的键合层；在所述连接金属层上的第一电极，该第一电极包括反射电极；在所述第一电极上的半导体结构，该半导体结构包括：第一类型的层、在所述第一类型的层上的有源层、以及在所述有源层上的第二类型的层；以及在所述半导体结构上的第二电极。
-
公开(公告)号：CN101485000B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200780023663.3
申请日：2007-01-26
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直拓扑的发光二极管。具体地说，提供了一种能够改善发光效率及其可靠性并且还能够实现大规模生产的具有垂直拓扑的发光二极管。该发光二极管包括：包括多个半导体层的半导体结构；设置在所述半导体结构的第一表面上的第一电极；设置在所述第一电极的一部分上并且设置在所述半导体结构的至少一个表面上的钝化层；设置在所述第一电极和所述钝化层上的连接金属层；设置在所述半导体结构的第二表面上的第二电极；和设置在所述连接金属层上的支撑层，其中，所述连接金属层包括：电连接到所述第一电极的第一金属层；设置在所述第一金属层上的扩散阻挡层；和设置在所述扩散阻挡层上的第二金属层。
-
公开(公告)号：CN1880836B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200610089976.6
申请日：2006-05-30
CPC classification number: G02B6/0031 , G02B6/0068 , G02F1/133603 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , Y10S362/80 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开一种具有发光二极管的背光单元及其制造方法，由此不产生热点，无需以来使用常规的横向发光二极管组件，使得能够提高图像质量，并且该方法免除了放置热点挡板的组装工艺，使得能够简化背光单元的制造工艺，并降低背光单元的厚度。
-
公开(公告)号：CN100487935C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200610159550.3
申请日：2006-09-27
IPC: H01L33/00 , H01L25/00 , H01L25/075 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 公开了一种发光器件组件和使用这种发光器件组件的背光单元，发光器件组件向上发出的光能够由透镜折射，使得向上发出具有均匀强度的光，具有即使以少量的发光器件也能够提高效率和减少功耗的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.032 seconds)
