公开(公告)号：CN102171838A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138575.7

申请日：2009-12-29

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 姜周完 ,  高志勋 ,  尹周焕 ,  金钟焕

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/022458 ,  H01L31/02168 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：具有至少一个通孔的第一导电类型的基板；形成在所述基板中的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极层；形成在所述射极层上的至少一个第一电极；至少一个集流器，其与所述至少一个第一电极相对，所述基板插在所述至少一个第一电极和所述至少一个集流器之间，所述至少一个集流器通过所述至少一个通孔而电连接到所述至少一个第一电极；以及第二电极，其与所述至少一个集流器间隔开，并且电连接到所述基板。在所述至少一个通孔中形成有多个不平坦部分。

公开(公告)号：CN102037568A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980118599.6

申请日：2009-10-01

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 鱼英株 ,  安世源 ,  李宪民 ,  高志勋 ,  金善虎 ,  池光善

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/022466

Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括n型或者p型非晶硅层、透明电极以及位于该透明电极和该非晶硅层之间的金属缓冲层。所述金属缓冲层包含铟、锡、硼、铝、镓以及锌中的至少一种。当所述透明电极包含铟锡氧化物ITO时，所述金属缓冲层包含铟和锡中的至少一种。当所述透明电极包含锌氧化物时，所述金属缓冲层包含硼、铝、镓以及锌中的至少一种。