公开(公告)号：CN104810414B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201510023406.6

申请日：2015-01-16

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李有真 ,  池光善 ,  李承植 ,  安世源

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

Abstract: 讨论了太阳能电池及其制造方法。该制造太阳能电池的方法包括：在包含第一导电类型的杂质的晶体半导体基板的背表面上，形成非晶硅层；执行将与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质扩散到所述非晶硅层的一部分中的第一扩散过程，以形成发射极区；执行将所述第一导电类型的杂质扩散到除了具有所述第二导电类型的杂质的所述非晶硅层的所述一部分外的剩余部分中，以形成背表面场区。当执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程中的至少一个时，所述非晶硅层结晶，以形成硅层。

公开(公告)号：CN102074599B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201010540778.3

申请日：2010-09-07

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 崔元硕 ,  池光善 ,  李宪民 ,  慎熩祯 ,  崔正薰 ,  梁贤真

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的第一杂质，并且由晶体半导体形成；第一场区，其位于所述基板的入射表面上，并且包含第二导电类型的第二杂质；射极区，其包含第三导电类型的第三杂质，由非晶半导体形成，并且位于所述基板的与该基板的所述入射表面相对的非入射表面上；第一电极，其电连接到所述射极区；以及第二电极，其电连接到所述基板。

公开(公告)号：CN102074593A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010539118.3

申请日：2010-09-06

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 池光善 ,  李宪民 ,  崔元硕 ,  崔正薰 ,  梁贤真

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/065 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明公开了太阳能电池。该太阳能电池包括：含有第一导电类型的第一杂质的基板；含有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二杂质的射极层；电连接到射极层的第一电极；以及电连接到基板的第二电极。射极层和基板形成p-n结。射极层的第二杂质的掺杂浓度根据在射极层内的位置的深度而线性地或非线性地变化。

公开(公告)号：CN101405873B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200780009938.8

申请日：2007-09-03

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 鱼英株 ,  金货年 ,  安世源 ,  李海锡 ,  李宪民 ,  尹政钦 ,  池光善 ,  金范城

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L27/142 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种具有旁路二极管的光电转换设备及其制造方法。本发明的光电转换设备包括：由至少一个单元太阳能电池构成的至少一个单元太阳能电池模块；以及旁路太阳能电池模块，其包括电连接至该单元太阳能电池以旁通电流的至少一个太阳能电池。根据本发明，可以制造具有高光电转换效率的光电转换设备。该光电转换设备作为下一代清洁能源将有助于地球的环境保护，并且可以直接应用于民用设施、公共设施和军事设施等以创造巨大的经济价值。

公开(公告)号：CN106997906B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201710024078.0

申请日：2017-01-13

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李承允 ,  池光善 ,  李洪哲 ,  黄圣贤

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/048

Abstract: 公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一导电类型的晶体半导体基板；前掺杂层，所述前掺杂层在所述半导体基板的前表面上并与所述半导体基板形成异质结；后掺杂层，所述后掺杂层在所述半导体基板的后表面上并与所述半导体基板形成异质结；前透明导电层，所述前透明导电层在所述前掺杂层上；后透明导电层，所述后透明导电层在所述后掺杂层下。所述前掺杂层和所述后掺杂层中的一个具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，以与所述半导体基板形成p‑n结，而所述前掺杂层和所述后掺杂层中的另一个具有所述第一导电类型。所述前透明导电层的平面面积大于所述后透明导电层的平面面积。

公开(公告)号：CN102292828B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201080005253.8

申请日：2010-02-19

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁贤真 ,  崔正薰 ,  池光善 ,  李宪民

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/0368 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

Abstract: 示出一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体基板；包括晶体部分的第一非晶半导体层；所述半导体基板上的第一电极部分；和所述半导体基板上的第二电极部分。

公开(公告)号：CN102197495A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980143034.3

申请日：2009-11-19

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 金善虎 ,  李宪民 ,  池光善 ,  鱼英株 ,  崔正薰 ,  安世源

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/03762 ,  C25D7/126 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/20 ,  H01L31/202 ,  H05K3/188 ,  H05K3/246 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0326 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：基板；位于该基板上的至少一个发射极层；电连接至所述至少一个发射极层的至少一个第一电极；以及电连接至该基板的至少一个第二电极。第一电极和第二电极中的至少一方利用镀敷法形成。

公开(公告)号：CN101405873A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009938.8

申请日：2007-09-03

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 鱼英株 ,  金货年 ,  安世源 ,  李海锡 ,  李宪民 ,  尹政钦 ,  池光善 ,  金范城

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L27/142 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种具有旁路二极管的光电转换设备及其制造方法。本发明的光电转换设备包括：由至少一个单元太阳能电池构成的至少一个单元太阳能电池模块；以及旁路太阳能电池模块，其包括电连接至该单元太阳能电池以旁通电流的至少一个太阳能电池。根据本发明，可以制造具有高光电转换效率的光电转换设备。该光电转换设备作为下一代清洁能源将有助于地球的环境保护，并且可以直接应用于民用设施、公共设施和军事设施等，以创造巨大的经济价值。

公开(公告)号：CN107039536B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201710018628.8

申请日：2017-01-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李有真 ,  郑镇元 ,  池光善

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；保护膜层，该保护膜层形成在所述半导体基板的一个表面上面；第一导电区，该第一导电区被设置在所述保护膜层上面，所述第一导电区具有第一导电类型并且包含晶体半导体；以及第一电极，该第一电极电连接到所述第一导电区。所述第一导电区包括第一部分和第二部分，该第一部分被设置在所述保护膜层上面并且具有第一晶粒尺寸，该第二部分被设置在所述第一部分上面并且具有大于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN108074989A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710895228.5

申请日：2017-09-28

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李有真 ,  权泰寅 ,  池光善 ,  李洪哲

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1884

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在半导体基板的一个表面上形成第一隧穿层；在第一隧穿层上形成第一导电区域，以使得该第一导电区域包括具有非晶结构的金属氧化物层；以及形成电连接至第一导电区域的第一电极。