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公开(公告)号:CN112695384A
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN202010531605.9
申请日:2020-06-11
Applicant: SKC株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及其制备方法以及碳化硅晶片的制备方法。所述碳化硅晶锭包括:本体部,包括本体部一截面和与本体部一截面对置的本体部另一截面,以及突出部,位于本体部另一截面上,并且具有基于本体部另一截面弯曲的表面;本体部另一截面包括一端点和另一端点,一端点是位于所述本体部另一截面的一端的一点,另一端点是位于所述本体部另一截面的末端的一点,一端点、突出部的最高点和另一端点位于与本体部一截面垂直的同一平面上,作为同一平面与突出部表面的交线的弧的曲率半径由下面的数学式1表示。本发明的碳化硅晶锭及其制备方法可以精确地控制晶体生长的温度梯度,并且可以提供具有更好特性的碳化硅晶锭。数学式13D≤r≤37D。
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公开(公告)号:CN107108227B
公开(公告)日:2020-08-14
申请号:CN201680004414.9
申请日:2016-03-22
Applicant: SKC株式会社
IPC: C01B32/20 , C01B32/205
Abstract: 本申请提供一种石墨片,该石墨片在水平和垂直方向的热扩散率之比为300或300以上。此外,本申请还提供了一种在垂直方向上的热扩散率为2.0mm2/s或2.0mm2/s以下的石墨片。该石墨片在水平和垂直方向上具有优异的导热性及柔韧性,并且制造成本低,因此具有经济优势。
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