公开(公告)号：CN112746324A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202010530643.2

申请日：2020-06-11

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  甄明玉 ,  沈钟珉 ,  张炳圭 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法。晶片是具有基于(0001)面呈从0度到15度中选择的角度的偏角的晶片，测量点是将所述晶片的表面以10mm以下的一定间隔划分的多个地点，目标区域是共享所述晶片的中心并且半径为所述晶片半径的70％圆的内部区域，所述测量点位于所述目标区域，所述测量点的摇摆曲线具有峰和半峰宽，ω角的平均值是目标区域中测量点的峰具有的ω角的平均值，所述半峰宽是基于所述ω角的平均值的值，所述目标区域包括95％以上的测量点，其半峰宽为‑1.5到1.5度。可以精确地控制晶体生长的温度梯度，并且可以提供具有优异特性的单晶碳化硅晶片。

公开(公告)号：CN112695379A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202010531585.5

申请日：2020-06-11

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  张炳圭 ,  梁殷寿 ,  沈钟珉 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭 ,  崔正宇

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及籽晶粘合层、层压体的制备方法及晶片的制备方法。所述籽晶粘合层的特征在于，Vr由下面的式1表示，并且具有28％/mm3以上的Vr值。在所述式1中，Sg(％)是下面的式2的值，V1是碳化前的籽晶粘合层的体积，V2是石墨化的籽晶粘合层的体积，在所述式2中，A1是所述碳化前的籽晶粘合层的面积，A2是所述石墨化的籽晶粘合层的面积。本发明的籽晶粘合层以独特的石墨化收缩率使施加在晶锭上的应力最小化，可以使所生长的晶锭与籽晶支架部分分离，但不能完全分离。而且，使用本发明的籽晶粘合层而制备的晶锭和加工的晶片可以表现出良好的翘曲值。式1；式2

公开(公告)号：CN111074338A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910987523.2

申请日：2019-10-17

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 高上基 ,  金政圭 ,  崔正宇 ,  张炳圭 ,  具甲烈

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及具有保护膜的籽晶的制备方法以及使用该制备方法的晶锭的制备方法等，所述具有保护膜的籽晶包括：第一层，位于籽晶后表面并直接与所述籽晶后表面接触；以及第二层，位于所述第一层上；基于从所述第一层的下表面到所述第二层的上表面，所述第一层的厚度为30％以下，通过采用所述具有保护膜的籽晶的制备方法，可以制备缺陷减少的晶锭。

公开(公告)号：CN110820046A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910739465.1

申请日：2019-08-12

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 崔正宇 ,  金政圭 ,  具甲烈 ,  高上基 ,  张炳圭

IPC: C30B29/36 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明的实例提供如下的碳化硅单晶锭生长装置，即，收纳有晶锭的原料的原料收纳部的内部直径小于晶种的直径，从而可以在增加碳化硅单晶锭的直径的同时提升碳化硅单晶锭的品质。

公开(公告)号：CN112437723B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201980044044.5

申请日：2019-05-03

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 徐正斗 ,  金熏 ,  金政圭 ,  白种甲

IPC: B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B3/30 ,  B32B38/00 ,  H05K7/20 ,  H05K9/00 ,  C01B32/205

Abstract: 实施方案涉及具有优异的电磁屏蔽能力和导热率的多层石墨片及其制造方法，所述多层石墨片具有五层以上的多层结构，并且能被制造成厚度为70μm以上以达到显著提高电磁屏蔽能力的目的。此外，所述多层石墨片通过将混合了非均质材料的混合型层压板石墨化而制成的，使得以较低的成本同时实现导热率和电磁屏蔽能力，从而可用作厚膜片，广泛应用于例如家用电器和电动汽车等领域。

公开(公告)号：CN112748155A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011184512.X

申请日：2020-10-29

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 梁殷寿 ,  朴钟辉 ,  崔正宇 ,  张炳圭 ,  高上基 ,  沈钟珉 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: G01N27/04 ,  G01N27/02

Abstract: 本发明涉及用于测量含石墨物品的与感应加热特性有关的物性的测量方法、测量装置以及晶锭生长系统。测量方法包括：配置步骤，在包括卷绕的导线的线圈部配置含石墨物品；以及测量步骤，通过与所述线圈部电连接的计测构件向所述线圈部施加测量用电源，来测量在所述线圈部感应的电磁物性。所述测量方法等测量晶锭生长容器、绝热材料等含石墨物品的电磁物性并提供挑选所需的资料，从而能够确保进一步提高晶锭生长的再现性。

公开(公告)号：CN112746314A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202010530647.0

申请日：2020-06-11

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  甄明玉 ,  沈钟珉 ,  梁殷寿 ,  张炳圭 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法以及其生长系统。碳化硅晶锭的制备方法，其特征在于，包括：准备步骤，准备包括具有内部空间的坩埚本体的坩埚组件，原料装入步骤，将原料装入所述坩埚组件中，而将碳化硅晶种放置在距所述原料间隔规定距离的位置，及生长步骤，通过将所述坩埚组件的内部空间调整为晶体生长气氛，以蒸气的方式传输所述原料，使其沉积在所述碳化硅晶种，从而制备从所述碳化硅晶种生长的碳化硅晶锭，所述坩埚本体的密度的范围为1.70至1.92g/cm3。可以通过控制坩埚的特性来控制在晶锭生长过程中由蒸气传输的气体的过饱和度。本发明提供了能够制备具有更好特性的碳化硅晶锭的生长系统、碳化硅晶锭、由其制备的晶片等。

公开(公告)号：CN111719181A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910886333.1

申请日：2019-09-19

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 张炳圭 ,  金政圭 ,  崔正宇 ,  具甲烈 ,  高上基

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及晶锭的制备方法等，所述晶锭的制备方法包括：装入步骤，将含有D50为80μm以上的原料粉末的原料物质装入反应容器；颈缩步骤，通过调节所述反应容器内的温度来形成相邻的所述原料粉末的多个粒子相连的颈缩原料物质；以及晶锭生长步骤，升华多个原料成分，从而由所述颈缩原料物质来生长晶锭。由此可以快速制备实际无缺陷的晶锭。

公开(公告)号：CN109923091A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780065296.7

申请日：2017-10-20

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 徐正斗 ,  金政圭 ,  白种甲

IPC: C04B35/52 ,  C04B35/622 ,  C04B41/83 ,  C01B32/20

Abstract: 本实施方案涉及一种在不使用昂贵的聚酰亚胺膜的情况下以低成本制备具有高导热率的石墨片的方法。

公开(公告)号：CN107108227A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680004414.9

申请日：2016-03-22

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴岐伦 ,  甄明玉 ,  金政圭 ,  徐正斗 ,  白种甲 ,  朴钟辉 ,  吴浚禄

IPC: C01B32/20 ,  C01B32/205

Abstract: 本申请提供一种石墨片，该石墨片在水平和垂直方向的热扩散率之比为300或300以上。此外，本申请还提供了一种在垂直方向上的热扩散率为2.0mm2/s或2.0mm2/s以下的石墨片。该石墨片在水平和垂直方向上具有优异的导热性及柔韧性，并且制造成本低，因此具有经济优势。