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公开(公告)号：CN113913774A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110761104.4
申请日：2021-07-05
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明以提供能够减少成膜所需要的时间的成膜系统、工厂系统和晶圆的成膜方法为目的。本实施方式所涉及的成膜系统具有成膜装置和计算机，上述成膜装置具有能够设置多个成膜材料的成膜腔室，上述计算机具有基于包含伊辛模型或QUBO的计算模型，预测在设定了成膜材料的配置的情况下成膜所需要的时间的计算区域。
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公开(公告)号：CN112349831A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010777715.3
申请日：2020-08-05
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种难以通过退火改变状态的磁阻效应元件以及惠斯勒合金。该磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个是由Co2FeαZβ表示的合金的元素的一部分被取代元素取代的惠斯勒合金，Z是选自Al、Si、Ga、Ge和Sn中的一种以上的元素，α和β满足2.3≤α+β、α
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公开(公告)号：CN110224060A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201811558321.8
申请日：2018-12-19
Applicant: TDK株式会社 , 国立大学法人北海道大学
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应大的磁阻效应元件，其使用含有Mn的赫斯勒合金作为磁阻层的铁磁性层。本发明所涉及的磁阻效应元件具备：作为磁化自由层发挥功能的第一铁磁性层、作为磁化固定层发挥功能的第二铁磁性层和设置在第一铁磁性层和第二铁磁性层之间的非磁性间隔层，其中第一铁磁性层和第二铁磁性层中的至少一个包含式(1)所表示的赫斯勒合金。X2MnαZβ……(1)式中，X表示选自Co、Ni、Fe、Ru以及Rh中的至少一种元素，Z表示选自Si、Al、Ga、Ge、Sb以及Sn中的至少一种元素，并且2/3
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公开(公告)号：CN119318073A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202280096809.1
申请日：2022-06-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01P1/36
Abstract: 该非可逆电路元件具备金属层、损耗层以及磁铁。所述金属层具备第一端子、第二端子以及第三端子。所述损耗层具备磁性体和吸收体。所述磁性体在厚度方向上与所述金属层的第一区域重叠。所述吸收体在所述厚度方向上与所述金属层的第二区域重叠。所述磁铁和所述金属层在所述厚度方向上至少夹持所述磁性体。从所述厚度方向观察，所述金属层的连接所述第一端子和所述第二端子的第一边与所述吸收体的所述第一端子及所述第二端子侧的第二边的最短宽度，比连接所述第一边的两端的第一直线和连接所述第二边的两端的第二直线之间的宽度短。
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公开(公告)号：CN118984643A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411068854.3
申请日：2020-12-21
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，包括：第一强磁性层、第二强磁性层和位于所述第一强磁性层和所述第二强磁性层之间的非磁性层，所述第一强磁性层和所述第二强磁性层中的至少一者从靠近所述非磁性层的一侧依次具有第一层和第二层，所述第一层包含结晶化了的Co基哈斯勒合金，所述第二层至少一部分结晶化，并含有强磁性元素、硼元素和添加元素，该添加元素是选自由Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au构成的组中的任何元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118176554A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280006598.8
申请日：2022-10-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G7/00
Abstract: 本发明提供可变电容器及集成电路。可变电容器具有第一导电层、第二导电层、以及被所述第一导电层和所述第二导电层夹持的电容层。所述第一导电层和所述第二导电层分别是含有铁磁性体的铁磁性层。所述第一导电层具有第一磁畴、和磁化在与所述第一磁畴不同的方向上取向的第二磁畴。可变电容器中，作为所述第一磁畴和所述第二磁畴的边界的磁畴壁构成为能够至少在所述第一导电层的与所述电容层在层叠方向上重叠的区域沿所述第一导电层的面内的第一方向移动。
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公开(公告)号：CN113748526B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201980095846.9
申请日：2019-12-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁阻效应元件(10)包括第一铁磁性层(1)、第二铁磁性层(2)、位于上述第一铁磁性层与上述第二铁磁性层之间的非磁性层(3)和位于层叠方向上的任一侧的含添加物层(4、5)，上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层中的至少一者含有硼和碳中的至少一者，且至少一部分是结晶了的惠斯勒合金，上述含添加物层是非磁性层，包含：硼和碳中的至少一者；以及选自Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au中的任意元素。
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