公开(公告)号：CN1622453A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410091715.9

申请日：2004-11-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/15 ,  H03H9/205 ,  H03H3/02 ,  G10K11/04

CPC classification number: H03H9/175 ,  H03H3/02 ,  H03H2003/025

Abstract: 本发明提供压电薄膜共振器及其制造方法。在由元件基板(11)和在该元件基板(11)上所形成的包括压电膜(14)在内的多层膜(12～15)来构成、并通过在前述压电膜(14)的内部传播的体声波得到规定的共振频率的信号的压电薄膜共振器(10)中，形成为多层膜(12)的端面位于较元件基板(11)的端面更靠内侧。借此，在处置压电薄膜共振器(10)时搬运工具(16)不接触多层膜(12～15)，膜剥离等多层膜(12～15)的损伤可以防患于未然。

公开(公告)号：CN1149735C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN01800024.X

申请日：2001-01-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 竹内正男 ,  井上宪司 ,  佐藤胜男

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H03H9/0259 ,  H03H9/02543 ,  H03H9/14505

Abstract: 本发明的目的是提供一种弹性表面波装置，能够实现宽带化并且小型化，并且，利用固有单相单方向性变换器特性，能够实现低损失化。弹性表面波装置包括压电基板(1)和设在该压电基板1的一个主面上的一对交叉指状电极(2)。使用由属于点群32，具有Ca3Ca2Ge4O14型结晶构造，其主要成分由La、Ta、Ga以及O组成，用化学式La3Ta0.5Ga5.5O14所表示的单晶来作为压电基板(1)的材料。当用欧拉角把基板(1)的切出角和传送方向表示为(φ，θ，ψ)时，φ、θ和ψ可以存在于φ＝-5°～5°，θ＝135°～155°以及ψ＝15°～40°的第一区域中，或者，φ＝10°～20°，θ＝140°～157°以及ψ＝30°～60°的第二区域中。

公开(公告)号：CN1439194A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN01811997.2

申请日：2001-12-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司 ,  佐藤胜男 ,  守越广树 ,  佐藤淳

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/02543

Abstract: 本发明的目的是提供一种能宽频带化及小型化的弹性表面波装置。弹性表面波装置具有压电基片(1)、设置在该压电基片(1)的一方主面上的一对手指交错状电极(2)。压电基片(1)的材料由单晶体构成，它是属于点群32、具有Ca3Ga2Ge4O14型结晶结构；其主要成分由Ca、Nb、Ga、Si和O构成，由化学式Ca3NbGa3Si2O14表示的。借助适当地选择基片(1)的切出角和传输方向，能使基片(1)具有大的电气机械结合系数和小的SAW速度，前者能有效地使通频带宽带化、后者能有效地使弹性表面波装置小型化。

公开(公告)号：CN1348253A

公开(公告)日：2002-05-08

申请号：CN01140659.3

申请日：2001-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司 ,  佐藤胜男 ,  守越广树 ,  川嵜克已

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/54

CPC classification number: H03H9/02543

Abstract: 公开了一种用于中频的紧凑和宽带表面声波器件。也公开了一种用在表面声波器件中具有高机电耦合因数和低SAW速度的压电基片。表面声波器件由一个压电基片1和形成在压电基片1上的叉指状电极2、2构成。压电基片1具有一种Ca3Ga2Ge4O14的晶体结构,并且由化学式Sr3NbGa3Si2O14表示。从单晶切出压电基片1的切割角、和按照欧拉角(φ、θ、ψ)表示的在压电基片上的表面声波的传播方向,在由－5°≤φ≤15°、0°≤θ≤180°、及－50°≤ψ≤50°表示的一个第一区域和由15°≤φ≤30°、0°≤θ≤180°、及－40°≤ψ≤40°表示的一个第二区域之一中。

公开(公告)号：CN1206517A

公开(公告)日：1999-01-27

申请号：CN97191459.1

申请日：1997-10-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司 ,  佐藤胜男

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种尺寸减小、选择性提高和具有宽通带的声表面波器件,它包括:基体和在其表面上形成的叉指电极。Ⅰ.提供压电膜以覆盖基体表面和叉指电极表面,Ⅱ.在基体表提供压电膜,而且叉指电极加在压电膜表面上,Ⅲ.提供压电膜以覆盖基体表面和叉指电极表面,并在压电膜表面上加反电极膜,或者Ⅳ.在基体表面上加反电极膜,在反电极膜表面上加压电膜,在压电膜表面上加叉指电极。压电膜有一个压电轴与基体平面基本垂直。