声表面波器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1112763C

    公开(公告)日:2003-06-25

    申请号:CN97191459.1

    申请日:1997-10-16

    Abstract: 本发明提供一种尺寸减小、选择性提高和具有宽通带的声表面波器件,它包括:基体和在其表面上形成的叉指电极。I.提供压电膜以覆盖基体表面和叉指电极表面,II.在基体表提供压电膜,而且叉指电极加在压电膜表面上,III.提供压电膜以覆盖基体表面和叉指电极表面,并在压电膜表面上加反电极膜,或者IV.在基体表面上加反电极膜,在反电极膜表面上加压电膜,在压电膜表面上加叉指电极。压电膜有一个压电轴与基体平面基本垂直。

    压电谐振器和具备压电谐振器的电子部件

    公开(公告)号:CN1674435A

    公开(公告)日:2005-09-28

    申请号:CN200510056475.3

    申请日:2005-03-22

    CPC classification number: H03H9/583 H03H9/588 H03H9/589

    Abstract: 本发明的一个实施方式的压电谐振器,具备连接到第一信号端子上的第一转换器、和连接到第二信号端子上的第二转换器。第一转换器和第二转换器在规定方向上叠层。第一转换器和第二转换器中的至少任何一方具有用一对的电极膜把两侧夹起来的第一压电膜、和由与第一压电膜不同的膜种构成、用一对的电极膜把两侧夹起来的第二压电膜。

    薄膜体波谐振器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1638271A

    公开(公告)日:2005-07-13

    申请号:CN200510003841.9

    申请日:2005-01-07

    CPC classification number: H03H9/02094 H03H9/175 H03H9/176

    Abstract: 本发明涉及一种薄膜体波谐振器,通过改善音响多层膜来提高SMR型薄膜体波谐振器的谐振特性。该薄膜体波谐振器包括:基板(101);由在基板(101)上设置的下部电极(102)、压电膜(103)及上部电极(104)构成的谐振部(120);由在基板(101)和谐振部(120)之间设置的多个反射膜(111、112)构成的音响多层膜(110)。在本发明中,构成音响多层膜(110)的至少一个反射膜沿特定的结晶面取向,优选X射线摇摆曲线的半辐值设定为小于等于10°以下,更优选设定为小于等于3°。由此,与现有技术相比,由于提高了向基板(101)方向传播的体波的反射效率,所以就能够获得良好的谐振特性。

    电子部件和包含该电子部件的滤波器

    公开(公告)号:CN1630188A

    公开(公告)日:2005-06-22

    申请号:CN200410101369.8

    申请日:2004-12-17

    Inventor: 井上宪司

    CPC classification number: H03H9/564 H03H9/02118 H03H9/568

    Abstract: 本发明的一实施方式的电子部件,具有第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器,第一压电薄膜共振器和第二压电薄膜共振器具有由下部电极和上部电极夹着压电薄膜的构造,是在下部电极、压电薄膜和上部电极相互重合的区域所构成的、通过在压电薄膜的内部传输的体波来得到规定的共振频率的信号的压电薄膜共振器,互相相对的第一压电薄膜共振器的周边的一部分和第二压电薄膜共振器的周边的一部分的间隔不是一定的。

    表面声波装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1237288A

    公开(公告)日:1999-12-01

    申请号:CN98801265.0

    申请日:1998-06-22

    CPC classification number: H03H9/0259

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种选择性即温度特性优良的小型宽通带表面声波装置。本发明的表面声波装置在一个基片表面上包括一根叉指型电极,该基片由化学式La3Ga5SiO14代表的、且属于点群32的langasite单晶组成。当从langasite单晶切出基片的切削角和在基片上表面声波的传播方向按照欧拉角(Φ、θ、Ψ)表示时,发现Φ、θ、和Ψ在分别由Φ=-5至5°、θ=136至146°、及Ψ=21至30°代表的区域内。在归一化厚度h/λ(%)与指示表面声波传播方向的所述Ψ(°)之间的关系由下式给出,其中叉指型电极的厚度h用表面声波的波长λ归一化,当Ψ≤25.5°时-3.79(h/λ)+23.86≤Ψ≤-5.08(h/λ)+26.96并且当Ψ>25.5°时,以上关系由下式给出4.39(h/λ)+24.30≤Ψ≤3.54(h/λ)+27.17。

    表面声波器件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1185871A

    公开(公告)日:1998-06-24

    申请号:CN97190007.8

    申请日:1997-03-18

    CPC classification number: H03H9/02834 H03H9/0259

    Abstract: 在一种衬底表面上有叉指电极的表面声波器件中,其中所述的衬底是一种属于点群32的砷镍钴矿单晶,对切自单晶的衬底的切割角与表面声波传播方向的组合进行了优化。这使得有可能获得含有一个SAW速度的温度系数TCV的绝对值小、电机械耦合因子K2大、且SAW速度低的衬底的表面声波器件。于是有可能获得温度稳定性业已改善、具有宽的通带且尺寸减小了的滤波器,特别是具有特性改善了的最适于移动通信终端设备的中频表面声波滤波器。

    声表面波元件、声表面波器件及分路滤波器

    公开(公告)号:CN1653689A

    公开(公告)日:2005-08-10

    申请号:CN03810508.X

    申请日:2003-05-14

    CPC classification number: H03H9/6483

    Abstract: 本发明公开了一种声表面波元件(11),其包括:在输入端(18)与输出端(19)之间形成的第1布线段(20);在第1布线段(20)上串联布置的多个第1声表面波谐振器(15);与第1声表面波谐振器(15)相对、在输入端(18)侧或输出端(19)侧的第1布线段(20)上串联布置的多个第2声表面波谐振器(16);在第1布线段(20)上的第2声表面波谐振器(16)相互之间的中点与参考电位电极(21)之间形成的多个第2布线段(22);分别布置在第2布线段(22)上的多个第3声表面波谐振器(17),它们的反谐振频率与第2声表面波谐振器(16)的谐振频率一致。

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