公开(公告)号：CN100413002C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200510120350.2

申请日：2005-11-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 守越广树 ,  若山胜彦

IPC: H01F1/12 ,  B22F3/00 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明旨在提供能够使电磁波吸收薄片的特性得到进一步提高的电磁波吸收薄片的制造方法等。在该制造方法中，将经过粉碎工序而进行过粉碎扁平化处理的处理粉(P0)投入离心风力式筛选装置(50)中，利用在容器(51)内旋转的气流中所作用的离心力与阻力之差，筛选出扁平状软磁性金属粉(P1)和未扁平粉(P2)。然后，去除未扁平粉(P2)，使用扁平状软磁性金属粉(P1)形成电磁波吸收薄片，由此使其性能得以提高。另外，筛选出的未扁平粉(P2)优选作为粉碎工序的原料粉加以再利用。

公开(公告)号：CN1773634A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510120350.2

申请日：2005-11-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 守越广树 ,  若山胜彦

IPC: H01F1/12 ,  B22F3/00 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明旨在提供能够使电磁波吸收薄片的特性得到进一步提高的电磁波吸收薄片的制造方法等。在该制造方法中，将经过粉碎工序而进行过粉碎扁平化处理的处理粉(P0)投入离心风力式筛选装置(50)中，利用在容器(51)内旋转的气流中所作用的离心力与阻力之差，筛选出扁平状软磁性金属粉(P1)和未扁平粉(P2)。然后，去除未扁平粉(P2)，使用扁平状软磁性金属粉(P1)形成电磁波吸收薄片，由此使其性能得以提高。另外，筛选出的未扁平粉(P2)优选作为粉碎工序的原料粉加以再利用。

公开(公告)号：CN107043252A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710067787.7

申请日：2017-02-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊藤和彦 ,  志村寿一 ,  藤田一孝 ,  守越广树 ,  寺田朋广

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01C7/02

Abstract: 本发明的目的在于提供一种使居里点移向高于120℃的高温侧，25℃电阻率小而且耐电压以及机械强度优异的半导体陶瓷组合物、以及PTC热敏电阻。本发明所涉的半导体陶瓷组合物的特征为：在BaTiO3类的半导体陶瓷组合物中，Ba的一部分至少被A(选自Na或K中的至少一种)、Bi以及RE(选自含有Y的稀土元素中的至少一种)取代，并且Ti的一部分至少被TM(选自V、Nb以及Ta中的至少一种)取代，在将(Ti含量+TM含量)设定为1mol时，满足0.7≤[(Bi含量)/(A含量)]≤1.43；0.017≤[(Bi含量)+(A含量)]≤0.25；0＜(RE含量+TM含量)≤0.01，并且在晶体粒径为1.1～4.0μm的范围内具有粒径分布的最大峰值，该峰值的分布频率为20％以上。

公开(公告)号：CN1547627A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN02816498.9

申请日：2002-06-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 坂下幸雄 ,  川崎克己 ,  大井户敦 ,  守越广树 ,  内田清志 ,  山泽和人

IPC: C30B29/28 ,  C30B19/12

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B19/04 ,  C30B29/28

Abstract: 本发明涉及为液相外延生长磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用衬底，和使用该衬底进行晶体生长的单晶膜的制备方法和通过该制备方法制备的单晶膜以及光学元件。该衬底(2)具有对为进行液相外延生长所使用的熔融溶液不稳定的石榴石系单晶形成的衬底基板(10)，和在前述衬底基板(10)上形成的对前述熔融溶液稳定的石榴石系单晶薄膜形成的缓冲层(11)。使用该衬底(2)可以制备优质的磁性石榴石单晶膜(12)。该磁性石榴石单晶膜(12)可以作为用于光学隔离器、光学循环器、光磁传感器等法拉第元件等的光学元件使用。

公开(公告)号：CN107043251A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710067756.1

申请日：2017-02-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤田一孝 ,  伊藤和彦 ,  志村寿一 ,  守越广树 ,  寺田朋广

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88 ,  H01C7/02

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使居里点移向高于120℃的高温侧，并且将25℃电阻率保持在能够实用化的水平，同时电阻变化率Δρ/ρ0小，并且耐电压优异的半导体陶瓷组合物以及具备该半导体陶瓷组合物的PTC热敏电阻。本发明涉及一种半导体陶瓷组合物，其以式(1)表示，(BavBixAyREw)m(TiuTMz)O3 (1)；(A是选自Na和K中的至少一种，RE是选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少一种)，在此，0.750y≤x≤1.50y (2)；0.007≤y≤0.125 (3)；0≤(w+z)≤0.010 (4)；v+x+y+w＝1 (5)；u+z＝1 (6)；0.950≤m≤1.050 (7)；而且，包含0.001～0.055mol的Ca，包含0.0005～0.005mol的选自Mg、Al、Fe、Co、Cu、Zn中的至少一种。

公开(公告)号：CN1251404C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN01811997.2

申请日：2001-12-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司 ,  佐藤胜男 ,  守越广树 ,  佐藤淳

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/02543

Abstract: 本发明的目的是提供一种能宽频带化及小型化的弹性表面波装置。弹性表面波装置具有压电基片(1)、设置在该压电基片(1)的一方主面上的一对手指交错状电极(2)。压电基片(1)的材料由单晶体构成，它是属于点群32、具有Ca3Ga2Ge4O14型结晶结构；其主要成分由Ca、Nb、Ga、Si和O构成，由化学式Ca3NbGa3Si2O14表示的。借助适当地选择基片(1)的切出角和传输方向，能使基片(1)具有大的电气机械结合系数和小的SAW速度，前者能有效地使通频带宽带化、后者能有效地使弹性表面波装置小型化。

公开(公告)号：CN1439194A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN01811997.2

申请日：2001-12-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司 ,  佐藤胜男 ,  守越广树 ,  佐藤淳

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/02543

Abstract: 本发明的目的是提供一种能宽频带化及小型化的弹性表面波装置。弹性表面波装置具有压电基片(1)、设置在该压电基片(1)的一方主面上的一对手指交错状电极(2)。压电基片(1)的材料由单晶体构成，它是属于点群32、具有Ca3Ga2Ge4O14型结晶结构；其主要成分由Ca、Nb、Ga、Si和O构成，由化学式Ca3NbGa3Si2O14表示的。借助适当地选择基片(1)的切出角和传输方向，能使基片(1)具有大的电气机械结合系数和小的SAW速度，前者能有效地使通频带宽带化、后者能有效地使弹性表面波装置小型化。

公开(公告)号：CN1348253A

公开(公告)日：2002-05-08

申请号：CN01140659.3

申请日：2001-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司 ,  佐藤胜男 ,  守越广树 ,  川嵜克已

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/54

CPC classification number: H03H9/02543

Abstract: 公开了一种用于中频的紧凑和宽带表面声波器件。也公开了一种用在表面声波器件中具有高机电耦合因数和低SAW速度的压电基片。表面声波器件由一个压电基片1和形成在压电基片1上的叉指状电极2、2构成。压电基片1具有一种Ca3Ga2Ge4O14的晶体结构,并且由化学式Sr3NbGa3Si2O14表示。从单晶切出压电基片1的切割角、和按照欧拉角(φ、θ、ψ)表示的在压电基片上的表面声波的传播方向,在由－5°≤φ≤15°、0°≤θ≤180°、及－50°≤ψ≤50°表示的一个第一区域和由15°≤φ≤30°、0°≤θ≤180°、及－40°≤ψ≤40°表示的一个第二区域之一中。