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公开(公告)号：CN109937475B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201780014410.3
申请日：2017-10-16
Applicant: TDK株式会社
Abstract: TMR元件具备：设置于通路配线部的上表面上的基底层、设置于基底层的表面上的磁隧道接合部、以及覆盖通路配线部及基底层的侧面的层间绝缘层，基底层具有应力缓和部，磁隧道接合部具有磁化方向被固定的参照层、磁化自由层、以及设置于参照层与磁化自由层之间的隧道势垒层，层间绝缘层包含绝缘材料。
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公开(公告)号：CN109196675B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201880001991.1
申请日：2018-02-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/10 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明的铁磁性多层膜具备：第一磁化固定层、第一中间层、第二中间层、磁耦合层以及第二磁化固定层。第一磁化固定层和第二磁化固定层通过经由第一中间层、第二中间层以及磁耦合层的交换耦合而反铁磁性耦合；磁耦合层的主元素为Ru、Rh或Ir，第一中间层的主元素与磁耦合层的主元素相同，第二中间层的主元素与磁耦合层的主元素不同，第一中间层的厚度为第一中间层的主元素的原子半径的1.5倍以上且3.2倍以下，并且第二中间层的厚度为第二中间层的主元素的原子半径的1.5倍以下。
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公开(公告)号：CN113450984A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202011387605.2
申请日：2020-12-02
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种永久磁铁，其含有稀土元素R(Nd等)、过渡金属元素T(Fe等)、B、Zr和Cu，永久磁铁具有含有Nd、T和B的主相颗粒和晶界多重点，一个晶界多重点为由三个以上的主相颗粒包围的晶界，一个晶界多重点包含ZrB2的结晶和含有R及Cu的富R－Cu相，Fe包含于ZrB2的结晶中，包含ZrB2的结晶和富R－Cu相这两者的一个晶界多重点中的Nd和Pr的浓度的合计高于主相颗粒中的Nd和Pr的浓度的合计，包含ZrB2的结晶和富R－Cu相这两者的一个晶界多重点中的Cu的浓度高于主相颗粒中的Cu的浓度，Nd、Pr和Cu各自的浓度的单位为原子％。
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公开(公告)号：CN108695064B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201810294183.0
申请日：2018-03-30
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种介电特性优异的电介质薄膜及电容元件。所述电介质薄膜其特征在于，该电介质薄膜具有由以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n＝5)表示的氧氮化物构成的主组成，所述A为Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na的任意一种以上，所述B为Ta、Nb、Ti、W的任意一种以上，构成所述电介质薄膜的晶粒为未向某特定的晶面方向取向的多晶，所述电介质薄膜所包含的晶粒的微晶的尺寸为100nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1898756B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200580000402.0
申请日：2005-07-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F7/0221 , B32B15/011 , H01F41/026 , Y10T428/12937 , Y10T428/12944 , Y10T428/32
Abstract: 提供具有优异的耐腐蚀性的稀土类磁铁。具有含有稀土类元素的磁铁基体(10)、和在磁铁基体(10)上形成的保护膜(20)。保护膜(20)从磁铁基体(10)侧顺序地积层第1保护膜(21)、第2保护膜(22)和第3保护膜(23)。这些保护膜为多晶状，例如采用金属的镀膜构成。它们的平均晶粒粒径是第1保护膜(21)及第3保护膜(23)的比第2保护膜(22)的小。通过将第1保护膜(21)微晶化，能够提高保护膜(20)与磁铁基体(10)的界面的致密性，能够减少针孔数。
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公开(公告)号：CN101083166A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200610064455.5
申请日：2006-09-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F7/02
CPC classification number: C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/42 , H01F1/0577 , H01F41/026 , Y10T428/32 , Y10T428/325
Abstract: 本发明提供一种能够提高耐腐蚀性的稀土类磁铁。保护膜(20)是从邻近磁铁基体(10)的一侧开始依次含有具有结晶组织α(例如多晶组织)的保护层(20A)、具有结晶组织β(例如柱状结晶组织)的保护层(20B)、具有结晶组织α的保护层(20C)的三层膜。由于相邻的保护层(20A)、(20B)之间具有不同的结晶组织，同时同样相邻的保护层(20B)、(20C)之间具有不同的结晶组织，所以提高了保护膜(20)中的各层之间的致密性。由此抑制了针孔的产生，所以能够抑制保护膜(20)的腐蚀。
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公开(公告)号：CN1898756A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200580000402.0
申请日：2005-07-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F7/0221 , B32B15/011 , H01F41/026 , Y10T428/12937 , Y10T428/12944 , Y10T428/32
Abstract: 提供具有优异的耐腐蚀性的稀土类磁铁。具有含有稀土类元素的磁铁基体(10)、和在磁铁基体(10)上形成的保护膜(20)。保护膜(20)从磁铁基体(10)侧顺序地积层第1保护膜(21)、第2保护膜(22)和第3保护膜(23)。这些保护膜为多晶状，例如采用金属的镀膜构成。它们的平均晶粒粒径是第1保护膜(21)及第3保护膜(23)的比第2保护膜(22)的小。通过将第1保护膜(21)微晶化，能够提高保护膜(20)与磁铁基体(10)的界面的致密性，能够减少针孔数。
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公开(公告)号：CN1213875C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN01801244.2
申请日：2001-05-11
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种光记录媒体，其中：具有以Sb作为主成分的相变型记录层，该记录层结晶化时，结晶化区域含有基本上由Sb构成的菱形晶体，且基本上不包含除基本上由Sb构成的菱形晶体以外的结晶相。本发明的光记录媒体可以提高转输速度，并且记录层的热稳定性良好。
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公开(公告)号：CN1165038C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01108883.4
申请日：2001-10-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24085 , G11B7/00454 , G11B7/006
Abstract: 一种光记录方法，是在盘状光记录媒体的记录层上形成非晶态记录标记的方法，其中：当最短信号长度为SL，与上述最短信号对应的最短记录标记中，最大宽度为MW，EW＝0.1MW，在记录用激光束的移动方向上，前端侧的宽度为EW的位置为有效前端，后端侧的宽度为EW的位置为有效后端，有效前端与有效后端的距离为有效长度ML，后端侧的宽度开始减少的位置到有效前端的距离为WL时，以从上述光记录媒体的内周侧到外周侧，WL/ML呈分段地或连续地减小的方式形成最短记录标记。
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