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公开(公告)号：CN102295265B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201110174587.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括图案化布线层以形成至少一个固定板，以及在该布线层上形成牺牲材料。该方法还包括在至少一个固定板上和下方衬底的暴露部分上形成一个或多个膜的绝缘层以防止形成该布线层和牺牲材料之间的反应产物。该方法还包括在至少一个固定板上形成可移动的至少一个MEMS梁。该方法还包括排出或剥去该牺牲材料以形成至少第一腔体。
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公开(公告)号：CN102295264B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201110174027.9
申请日：2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 迪恩.当 , 泰.多恩 , 杰弗里.C.马林 , 安东尼.K.斯塔姆珀
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括在衬底上形成多个分离导线。该方法还包括在该分离导线上形成牺牲腔体层。该方法还包括在该牺牲腔体层的上表面形成沟槽。该方法还包括用电介质材料填充沟槽。该方法还包括在该牺牲腔体层和该电介质材料上沉积金属以形成具有从其底表面延伸的至少一个电介质缓冲器的梁。
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公开(公告)号：CN103842885A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280043548.3
申请日：2012-08-30
Applicant: 高通MEMS科技公司
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0072 , B81B2201/042 , B81B2203/019 , B81C2201/0167 , B81C2201/017
Abstract: 本发明提供用于控制可移动层的系统、方法及装置。在一个方面，机电系统装置包含衬底及定位于所述衬底上方以界定间隙的可移动层。所述可移动层可在所述间隙中在致动位置与松弛位置之间移动，且包含镜面层、罩盖层及安置在所述镜面层与所述罩盖层之间的电介质层。所述可移动层经配置以在所述可移动层处于所述松弛位置中时具有远离所述衬底的方向上的曲率。在一些实施方案中，所述可移动层可经形成以具有朝向所述衬底的正应力梯度，所述正应力梯度可在移除牺牲层时引导所述可移动层的所述曲率向上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102906008A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025545.2
申请日：2011-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极，上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。
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公开(公告)号：CN101558006B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200780045825.3
申请日：2007-12-10
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 彼得·G·斯滕肯
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B3/0056 , B81B2201/016 , B81C2201/017 , Y10T29/49105
Abstract: 本发明涉及MEMS器件，其包括：第一电极和第二电极，第二电极借助于悬挂结构而悬起并距第一电极一定距离。MEMS器件还包括至少一个变形电极。当通过变形电极施加静电变形力时，第二电极和悬挂结构之一或这二者能够塑性变形。这样，可消除在制造不同的器件或操作单个器件期间出现的第二电极的关断状态位置的改变。
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公开(公告)号：CN101583559B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200780049406.7
申请日：2007-11-09
Applicant: 新加坡科技研究局
Inventor： 苏迪兰赞·特里帕斯 , 维克纳什·s/o·莎姆伽纳赞
CPC classification number: B81C1/00484 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , B81C2201/017
Abstract: 本发明提供了一种微机械结构和制造微机械结构的方法。该微机械结构包括硅(Si)基衬底；直接在该衬底上形成的微机械元件；和在该微机械元件的释放部下方形成的底切部；其中该底切部的形式为在硅基衬底中形成的凹口。
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公开(公告)号：CN102036907A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118616.6
申请日：2009-04-03
Applicant: 罗伯特.博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: G01L9/0042 , B81C1/00888 , B81C2201/017 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H04R19/005 , H04R31/006
Abstract: 本发明涉及一种用于制造在硅基底(1)上分离设置的微机械结构部件的方法，它具有下述步骤：a)通过各向异性等离子深蚀刻方法在基底上制作分离沟(7)；b)用激光(11)对硅基底(1)的形成分离沟(6)的底部的区域(9、12)进行照射，其中，通过在这个区域(9、12)中的照射使硅基底(1)从一种结晶状态至少部分地转变为非晶质状态；c)在基底(1)中感应机械应力。在一种实施形式中同时用蚀刻蚀刻分离沟(6)和洞穴(2)。可通过RIF滞后效应对蚀刻深度进行控制。
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公开(公告)号：CN101583559A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200780049406.7
申请日：2007-11-09
Applicant: 新加坡科技研究局
Inventor： 苏迪兰赞·特里帕斯 , 维克纳什·s/o·莎姆伽纳赞
CPC classification number: B81C1/00484 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , B81C2201/017
Abstract: 本发明提供了一种微机械结构和制造微机械结构的方法。该微机械结构包括硅(Si)基衬底；直接在该衬底上形成的微机械元件；和在该微机械元件的释放部下方形成的底切部；其中该底切部的形式为在硅基衬底中形成的凹口。
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