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公开(公告)号：CN109529732B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201811582088.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: B01J8/26
Abstract: 本发明公开了一种流化处理系统，包括主流化床和一级副流化床，主流化床上下两端分别设置有主尾气管和主反应气进气口，主流化床中部侧壁上设置有主回料口和固体颗粒投料口；一级副流化床上端设置有一级尾气管，一级副流化床下端设置有一级反应气进气口和一级进料口，一级副流化床下部侧壁上相对设置有一级出料口和一级出料吹扫口；主反应气进气口、一级反应气进气口、一级出料吹扫口均通过管道与反应气进气主管道连接，主尾气管与一级进料口连接，一级尾气管后部设置有尾气回收装置，一级出料口与主回料口连接。通过至少两级流化床串联的流化处理，各级流化床内的流化状态不同，实现了物料的充分利用，避免了尾气管道的堵塞。
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公开(公告)号：CN109399642B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201811605733.2
申请日：2018-12-25
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明提供了一种多晶硅取棒装置及方法，属于多晶硅准运领域。多晶硅取棒装置包括：洁净罩，洁净罩内具有密闭的容纳腔；取料机构，取料机构设置于容纳腔的内部；取料机构包括轨道、第一运载件以及机械臂，轨道设置为环形，第一运载件和轨道滑动连接，机械臂和第一运载件连接，第一运载件用于带动机械臂沿着轨道运动；转运机构，转运机构设置于容纳腔的内部；控制器，控制器分别和第一运载件、机械臂以及第二运载件电连接，控制器用于分别控制第一运载件、机械臂以及第二运载件。这种多晶硅取棒装置及方法可以在密闭的空间中进行，可以有效防止外界的物质对多晶硅棒造成污染，并且利用机械臂在轨道上进行转运，可以具有较高的工作效率。
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公开(公告)号：CN105784459B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610145266.4
申请日：2016-03-15
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: G01N1/44
Abstract: 本发明旨在提供氯硅烷和多晶硅体表金属痕量杂质元素的前处理装置，其特征在于：多个小型独立的密闭装置主体与相对应地伸缩臂连接，所述小型独立的密闭装置主体包括内层接口和外层接口，内外层接口设有与样品瓶相匹配的螺纹，根据分析项目可连接不同尺寸的样品瓶，外层螺纹侧壁设有卡扣与保温外罩卡接。该密闭装置解决了对氯硅烷和多晶硅体金属和表金属痕量杂质元素的前处理，同时批量处理样品，且节省时间，实现了对前处理资源最大化利用。
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公开(公告)号：CN109632419A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811587648.8
申请日：2018-12-25
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: G01N1/28
Abstract: 本发明公开了一种固体颗粒物料的缩分装置及缩分方法，包括有主体、控制装置和控制电机，在主体的内部设置有一可旋转的缩分桶；在缩分桶的内部设有筛板和分流装置，筛板固定在缩分桶中将缩分桶的内腔沿中心轴分隔成上下两部分，上面部分为物料室，下面部分具有内斜容器。本发明通过在缩分桶内设置漏斗状的物料室、三角状的分流板、布满筛孔的筛板以及球面状的内斜容器，物料从进料口进入物料室后，通过物料室的落料孔全部落在分流装置上，然后被分流装置分流到筛板的两边位置上，再通过筛板落到内斜内容上，如此可以实现非常均匀的混合。其结构简单，能更好的使物料缩分均匀，且能减少物料损失和污染，并且操作方便，提高了作业效率。
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公开(公告)号：CN109569262A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811594353.3
申请日：2018-12-25
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
CPC classification number: B01D53/81 , B01D53/68 , B01D2257/204 , G01N33/0036
Abstract: 本发明涉及多晶硅生产技术领域，公开了一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法，包括以下处理工序：收集，收集多晶硅尾气；冷凝，将收集到的多晶硅尾气进行冷凝处理，使其析出部分氯硅烷；吸收，将冷凝处理后的多晶硅尾气通过吸附剂，继续吸附除去尾气内残留的氯硅烷。还公开了一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，包括取样组件和深冷机构；所述取样组件上连接有管路，管路穿过深冷机构经冷却后连接有吸附组件，吸附组件内填充有吸附剂；所述吸附组件具有出口。本去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法及装置可以去除尾气中的氯硅烷，操作方便有效，能在检测尾气中痕量磷化氢气体含量时，保护检测装置，延长其使用寿命，降低检测成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108002390B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201711233911.9
申请日：2017-11-30
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035 , C23C24/04
Abstract: 本发明公开了一种还原炉电极及其涂层制备方法，采用铝制造电极体，电极体锥形段设置有银涂层，电极体除锥形段外的其余表面设置有陶瓷绝缘涂层；以拉法尔喷嘴加速经加热的压缩气体作为工作载气，高速的载气加速原材料粉末从喷枪喷出，以低温、高速和完全固态下碰撞电极体，通过颗粒的堆积效应形成具有高致密性、高热稳定性和高强结合性能的涂层。本发明具有如下优点：铝电极体表面更容易接受涂层材料；通过冷喷涂方法制备的电极体锥形段银涂层，可降低电极体与石墨的接触电阻，银涂层不易脱落；在除锥形段外的电极体表面喷涂有氧化铝涂层，大幅提高了电极体的绝缘性能；气涂层粒子沉积效率高，原材料的利用率高，涂层制备生产效率高。
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公开(公告)号：CN109279611A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811455065.X
申请日：2018-11-30
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107 , B01D3/14 , B01D3/32
Abstract: 本发明提供一种去除氯硅烷中杂质的方法及装置，其将氯硅烷通入精馏塔内，通过含物理吸附剂的吸附脱附段对氯硅烷中的杂质进行处理，并结合精馏和提馏完成整个生产过程；其中物理吸附剂包括第一组分，第一组分为含羧基的化合物、含氨基的化合物、聚合氯化铝中的一种或多种。本发明采用物理吸附剂的选择吸附功能，能够有效去除氯硅烷中的痕量杂质，特别是碳有机杂质，除杂效率高，环保性好，进一步提升和稳定了氯硅烷的品质。
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公开(公告)号：CN109012514A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811003189.4
申请日：2018-08-30
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种流化床反应器，包括反应腔和位于反应腔下端的底面进气结构；所述反应腔四周设有进气腔，靠近反应腔的进气腔内壁设有多个倾斜设置的导流板，进气腔内壁在其与每个导流板连接处的下方设有一个以上的透气孔，且透气孔连通进气腔和反应腔。本申请通过在反应腔四周设置进气腔，使一部分工艺气体进入进气腔内，并沿导流板改变角度，向上倾斜穿过透气孔吹入反应腔内，从而避免了介质沉积在反应器内壁，导致反应器磨损的情况。
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公开(公告)号：CN107379291B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710811856.0
申请日：2017-09-11
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅芯加工装置，包括有箱体、主轴系统、冷却系统、定位装置、控制系统等，主轴系统、冷却系统、定位装置、控制系统设置在箱体上，主轴系统驱动刀具旋转，定位装置完成硅芯固定、调整、进给、回程等运动，冷却系统进行冷却、润滑、除尘等；控制系统将各系统联动起来，实现人机操作交换，提高工作效率、保证加工精度。本发明由滚珠丝杠带动，传动平稳、进给量精确、摩擦阻力小、运行可靠；采用可编程控制器进行控制，方便对工参数进行修改，在试加工合格后，使用固定的程序，保证加工尺寸一致，质量稳定；冷却系统采用旋转接头对接结构，使系统简洁、紧凑，实现对转动加工的有效冷却，并冲洗带走碎屑，保证连续加工。
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公开(公告)号：CN106744685B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201611020410.8
申请日：2016-11-21
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B3/50
Abstract: 本发明提供一种电子级多晶硅生产中循环氢气的深度净化方法，属于电子级多晶硅生产中尾气的提纯技术领域。将含有Cl2、氢化物杂质的循环氢气通入等离子体装置中使Cl2活化得到氯自由基，氯自由基与氢化物反应得到含氯化合物，将含氯化合物与循环氢气分离。此深度净化方法中，循环氢气中含有微量Cl2，微量Cl2在等离子体装置中由于强电磁场作用会充分活化，形成具有强取代活性的氯自由基，氯自由基会优先与氢化物发生取代反应，使其转变高沸点、强极性的物质，容易与循环氢气分离；不引入外杂质、反应副产物只有微量HCl，容易与循环氢气分离；等离子体活化可使Cl2活化更加充分，达到循环氢气深度净化的目的。
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