公开(公告)号：CN1741256A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200410103351.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李相雄 ,  吴栽荣 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  刘喆浩

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管的方法，其步骤包括：制备绝缘基片；在该基片上形成非晶硅层；在该非晶硅层上形成具有1.78至1.90的折射率的盖层；在该盖层上形成金属催化剂层；通过对该基片的热处理而使非晶硅层晶化成多晶硅层。由于通过控制氮化物膜盖层的折射率到1.78至1.90从而获得大晶粒尺寸的半导体层来使电子迁移率增加并且残余金属催化剂的数量减少，从而降低漏电流，所以这种晶体管具有优良的特性，并能够通过利用盖层的折射率控制多晶硅层的晶粒尺寸来获得具有所希望的晶粒尺寸和均匀性的多晶硅层从而控制其特性。

公开(公告)号：CN1707810A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200410099717.2

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  李基龙 ,  梁泰勋 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管和其制造方法。薄膜晶体管包括：形成在衬底上的金属催化剂层，和依次形成在金属催化剂层上的第一帽盖层和第二帽盖层图案。方法包括：在金属催化剂层上形成第一帽盖层，在第一帽盖层上形成并构图第二帽盖层，在已构图的第二帽盖层上形成非晶硅层，扩散金属催化剂，以及结晶非晶硅层形成多晶硅层。以均匀的低浓度扩散结晶催化剂以控制催化剂形成的籽晶的位置，以使得在多晶硅层中的沟道区接近于单晶。因此，薄膜晶体管器件的特性可以得到提高并变得均匀。

公开(公告)号：CN1645630A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410099754.3

申请日：2004-11-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及一种通过金属诱导横向晶化工艺形成的薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括具有源极/漏极区域和沟道区域的有源层、栅极电极、具有暴露每个源极/漏极区域的一部分的接触孔的绝缘层、和暴露有源层的一部分的晶化诱导图案。源极/漏极电极通过接触孔连接到源极/漏极区域，而晶化诱导图案并不将源极/漏极区域连接到源极/漏极电极。