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公开(公告)号:CN1350198A
公开(公告)日:2002-05-22
申请号:CN00137377.3
申请日:2000-10-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1335
Abstract: 根据本发明的背光能够得到合适的配光分布和均匀的射出光。从光源(1)发射的光入射到入射端面(20)上,从上面射向液晶板的导光板(3)的底面(22)上设置了楔状反射槽(4)和分断平坦部(5),该反射槽(4)距底面的深度随距端面的距离而变化和沿入射端面的方向延伸,分断平坦部(5)垂直反射槽并分断该反射槽,出光面(21)上设沿多根平行棱线垂直入射端面的方向延伸的棱镜状凹凸部(6)。
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公开(公告)号:CN1315720A
公开(公告)日:2001-10-03
申请号:CN00137093.6
申请日:2000-12-29
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3659 , G09G3/2074 , G09G2300/0828 , G09G2300/0842 , G09G2330/021
Abstract: 一种液晶显示装置,配置成矩阵状的各个像素20分割为多个副像素。由于对应于副像素的各行以及各列配置水平扫描线60以及垂直扫描线70,因此能够独立地进行各个副像素的导通/断开控制。各个像素20包括设置在副像素之间的副像素连接电路25。副像素连接电路25与垂直扫描线70的激活相同步,响应从数据线65输入的副像素连接信号,把对应的副像素的像素电极之间进行连接。
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公开(公告)号:CN1304547A
公开(公告)日:2001-07-18
申请号:CN00800777.2
申请日:2000-01-14
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法,包括:在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序;在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序;以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序,脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此,采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。
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