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公开(公告)号：CN102502575A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110326185.1
申请日：2011-10-24
Applicant: 上海理工大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明涉及一种用发泡法制备炭泡沫的方法，首先将发泡剂与去离子水在室温下球磨搅拌至完全溶解；接着按比例加入具有自烧结能力的炭粉末，在无外加压力下搅拌起泡，得到稳定的湿态炭泡沫；然后在烘箱中脱除水分得到坯体炭泡沫；再升温至200～300℃，恒温进行氧化处理；升温到800～1500℃，进行炭化处理得到炭泡沫；最后将炭泡沫在氩气保护下升温到2300～3000℃，进行石墨化后，得到高度石墨化的炭泡沫材料。本发明应用对环境友好的发泡剂，并省去制备炭泡沫工艺中的加热加压工艺，不仅节约能耗与成本，而且产品的孔隙率、孔径调节可控，经过干燥脱模的坯体炭泡沫在氧化、碳化和石墨化过程中不会产生变形，使炭泡沫密度均匀。
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公开(公告)号：CN116536721A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202211692260.0
申请日：2022-12-28
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明涉及砖‑泥结构复合材料技术领域，尤其是涉及高导热性能铜‑氧化石墨烯砖‑泥结构复合材料的制备。本发明旨在解决石墨烯在铜基体中的不均匀分散和石墨烯/铜界面结合力较差的问题，通过砖‑泥结构的复合构型有效地增加了铜基体中石墨烯的体积分数，从而有效地改善了复合材料的热导率，降低了铜基体的热膨胀系数；通过优化电泳沉积工艺参数获得薄且疏松的氧化石墨烯中间层，并在后续的电沉积过程中氧化石墨烯得到了较好的还原，铜晶粒致密地覆盖住疏松的氧化石墨烯层，形成连续的空间网状结构，从而增强铜与氧化石墨烯之间的界面结合力。
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公开(公告)号：CN111690963B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202010586149.8
申请日：2020-06-24
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明涉及一种制备高导热性能的铜/石墨/铜叠层复合材料的方法，其包括以下步骤：(1)取石墨薄膜，在其两侧表面均匀沉积一层金属镍作为过渡层；(2)再在沉积有过渡层的石墨薄膜的两侧表面电镀金属铜，即完成。与现有技术相比，本发明引入金属镍做过渡层，在制备过程中，金属镍增强了铜和石墨界面的扩散。铜和石墨经过渡层相互扩散，形成清晰的扩散界面，从而大大增强了铜和石墨的界面结合力，进而提高了铜/石墨/铜复合材料的导热性能。
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公开(公告)号：CN106566942B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610924959.3
申请日：2016-10-24
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明一种石墨烯增强铝基复合材料的制备方法，包括一个制备氧化石墨烯的步骤；一个对铝粉进行表面改性的步骤，制备出片状的铝粉；一个制备石墨烯/氢氧化铝/铝多层包覆结构粉体的步骤；将石墨烯和铝粉混合后加入到酒精溶液中，然后进行超声处理0.1~1 h，温度在30~50℃，制备出石墨烯/氢氧化铝/铝多层包覆结构粉体；将制备好的石墨烯/氢氧化铝/铝多层包覆结构粉体放入一个热压烧结模具中，加载100~200MPa的压强，氩气或者氮气保护，热压烧结获得高性能石墨烯增强铝基复合材料。本发明有效的避免了石墨烯的团聚以及石墨烯与铝发生的界面反应，通过本发明制备的石墨烯增强铝基复合材料，显微硬度提高了30%以上。
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公开(公告)号：CN104616911A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510053195.0
申请日：2015-02-02
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 一种垂直碳纳米管阵列/金属氧化物复合材料的制备方法，将金属有机化合物前驱体、助溶剂与碳纳米管阵列样品装入反应器，密封后通入超临界二氧化碳，并加热到预定温度进行浸渍处理；然后将样品置于氧化性气氛中进行低温热解，将金属有机化合物前驱体转化为金属氧化物，从而获得均匀负载有金属氧化物的碳纳米管阵列三维结构复合材料。本发明利用超临界二氧化碳的物理化学性质，实现了金属氧化物在宏观厚度（0.1mm-10mm）VACNTs中的均匀复合；避免了液体表面张力对VACNTs结构的破坏，VACNTs的定向排列特征可以完美地保留；制备方法环保、操作简便，且有利于规模化制备。该复合材料在电化学储能、催化等领域有巨大应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103482607A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310461778.8
申请日：2013-10-08
Applicant: 上海理工大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明公开一种半导体型碳纳米管的富集方法。即首先将固体氧化性化合物溶解在液体试剂中得固体氧化性化合物溶液；然后将需要纯化的单壁碳纳米管均匀分散到上述所得的固体氧化性化合物溶液中，得到浓度为0.1-0.5mg/ml碳纳米管分散液；再将所得的碳纳米管分散液置于微波反应器中进行反应，控制其反应温度40-150℃，时间25-120min，得到的反应液依次经过滤、洗涤、干燥后，于真空或者惰性气氛中进行退火后，即得半导体型碳纳米管。本发明的半导体型碳纳米管的富集方法使分离后的碳纳米管保持结构与性能稳定，有利于实现对碳纳米管分离过程的精确控制，最终获得半导体型碳纳米管的含量达90-93%的产品。
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公开(公告)号：CN102515138A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110353365.9
申请日：2011-11-09
Applicant: 上海理工大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 一种高比表面积具有分级孔结构多孔炭的制备方法，采用纳米粒子为模板制备孔径集中在纳米氧化硅粒径范围的多孔炭，并将其烘干，其特点是：所述的多孔炭烘干后，将炭粉与KOH混合，控制炭粉与KOH的质量比为1∶1-1∶8，800-1000℃活化0.5-5h，HCl洗掉多余的KOH后，即可制备高比表面积具有分级孔结构的多孔炭。采用本发明方法制备出的多孔炭具有：比表面积高、产品成本低、多孔炭孔径分布可通过选择合适的纳米粒子以及控制KOH的用量控制。
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公开(公告)号：CN101948105A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010262098.X
申请日：2010-08-25
Applicant: 上海理工大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明公开了一种制备高纯度单壁碳纳米管垂直阵列的方法。具体而言，涉及一种常压下的水分辅助化学气相沉积方法，为以氧化铝负载的过渡金属Fe为催化剂，以惰性气体和氢气为载气，通过向化学气相沉积气氛中添加50-1000ppm浓度的水分以提高催化剂效率和寿命，制得垂直于基片排列的高纯度单壁碳纳米管。本发明方法可在十分钟之内生长出较高的碳纳米管阵列，并且单壁纳米管的碳纯度可高达99wt%。
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公开(公告)号：CN116282158B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310256110.3
申请日：2023-03-16
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明涉及锌离子电池技术领域，尤其是涉及一种金属离子预嵌入钒氧化物及其制备与应用。为了改善钒基材料低导电性和缓慢的离子扩散等问题，在钒氧化物中预嵌入金属离子可以扩大材料主体结构的层间距，具有增强层状结构的“支柱效应”，防止离子插入/脱出过程中的破坏性结构变化。在预嵌入一些金属离子之后增强电子导电性的同时，提高了材料的稳定性，减少钒氧化物的溶解问题，促进扩散动力学，从而显著提高材料的电化学性能。
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公开(公告)号：CN116282158A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310256110.3
申请日：2023-03-16
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明涉及锌离子电池技术领域，尤其是涉及一种金属离子预嵌入钒氧化物及其制备与应用。为了改善钒基材料低导电性和缓慢的离子扩散等问题，在钒氧化物中预嵌入金属离子可以扩大材料主体结构的层间距，具有增强层状结构的“支柱效应”，防止离子插入/脱出过程中的破坏性结构变化。在预嵌入一些金属离子之后增强电子导电性的同时，提高了材料的稳定性，减少钒氧化物的溶解问题，促进扩散动力学，从而显著提高材料的电化学性能。
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