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公开(公告)号：CN106446337A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610737112.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009 , G06F2217/82
Abstract: 本发明公开了一种无源器件噪声标准值的计算方法，涉及噪声测量技术领域。该方法包括以下步骤：建立无源器件的散射参数-噪声模型；根据所述无源器件的散射参数-噪声模型得出所述无源器件的噪声相关矩阵；所述无源器件的噪声相关矩阵中包含无源器件的环境温度；根据所述无源器件的噪声相关矩阵获得所述无源器件的噪声参数标准值；根据所述无源器件的噪声参数标准值得出所述无源器件的噪声系数标准值。上述无源器件噪声标准值的计算方法，能够提高噪声标准值的计算准确度，提升噪声测量系统计量验证水平。
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公开(公告)号：CN114114120B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202111291413.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种校准件制备的方法及校准件。该方法包括：确定传输线横截面尺寸；当所述横截面尺寸满足预设校准件频率要求时，对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；基于所述最优横截面尺寸设置多组传输线，确定所述多组传输线中特征阻抗与预设阻抗值最接近的目标传输线，并基于所述目标传输线确定对应的校准件尺寸；根据所述校准件尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载校准件的电阻进行激光修阻，对修阻后所有校准件进行定值。本发明能够提高设计成功率和效率，有效克服工艺误差带来的偏差。
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公开(公告)号：CN109710997B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201811494606.X
申请日：2018-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F30/20 , G06F119/10
Abstract: 本发明提供了一种在片噪声参数传递标准件的设计方法、系统及终端设备，包括：建立S参数与噪声参数的函数关系；按照所述函数关系，定量分析在不同的S参数条件下，噪声参数的量值及不确定度的变化规律；根据所述变化规律，将噪声参数的最佳不确定度所对应的S参数作为初步设计参数；按照所述初步设计参数，结合加工工艺和物理边界条件，确定最佳的设计参数对应的理想传递标准件。本发明基于S参数与噪声参数的函数关系，定量分析S参数变化对于噪声参数的量值及不确定度的影响，从而确定最佳的设计参数对应的理想传递标准件，提高了准确度。
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公开(公告)号：CN112098795B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010820400.2
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种两端口在片校准件模型及参数确定的方法，该方法包括：通过测量第一频段对应的单端口在片校准件模型，得到第一S参数；根据第一S参数计算得到单端口在片校准件模型对应的两端口在片校准件模型的本征电容值；测量太赫兹频段对应的两端口在片校准件模型，得到第二S参数；根据第二S参数和本征电容值，计算得到两端口在片校准件模型的寄生电容值和寄生电阻值。本发明提供的不同的两端口在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同两端口在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN111983310B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202010717444.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R23/20
Abstract: 本发明适用于微波/毫米波测试技术领域，提供了一种微波噪声接收机的噪声参数确定方法及装置，该方法包括：通过对噪声参数测量系统进行校准，并采用校准后的噪声参数测量系统进行测量得到噪声相关参数；根据噪声相关参数，建立噪声接收机的线性超定方程；求解线性超定方程得到未知列向量的值，并根据未知列向量的值计算噪声接收机的噪声参数，从而可以对噪声接收机的噪声参数进行表征。本发明通过采用高精度噪声参数测量系统测量噪声相关参数，然后设定线性超定方程并运用最小二乘法进行求解，根据得到的线性超定方程的未知列向量计算噪声接收机噪声参数，从而使得噪声参数测量精度较高，且噪声参数计算方法简单，可以提高噪声参数测量效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111025213B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201911183042.2
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于非实时在片负载牵引测量技术领域，提供了一种在片负载牵引输出功率的测量方法及终端设备，该方法包括：获取在片负载牵引系统中的各个组件的S参数和反射系数，基于信号源的不同源功率，对接入在片负载牵引系统中的直通件的输出功率进行校准，并根据S参数和反射系数得到直通件的各个功率测量端面的输出功率以及直通件的输入功率；对接入功率校准后的在片负载牵引系统中的被测件进行输出功率测量，获得测量结果，根据测量结果、S参数测量和反射系数得到功率测量模型；根据功率测量模型进行仿真得到被测件的输出功率，从而可以在非线性状态下，有效测量功率器件时系统输测量指标及性能，并且简化测量过程。
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公开(公告)号：CN114252831A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111527176.9
申请日：2021-12-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本申请适用于射频/微波/毫米波测试技术领域，提供了太赫兹在片同轴验证及优化选择系统、方法及装置，该太赫兹在片同轴验证及优化选择系统，包括：矢量网络分析仪、第一衰减器、第二衰减器、第一功率分配器和第二功率分配器；该太赫兹在片同轴验证及优化选择方法包括：通过太赫兹在片同轴验证及优化选择系统，对标准件进行同轴模拟验证，确定标准件的组合；基于16项误差模型，计算组合中标准件的测量值与真实值的偏差；根据偏差和被测件的测量值，得到被测件的真实值。本申请通过对标准件的选择，确定了合适的标准件组合，在使用标准件数最小的情况下，使用精度最高的校准标准组合，提高了校准的精确度，进一步提高了太赫兹在片测量的精准度。
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公开(公告)号：CN114252701A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111493657.2
申请日：2021-12-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R27/06
Abstract: 本发明适用于通信设备技术领域，提供了一种微波器件驻波比测量方法及测量终端，上述方法包括：应用于驻波比检测设备；上述设备包括：信号源、定向耦合器及信号检测仪；定向耦合器的输入端与信号源连接，定向耦合器的输出端用于与待测件、全匹配标准件或全反射标准件连接，定向耦合器的耦合端与信号检测仪连接；上述方法包括：分别获取定向耦合器的输出端连接全匹配标准件、全反射标准件及待测件时的电压幅值，根据上述三个电压幅值确定待测件的驻波比。本发明采用全匹配标准件和全反射标准件对检测设备进行校准，进而计算得到待测件的驻波比，无需使用网络分析仪或测量线，大大降低了测量成本。
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公开(公告)号：CN114113816A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111222601.3
申请日：2021-10-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明适用于微波技术领域，提供了一种太赫兹频段噪声参数的测量系统及测量方法，上述系统包括：信号源、混频装置、至少五个噪声源、开关装置及噪声接收机；至少五个噪声源分别通过开关装置与待测件的输入端连接；其中，每次仅有一个噪声源与待测件的输入端连通；混频装置的第一输入端与待测件的输出端连接，混频装置的第二输入端与信号源连接，混频装置的输出端与噪声接收机连接；至少五个噪声源用于通过开关装置为待测件提供至少五个不同的源阻抗状态。本发明提供了一种太赫兹频段噪声测量系统，通过至少五个噪声源提供五种不同的源阻抗状态，修正待测件源阻抗失配引入的系统误差，提高了太赫兹频段噪声参数测量的准确度。
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公开(公告)号：CN112098792A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010819047.6
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种两端口在片校准件模型和参数确定的方法，该方法包括：通过测量第一频段对应的单端口在片校准件模型，得到第一S参数；根据第一S参数计算得到单端口在片校准件模型对应的两端口在片校准件模型的本征电容值；测量太赫兹频段对应的两端口在片校准件模型，得到第二S参数；根据第二S参数和本征电容值，计算得到两端口在片校准件模型的寄生电容值和寄生电阻值。本发明提供的不同的两端口在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同两端口在片校准件模型中参数的计算方法。
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