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公开(公告)号：CN103003925B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180034216.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C07C21/18 , C09K13/08
CPC classification number: C09K13/00 , C09K13/08 , H01L21/31116
Abstract: 本发明的干蚀刻剂包含(A)1,3,3,3-四氟丙烯、(B)选自由H2、O2、CO、O3、CO2、COCl2、CF3OF、COF2、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HI、HBr、HCl、NO、NH3以及YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≦n≦7)组成的组中的至少1种添加气体和(C)非活性气体。该干蚀刻剂对地球环境的影响小，可以飞跃性地拓宽工艺窗口，还可应对要求侧蚀刻率小、高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。
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公开(公告)号：CN103782369A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280043758.2
申请日：2012-08-08
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/306 , H01L21/32137 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其在形成于基板上的、具有硅层和绝缘层层叠而成的层状结构的层叠膜中，对于出现于在与基板面垂直的方向上形成的孔或槽的内侧面的硅层，使用蚀刻气体进行蚀刻时，作为蚀刻气体，使用含有选自ClF3、BrF5、BrF3、IF7、IF5中的至少一种气体和F2的气体。由此，能够抑制硅层的干蚀刻深度的不均匀化。
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公开(公告)号：CN102143793B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN200980134404.7
申请日：2009-11-09
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: B01D53/68 , B01D53/1406 , B01D53/75 , B01D53/76 , B01D2251/10 , B01D2251/108 , B01D2257/2027 , B01D2257/204
Abstract: 本发明公开了一种除害方法，其特征在于，其是通过湿式涤气器对至少含有三氟化氯和氟气的混合气体进行除害处理的方法，在通过湿式涤气器进行除害处理之前的阶段中，向所述混合气体中添加卤素气体X2(X＝Cl、Br或I。)，使所述混合气体中的氟气与卤素气体X2(X＝Cl，Br或I。)反应，从而减少所述混合气体中的氟气，将在湿式涤气器中生成的过氯酰氟(ClO3F)的生成防止于未然。
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公开(公告)号：CN102741987A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180008023.1
申请日：2011-01-25
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C07C21/22 , C09K13/00
CPC classification number: H01L21/31055 , C09K13/00 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32136
Abstract: 本发明的干蚀刻剂的特征在于，其包含由化学式CF3C≡CX（其中，X表示H、F、Cl、Br、I、CH3、CFH2或CF2H。）表示的氟化丙炔和下述中的任一者：（B）选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2以及COF2组成的组中的至少一种气体，（C）选自由F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn（式中，Y表示Cl、Br或I。n表示整数，1≦n≦5。）组成的组中的至少一种气体，以及（D）选自由CF4、CHF3、C2F6、C2F5H、C2F4H2、C3F8、C3F4H2、C3ClF3H以及C4F8组成的组中的至少一种气体，所述干蚀刻剂发挥对环境的负担小这一效果，且工艺窗口广，还可应对要求高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101896423B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880120633.9
申请日：2008-12-19
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C01B21/083 , C01B7/24
CPC classification number: C01B7/24 , C01B21/0832 , C01B21/0835
Abstract: 一种氟化气体化合物制造装置，利用下述区域形成循环系统，所述区域为：使含有前述原料液体的混合液体与原料气体反应的反应区域；只有前述混合液体流动的流动区域；使反应后的前述混合液体从前述反应区域的上部向前述流动区域的上部流动的上部移动区域；使前述混合液体从前述流动区域的下部向前述反应区域的下部移动的下部移动区域，通过(A)将前述原料气体导入前述反应区域的下部并(B)将作为前述反应区域反应生成物的第一氟化气体化合物及使该第一氟化气体化合物进一步氟化获得的第二氟化气体化合物中选择出来的至少一种氟化气体化合物导入，使前述混合液体循环。
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公开(公告)号：CN102648171A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201080054665.0
申请日：2010-11-19
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C07C19/08 , H01L21/027 , H01L21/3065 , C07C53/40
CPC classification number: C09K13/00 , C07C53/48 , C23F1/12 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明公开一种含有CHF2COF而成的蚀刻气体。该蚀刻气体可以含有选自O2、O3、CO、CO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、XFn(式中，X表示Cl、I或Br、n为1≤n≤7的整数)、CH4、CH3F、CH2F2、CHF3、N2、He、Ar、Ne、Kr等、或选自CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HI、HBr、HCl、CO、NO、NH3、H2等、或选自CH4、CH3F、CH2F2、CHF3中的至少1种气体作为添加物。该蚀刻气体不仅对抗蚀剂的选择比、加工形状等蚀刻性能优异，且容易获得，实质上不副产对环境有负担的CF4。
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公开(公告)号：CN102605344A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210015269.8
申请日：2012-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 中央硝子株式会社
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供一种能够比以往高效地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。该基板处理装置的干式清洁方法通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜，即，氧化金属膜而形成金属氧化物的工序、使金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使络合物升华的工序，边将处理腔室内加热，边向处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为金属氧化物的产生速度不超过络合物的产生速度的范围。
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公开(公告)号：CN102369314A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014703.X
申请日：2010-03-04
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置，其通过电解熔融盐中的氟化氢从而生成氟气，其包括：电解槽，其存储有熔融盐，在熔融盐液面上分离而区划有第1气室和第2气室，该第1气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气作为主成分的主生成气体，该第2气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阴极处生成的以氢气作为主成分的副生成气体；原料供给通路，其与电解槽相连接且用于向熔融盐引导氟化氢；载气供给通路，其与原料供给通路相连接且用于将载气引导到原料供给通路，该载气用于将氟化氢引导到熔融盐中，作为载气，使用在电解槽的阳极处生成的氟气或者在阴极处生成的氢气。
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