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公开(公告)号：CN103210127B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180054125.7
申请日：2011-11-04
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/10 , C30B15/30 , C30B15/36 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种n型SiC单晶的制造方法，其能够抑制所制造的多个n型SiC单晶锭间的氮浓度的偏差。本实施方式的n型SiC单晶的制造方法包括：准备具备腔室(1)的制造装置(100)的工序，所述腔室(1)具有配置坩埚(7)的区域；将配置坩埚(7)的区域加热，并且将腔室(1)内的气体真空排气的工序；在真空排气后，将含有稀有气体和氮气的混合气体填充到腔室(1)内的工序；利用加热使配置于区域的坩埚(7)中容纳的原料熔融，生成含有硅和碳的SiC熔液(8)的工序；以及，在混合气体气氛下，将SiC晶种浸渍于SiC熔液，在SiC晶种上培养n型SiC单晶的工序。
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公开(公告)号：CN104662211A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380046191.9
申请日：2013-08-30
CPC classification number: C30B19/10 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 制造装置(10)用于利用溶液生长法制造单晶。制造装置(10)包括晶种轴(28)、坩埚(14)、以及驱动源(26)。晶种轴具有安装有晶种(32)的下端面(28S)。坩埚(14)容纳成为单晶的原料的溶液(15)。驱动源(26)使坩埚(14)旋转，并且使坩埚(14)的转速变化。坩埚(14)的内周面含有横切形状为非圆形的流动控制面(382)。该单晶的制造装置能够强烈地搅拌坩埚所容纳的溶液。
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公开(公告)号：CN104651938A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410671057.4
申请日：2014-11-21
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种SiC单晶的制造方法，即使在籽晶接触后改变Si-C溶液的温度，也能够抑制多晶的产生。一种SiC单晶的制造方法，其使被晶种保持轴(12)保持的SiC晶种基板(14)与具有温度从内部向表面降低的温度梯度的Si-C溶液(24)接触，使SiC单晶成长，其具备：(A)使Si-C溶液(24)为第一温度的工序；(B)使被晶种保持轴(12)保持的晶种基板(14)与Si-C溶液(24)接触的工序；(C)在使晶种基板(14)与Si-C溶液(24)接触后，使Si-C溶液(24)为第二温度的工序；以及(D)根据从第一温度至第二温度时的Si-C溶液(24)的液面高度的变化，使被晶种保持轴(12)保持的晶种基板(14)在上下方向上移动的工序。
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公开(公告)号：CN104487619A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380035149.7
申请日：2013-07-15
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C30B15/32 , C30B19/04 , C30B19/067 , C30B29/36 , Y10T117/1032
Abstract: 用于溶液生长法的制造装置。该制造装置（10）包括籽晶架（28）和坩埚（14）。籽晶架（28）具有下端表面，该下端表面上附着有SiC籽晶（32）。坩埚（14）容纳有SiC溶液（15）。坩埚（14）包括圆柱形部分（34）、底部（36）和内盖（38）。底部（36）位于圆柱形部分（34）的下端。内盖（38）设置在圆柱形部分（34）中。内盖（38）具有通孔（40），当SiC溶液容纳在坩埚（14）中时，所述内盖（38）位于所述SiC溶液（15）的液面下方。
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公开(公告)号：CN103620094A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280027428.4
申请日：2012-06-15
CPC classification number: C30B35/00 , C30B9/10 , C30B11/003 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B29/36 , Y10T117/1068 , Y10T117/1092
Abstract: 本发明的目的在于提供能够对安装于籽晶轴的晶种高效地进行冷却的SiC单晶体的制造装置。该制造装置具备：坩埚（14），其用于容纳Si－C溶液（16）；以及籽晶轴（30），具有供SiC晶种（36）安装的下端面（34）。籽晶轴包括：内管（48），其在坩埚的高度方向上延伸，在自身内侧形成第1流路（60）；外管（50），其容纳内管，在该外管（50）与内管之间形成第2流路（SP1）；以及底部，其覆盖外管的下端开口且具有下端面。第1流路以及第2流路中的一者是供冷却气体向下方流动的导入流路，另一者是供冷却气体向上方流动的排出流路。从籽晶轴的轴向观察，SiC晶种的60%以上的区域与形成导入流路的管的内侧的区域重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107532328B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201680027058.2
申请日：2016-03-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法容易使所希望的多晶型的SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN105593414B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201480052509.9
申请日：2014-08-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/062 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02598 , H01L21/02609 , H01L21/02628 , H01L29/045 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供了一种具有大的生长厚度且不包含夹杂物的SiC单晶。所述SiC单晶是通过溶液法生长的SiC单晶，其中，SiC单晶的{0001}生长面中的{1‑100}面的合计长度M与SiC单晶的生长面的外周长度P满足M/P≤0.70的关系，并且SiC单晶的生长方向的长度为2mm以上。
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公开(公告)号：CN107532328A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680027058.2
申请日：2016-03-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/04 , C30B19/08 , C30B23/025 , C30B25/20 , C30B29/36 , C30B29/68
Abstract: 本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法容易使所希望的多晶型的SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN104662211B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380046191.9
申请日：2013-08-30
CPC classification number: C30B19/10 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 制造装置(10)用于利用溶液生长法制造单晶。制造装置(10)包括晶种轴(28)、坩埚(14)、以及驱动源(26)。晶种轴具有安装有晶种(32)的下端面(28S)。坩埚(14)容纳成为单晶的原料的溶液(15)。驱动源(26)使坩埚(14)旋转，并且使坩埚(14)的转速变化。坩埚(14)的内周面含有横切形状为非圆形的流动控制面(382)。该单晶的制造装置能够强烈地搅拌坩埚所容纳的溶液。
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公开(公告)号：CN103930601B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201180074036.9
申请日：2011-12-09
Abstract: 提供一种SiC单晶的制造方法，该制造方法在采用熔液法使SiC单晶生长时，能够维持均匀的单晶生长能持续的平坦生长，并且实现为实现高的生产率所需的生长速度的提高。所述SiC单晶的制造方法，是在坩埚内从C的Si熔液使SiC单晶生长的方法，其特征在于，使高过饱和度生长期和低过饱和度生长期交替反复，所述高过饱和度生长期是将正在生长的SiC单晶与Si熔液的生长界面处的Si熔液中的C的过饱和度维持得比能够维持平坦生长的上限的临界值高来进行生长的生长期；所述低过饱和度生长期是将所述过饱和度维持得比所述临界值低来进行生长的生长期。
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