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公开(公告)号：CN117410311A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310856180.2
申请日：2023-07-13
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 半导体装置具有包括元件区域与周边区域的半导体基板。半导体基板具有：n型的高浓度层，从元件区域跨越所述周边区域而分布，与下部电极相接，具有薄板部与厚板部；n型的漂移层，与厚板部的上表面相接；以及n型的低浓度层，从元件区域跨越周边区域而分布，与薄板部的上表面相接，且与台阶部的侧面相接。在使下部电极的电位上升时，由台阶部的侧面、使台阶部的侧面向周边区域一侧偏移了台阶部的高度的虚拟线、薄板部的上表面以及使薄板部的上表面向上侧偏移了高度的虚拟线构成的四边形的区域中的一半以上的区域不会被耗尽。
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公开(公告)号：CN116364764A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211686457.3
申请日：2022-12-26
IPC: H01L29/24 , H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件包括具有矩形形状的半导体衬底，所述矩形形状包括在第一方向上延伸的边和在第二方向上延伸的另一边。所述半导体衬底在第一方向上的热导率不同于所述半导体衬底在第二方向上的热导率。所述半导体衬底配置为满足L1/L2＝(K1/K2)0.5的数学关系且容差范围为‑5％至+5％，其中L1表示所述半导体衬底在第一方向上的长度，L2表示半导体衬底在第二方向上的长度，K1表示半导体衬底在第一方向上的热导率，并且K2表示半导体衬底在第二方向上的热导率。
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公开(公告)号：CN114695076A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111576467.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种用于生产包括掺杂有第一金属的第二金属的氧化物膜(6)的产品(2)的方法包括由其中溶解有第一金属和第二金属的原料溶液(23)产生雾(23m)；和将雾供应到基材(4)的表面，以在基材的表面上形成氧化物膜。原料溶液的pH小于7。
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公开(公告)号：CN114592182A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111458265.2
申请日：2021-12-02
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C23C16/448 , C23C16/02 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 晶圆处理设备配置为通过将雾供给到晶圆表面来处理晶圆。晶圆处理设备包括其内布置晶圆的炉、配置为向炉中供给气体的气体供给装置、向炉中供给雾的雾供给装置、以及控制器。控制器配置为通过控制气体供给装置和雾供给装置以分别将气体和雾供给到炉中来执行处理步骤。控制器还配置为在处理步骤结束时控制气体供给装置以停止将雾供给到炉中同时控制气体供给装置以保持将气体供给到炉中。
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公开(公告)号：CN110050349B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201780075779.5
申请日：2017-12-12
Abstract: 在保护环部中，通过在n‑型漂移层(2)的表层部形成电场缓和用的电场缓和层(40)，从而抑制电场进入p型保护环(21)之间。由此，电场集中得到缓和，由电场集中引起的层间绝缘膜(10)的击穿得到抑制，能够抑制耐压下降。因此，能够制成可得到所期望的耐压的SiC半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112048765A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010501607.3
申请日：2020-06-04
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C30B29/16 , C30B25/02 , C30B33/02 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/56 , H01L21/368 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置。能够将高结晶度的氧化膜在短时间内成膜。该氧化膜的成膜方法具有：在将基板加热到第一温度的同时，将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾供给到所述基板的表面，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及在使所述氧化膜外延生长之后，在将所述氧化膜加热到比所述第一温度高的第二温度的同时，使所述氧化膜暴露于含有氧原子的流体中的工序。
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公开(公告)号：CN112048759A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010502177.7
申请日：2020-06-04
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
Abstract: 本发明提供一种氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置。能够形成氧空位少的氧化膜。该成膜方法作为氧化膜的成膜方法，具有：将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾与氧浓度为21vol％以下的载气一起供给到基板的表面，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及在使所述氧化膜外延生长之后，使所述氧化膜暴露于含有氧原子的流体的工序。
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公开(公告)号：CN111326417A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911250102.8
申请日：2019-12-09
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工艺纤维大学
IPC: H01L21/368
Abstract: 本发明涉及氧化镓膜的成膜方法。提出一种成膜方法，其中能够形成表面光滑的氧化镓膜。一种氧化镓膜的成膜方法，其具有在加热基体的同时，向所述基体的表面供给包含镓原子和氯原子的原料溶液的雾，由此在所述基体的所述表面上形成所述氧化镓膜的工序。所述原料溶液中的氯的摩尔浓度为所述原料溶液中的镓的摩尔浓度的3.0倍以上且4.5倍以下。
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公开(公告)号：CN111254489A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911083382.8
申请日：2019-11-07
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
Abstract: 本发明在抑制加热炉内的喷雾的流速变化的同时改变加热炉内的喷雾的浓度。本发明提供一种成膜装置，其向基体的表面供给溶液的喷雾而使膜在所述基体的所述表面外延生长。该成膜装置具有：加热炉，其收容并加热所述基体；喷雾产生槽，其内部产生所述溶液的所述喷雾；喷雾供给路径，其连接所述喷雾产生槽和所述加热炉；载气供给路径，其向所述喷雾产生槽供给载气；稀释气供给路径，其向所述喷雾供给路径供给稀释气；以及气体流量控制装置，其控制所述载气的流量和所述稀释气的流量。所述气体流量控制装置在使所述载气的流量增加时，使所述稀释气的流量降低。
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公开(公告)号：CN118610080A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410240748.2
申请日：2024-03-04
IPC: H01L21/263 , H01L21/02
Abstract: 半导体装置的制造方法进行以下工序：准备由β－氧化镓构成的半导体衬底；将半导体衬底(30)配置在配置于腔室(10)内的基座(20)上；将腔室(10)密闭；通过调整基座(20)的温度，进行通过传热而在使半导体衬底升温后使半导体衬底(30)降温的加热处理；将腔室(10)的密闭解除而设为能够从腔室(10)将半导体衬底(30)取出的状态。在准备半导体衬底(30)的工序中，准备一面(30a)或另一面(30b)相对于(100)面或(001)面处于45～90°的范围内的衬底，在加热处理中，通过以基座(20)的升温速率为100℃/min以下的条件使基座(20)升温，使半导体衬底(30)升温到300℃以上。能够使得使用β－氧化镓作为半导体衬底、即使进行了加热处理也难以断裂。
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