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公开(公告)号：CN114164481A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111342793.1
申请日：2021-11-12
Applicant: 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法，所述发孔腐蚀方法为将铝箔置于腐蚀液中依次进行第一次大电流腐蚀和第一次小电流腐蚀；所述第一次大电流腐蚀电流密度为0.4～0.8A/cm2；所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.05～0.25A/cm2；所述发孔腐蚀总时间为95～170s，其中第一次小电流腐蚀时间为15～50s；所述腐蚀液中盐酸浓度为2～5wt.％，硫酸浓度为25～35wt.％，铝离子浓度为0.3～0.6mol/L，所述腐蚀液温度为65～75℃。本发明在大电流腐蚀后或大电流腐蚀进行时增加小电流腐蚀，可在基本不新增点蚀孔的情况下小幅扩大和深入发孔孔洞，有利于后续扩孔腐蚀孔洞深入和扩孔的一致性，减少无效小孔对中高压腐蚀箔静电容量的不利影响，提高了制备得到的腐蚀箔的静电容量。
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公开(公告)号：CN113883882A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110971019.0
申请日：2021-08-23
Applicant: 茌平阳之光亲水箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
Abstract: 本发明属于工业生产的余热回收技术领域，更具体地，涉及一种亲水箔加工的节能降耗系统及其方法，包括余热产生装置、余热利用装置和闭环循环的余热回路，所述的余热产生装置设有第一换热装置，所述的余热利用装置设有第二换热装置，所述的第一换热装置与第二换热装置通过余热回路连通，本发明通过构成水循环回路，将余热生产装置的热量再次利用到余热利用装置中，有效减少了亲水箔生产过程中的电能消耗。
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公开(公告)号：CN113909191B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202111122970.5
申请日：2021-09-24
Applicant: 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
Abstract: 本发明涉及化成箔加工技术领域，涉及一种自动清洗方法，其步骤包括：S1加电辊转动运行；S2检测器持续检测加电辊与腐蚀箔之间的电压，当电压超过预警电压时执行步骤S3；控制装置控制调节机构带动擦洗辊运动接触到所述的加电辊；S4.擦洗辊进行擦洗工作；S5.检测器重新检测加电辊与腐蚀箔之间的电压，若电压值低于预警电压则执行步骤S6；S6.控制装置控制所述调节机构回到初始位置，擦洗辊脱离接触加电辊，本次清洗结束，回到步骤S1；还涉及一种自动清洗装置，其中加电辊的自动清洗装置包括检测器，控制装置，和擦洗辊；所述的擦洗辊安装在工作台上，用于清洗加电辊。
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公开(公告)号：CN115745021B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211428207.X
申请日：2022-11-15
Applicant: 乳源东阳光新能源材料有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高镍三元正极材料中残锂的去除方法。该去除方法包括如下步骤：将高镍三元正极材料与(NH4)nMF6混合，在温度为300～500℃以及压强为‑0.07～‑0.09MPa的条件下反应4～8小时，即完成高镍三元正极材料中残锂的去除；所述高镍三元正极材料与(NH4)nMF6的质量比为100：(0.1～0.5)；其中，M为Ti、Mg、Sb、Nb、V或Y，n为3或4。该去除方法不需消耗水资源，降低了生产制造的成本，其不仅可以有效降低高镍三元正极材料的残锂含量，而且还能提升高镍三元正极材料的电性能。
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公开(公告)号：CN115818734B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211457633.6
申请日：2022-11-21
Applicant: 乳源东阳光新能源材料有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
IPC: H01M4/02 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M4/04
Abstract: 本发明提供一种碳包覆三元正极材料及其制备方法和应用，所述碳包覆三元正极材料的制备方法，包括以下步骤：S1.在三元正极材料中加入有机溶剂搅拌均匀，然后加入纳米碳附着剂搅拌均匀，再加入离子催化剂搅拌均匀后将三元正极材料滤干，真空静置10～15h；S2.将S1中真空静置的三元正极材料置于携带有纳米碳的有机蒸汽氛围中包覆10～60min，包覆完成后真空干燥，得到所述碳包覆三元正极材料。所述三元正极材料的内部和表面均可以形成均匀碳包覆层，具有更好的电子导电性以及离子导电性，能够增强三元材料与电解液接触界面润湿性，使得倍率性增加，三元正极材料内部空隙的形成的碳层包覆增强正极材料循环过程中的结构稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114235972B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202111264637.8
申请日：2021-10-28
Applicant: 乳源东阳光药业有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
Abstract: 本发明提供了一种测定利格列汀杂质RBP‑1含量的方法。该方法通过高效液相色谱法对利格列汀原料药进行分析，色谱条件为：检测波长：190～200nm；流速：0.8～1.2mL/min；进样体积：3～7μL；柱温：25～35℃；以乙腈‑0.1％磷酸水溶液为流动相进行梯度洗脱；流动相乙腈在梯度洗脱过程中体积分数变化为：0～5min，10％～30％；5.1～13min，80％～95％；13.1～20min，10％～30％；运行时间：10～30min；从而获得色谱图，可简单、快速、准确地测定利格列汀杂质RBP‑1的含量，实现对利格列汀原料药质量的有效检测和控制。
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公开(公告)号：CN114113362B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202111217853.7
申请日：2021-10-19
Applicant: 乳源东阳光药业有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
Abstract: 本发明属于药物分析技术领域，具体涉及一种测定利格列汀原料药中利格列汀杂质110含量的方法。该方法建立了针对利格列汀原料药中杂质110的高效液相色谱分析体系，实现对利格列汀原料药中间体杂质110的含量测定，从而有效控制利格列汀原料药的质量。该方法简单、快速、准确、专属性好，在利格列汀原料药质量检测和控制方面具有很好的应用价值。
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公开(公告)号：CN114059145B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111408713.8
申请日：2021-11-24
Applicant: 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用。本发明的制备方法包括预处理、近场直写、布孔腐蚀、中处理、深度生长腐蚀、后处理和热处理步骤，所述近场直写步骤的具体操作为：将熔融态的非水溶性聚合物在铝箔两面进行对称直写处理，得到若干条平行或交叉线条组成的平面图案；所述图案线条之间距离为20～200μm，图案线条宽度为0.5～1000μm。本发明所制备的低压腐蚀箔具有连续贯穿结构的夹心铝层，使其具有较高比容的同时显著提升了折弯性能，折弯强度达到85～99回，同时改善了正负极引线与低压腐蚀箔的有效接触面积，进而减小接触电阻，减少发热和击穿等现象的发生。
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公开(公告)号：CN114164481B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111342793.1
申请日：2021-11-12
Applicant: 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法，所述发孔腐蚀方法为将铝箔置于腐蚀液中依次进行第一次大电流腐蚀和第一次小电流腐蚀；所述第一次大电流腐蚀电流密度为0.4～0.8A/cm2；所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.05～0.25A/cm2；所述发孔腐蚀总时间为95～170s，其中第一次小电流腐蚀时间为15～50s；所述腐蚀液中盐酸浓度为2～5wt.％，硫酸浓度为25～35wt.％，铝离子浓度为0.3～0.6mol/L，所述腐蚀液温度为65～75℃。本发明在大电流腐蚀后或大电流腐蚀进行时增加小电流腐蚀，可在基本不新增点蚀孔的情况下小幅扩大和深入发孔孔洞，有利于后续扩孔腐蚀孔洞深入和扩孔的一致性，减少无效小孔对中高压腐蚀箔静电容量的不利影响，提高了制备得到的腐蚀箔的静电容量。
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公开(公告)号：CN115745021A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211428207.X
申请日：2022-11-15
Applicant: 乳源东阳光新能源材料有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
IPC: C01G53/00
Abstract: 本发明涉及一种高镍三元正极材料中残锂的去除方法。该去除方法包括如下步骤：将高镍三元正极材料与(NH 4)nMF 6混合，在温度为300～500℃以及压强为‑0.07～‑0.09MPa的条件下反应4～8小时，即完成高镍三元正极材料中残锂的去除；所述高镍三元正极材料与(NH 4)nMF 6的质量比为100：(0.1～0.5)；其中，M为Ti、Mg、Sb、Nb、V或Y，n为3或4。该去除方法不需消耗水资源，降低了生产制造的成本，其不仅可以有效降低高镍三元正极材料的残锂含量，而且还能提升高镍三元正极材料的电性能。
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