公开(公告)号：CN110214363B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201780084639.4

申请日：2017-12-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊东洋典 ,  和田圭司 ,  堀勉

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 假设满足式1和式2的关系的缺陷是第一缺陷，其中偏离角为θ°，碳化硅层的厚度为Wμm，在与通过将偏离方向投影到第二主面上而获得的方向平行的方向上所述缺陷的宽度为Lμm，并且在垂直于所述偏离方向并且平行于所述第二主面的方向上所述缺陷的宽度为Yμm。假设当在垂直于所述第二主面的方向上观察时具有细长形状并且满足式3和式4的关系的缺陷是第二缺陷，其中当在垂直于所述第二主面的方向上观察时，在所述缺陷的纵向上所述缺陷的宽度是Aμm并且在所述缺陷的横向上所述缺陷的宽度是Bμm。通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.5。

公开(公告)号：CN112575377A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011271507.2

申请日：2014-10-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  佐佐木信 ,  本家翼 ,  川濑智博

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02 ,  B24B27/06 ,  B28D5/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及碳化硅锭和碳化硅衬底的制造方法。本发明提供了一种碳化硅锭(1)，其包括端表面(1a)和与端表面(1a)相反端表面(1b)。在碳化硅锭(1)中，端表面(1a)和端表面(1b)在生长方向上彼此面对，并且所述生长方向上的氮浓度梯度不小于1×1016cm‑4且不大于1×1018cm‑4。

公开(公告)号：CN112470255A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201980048360.X

申请日：2019-06-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 神原健司 ,  伊东洋典 ,  堀勉

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 在利用面积为Acm2的多个第一正方形区域划分中心区域的情况下，多个第一正方形区域具有存在宏观缺陷的第一区域和不存在宏观缺陷的第二区域。在利用面积为Bcm2的多个第二正方形区域划分中心区域的情况下，多个第二正方形区域具有存在宏观缺陷的第三区域和不存在宏观缺陷的第四区域。在将第二区域的数量除以第一区域的数量与第二区域的数量的合计数量所得的值设为第一无缺陷区域率，将第四区域的数量除以第三区域的数量与第四区域的数量的合计数量所得的值设为第二无缺陷区域率，并将宏观缺陷的数量除以中心区域的面积所得的值设为Xcm‑2的情况下，A小于B，B为4以下，X大于0且小于4，并满足数学式1。

公开(公告)号：CN112074928A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201980030451.0

申请日：2019-03-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫濑贵也 ,  堀勉

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  C30B33/08 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 一种碳化硅外延衬底包括碳化硅衬底、碳化硅外延膜和复合缺陷。复合缺陷包括扩展缺陷和基面位错。扩展缺陷包括从位于碳化硅衬底与碳化硅外延膜之间的边界处的起点起在 方向上延伸的第一区域和沿着 方向延伸的第二区域。第一区域在 方向上具有从起点起朝向第二区域增加的宽度。基面位错包括连续到起点并沿着 方向延伸的第三区域和沿着与 方向相交的方向延伸的第四区域。当主表面的面积是第一面积并且外接于复合缺陷的四边形的面积是第二面积时，通过将第二面积除以第一面积而获得的值不大于0.001。

公开(公告)号：CN111575786A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010466190.1

申请日：2014-05-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子 ,  川濑智博 ,  堀勉

IPC: C30B23/02 ,  C30B23/06 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶衬底。一种碳化硅单晶衬底，具有包含直径为100mm的圆的形状的主表面，其中，在布及所述主表面的整个面的任意的位置处通过将c轴向所述主面投影而得到的多个方向上的角度全部分布在3°以内。

公开(公告)号：CN110214363A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201780084639.4

申请日：2017-12-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊东洋典 ,  和田圭司 ,  堀勉

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 假设满足式1和式2的关系的缺陷是第一缺陷，其中偏离角为θ°，碳化硅层的厚度为Wμm，在与通过将偏离方向投影到第二主面上而获得的方向平行的方向上所述缺陷的宽度为Lμm，并且在垂直于所述偏离方向并且平行于所述第二主面的方向上所述缺陷的宽度为Yμm。假设当在垂直于所述第二主面的方向上观察时具有细长形状并且满足式3和式4的关系的缺陷是第二缺陷，其中当在垂直于所述第二主面的方向上观察时，在所述缺陷的纵向上所述缺陷的宽度是Aμm并且在所述缺陷的横向上所述缺陷的宽度是Bμm。通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.5。

公开(公告)号：CN109791879A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780061273.9

申请日：2017-06-05

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C23C16/325 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅外延衬底，所述碳化硅外延衬底包含：碳化硅单晶衬底，所述碳化硅单晶衬底具有100mm以上的直径并且包括相对于{0001}面以大于0°且不小于8°的角度倾斜的主表面；碳化硅外延层，所述碳化硅外延层形成在所述主表面上并具有20μm以上的厚度；以及基面位错，所述基面位错包含在所述碳化硅外延层中并且具有连接到包含在所述碳化硅外延层中的螺纹螺旋位错的一端和存在于所述碳化硅外延层的表面中的另一端。所述基面位错在相对于{0001}基面中的 方向具有20°以上且80°以下的倾斜度的方向上延伸。所述基面位错的密度为0.05/cm2以下。

公开(公告)号：CN108369893A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680068455.4

申请日：2016-08-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/205

Abstract: 一种碳化硅单晶衬底包括第一主表面和取向平面。取向平面在 方向上延伸。第一主表面包括从第一主表面的外周延伸至多5mm的端部区域。在垂直于第一主表面的方向上，与取向平面连续的端部区域的翘曲量不大于3μm。

公开(公告)号：CN105917034A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480073219.2

申请日：2014-11-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  上田俊策 ,  松岛彰

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00

CPC classification number: C30B23/025 ,  C30B23/06 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法能够容易地将碳化硅单晶与基座分离。所述方法包括如下步骤：将籽晶衬底和基座在其间具有应力缓冲层的情况下固定的步骤(S10)；在所述籽晶衬底上生长碳化硅单晶的步骤(S20)；在所述应力缓冲层处将所述碳化硅单晶与所述基座分离的步骤(S30)；以及将所述分离步骤(S30)后的碳化硅单晶上附着的所述应力缓冲层的残余物除去的步骤(S40)。

公开(公告)号：CN105239157A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510381268.9

申请日：2015-07-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  上田俊策 ,  松岛彰

IPC: C30B23/06

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B35/002 ,  F27B14/10 ,  F27B2014/102 ,  F27B2014/104

Abstract: 本发明涉及一种坩埚和制造单晶体的方法。所述坩埚具有底部和筒状的侧表面。坩埚包括第三区域、从第三区域延伸的第二区域和从第二区域延伸的第一区域。坩埚包括位于侧表面内侧的第一壁和第二壁。第一壁与侧表面之间形成有第一室，第二壁与侧表面之间形成有第二室。第一壁上的水平对向部分之间的距离是恒定的或随其接近底部而增加。第二壁上的水平对向部分之间的距离随着其接近底部而增加。第一壁相对于垂直于底部的方向的倾斜角(α)小于第二壁相对于垂直于底部的方向的倾斜角(β)。倾斜角(α)为30度或更小。倾斜角(β)为70度或更小。倾斜角(β)与倾斜角(α)之间的差为50度或更小。