公开(公告)号：CN105358744A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201480037439.X

申请日：2014-05-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  川濑智博 ,  佐佐木信

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B23/025 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36

Abstract: 在本发明中，制造碳化硅单晶衬底(10)的方法包括以下步骤。制备具有主表面(2a)并且由碳化硅制成的籽晶(2)，以及碳化硅原材料(3)。通过在维持在碳化硅原材料(3)中的任意两点之间的温度梯度为30℃/cm或更小的同时，升华碳化硅原材料(3)，使碳化硅单晶(1)在主表面(2a)上生长。籽晶(2)的主表面(2a)为{0001}面或相对于{0001}面具有10°或更小偏离角的面，并且主表面(2a)具有20/cm2或更大的螺旋位错密度。因此，提供能实现提高的晶体质量的碳化硅单晶衬底和其制造方法。

公开(公告)号：CN102257190B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201080003672.8

申请日：2010-04-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  增田健良

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7802 ,  B24B7/17 ,  B24B7/228 ,  B24B37/08 ,  B24B37/10 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/02 ,  H01L29/045 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8122 ,  H01L29/8128 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种衬底、具有薄膜的衬底、用上述衬底形成的半导体器件以及制造所述半导体器件的方法，其中所述衬底实现了抑制由于衬底的弯曲而造成半导体器件加工精度的劣化。在衬底(1)中，主表面(1a)的直径为2英寸或更大，主表面(1a)弯曲度值为-40μm至-5μm，并且主表面(1a)的翘曲度值为5μm至40μm。优选衬底(1)的主表面(1a)的表面粗糙程度(Ra)的值为1nm或更小，并且优选主表面(1b)的表面粗糙程度(Ra)的值为100nm或更小。

公开(公告)号：CN102597339A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201180004389.1

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B23/025 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B35/007 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明公开了一种SiC晶体(10)，其特征在于，其Fe浓度为0.1ppm以下，且其Al浓度为100ppm以下。本发明还公开了一种制造SiC晶体的方法，包括以下步骤。准备研磨用SiC粉末作为第一原料(17)。利用加热使所述第一原料(17)升华，并析出SiC晶体，从而生长第一SiC晶体(11)。粉碎所述第一SiC晶体(11)而形成第二原料(12)。通过利用加热使所述第二原料(12)升华，并析出SiC晶体，从而生长第二SiC晶体(14)。由此可获得能够抑制品质下降的SiC晶体和制造SiC晶体的方法。

公开(公告)号：CN102576659A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201180004270.4

申请日：2011-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  原田真 ,  井上博挥 ,  佐佐木信 ,  伊藤里美 ,  冲田恭子 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 第一碳化硅衬底(11)具有与支撑部(30)相连接的第一背面(B 1)、与第一背面(B 1)相反的第一正面(T 1)以及将第一背面(B 1)和第一正面(T 1)彼此连接的第一侧面(S 1)。第二碳化硅衬底(12)具有与支撑部(30)相连接的第二背面(B2)、与第二背面(B2)相反的第二正面(T2)以及将第二背面(B2)和第二正面(T2)彼此连接的第二侧面(S2)，并且在第一侧面(S 1)和第二侧面(S2)之间形成有间隙(GP)。封闭部(21)封闭间隙(GP)。由此，能够防止异物残留在复合衬底中提供的多个碳化硅衬底之间的间隙中。

公开(公告)号：CN102449733A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023785.4

申请日：2010-09-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  藤原伸介 ,  并川靖生 ,  增田健良

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/187 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 公开了一种碳化硅衬底制造方法，所述方法提供有以下步骤：准备包括碳化硅的基底衬底(10)和包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；以及在所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)之间形成作为导体的、包括碳的中间层(80)。由此将所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)彼此接合。

公开(公告)号：CN102422424A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020502.0

申请日：2010-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  原田真 ,  增田健良 ,  穗永美纱子 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  并川靖生 ,  藤原伸介

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 一种MOSFET(100)，其是半导体器件并使能减少导通电阻同时抑制由于在器件制造工艺中的热处理而导致产生层错，包括：碳化硅衬底(1)；有源层(7)，其由单晶碳化硅制成并且布置在碳化硅衬底(1)的一个主表面上；源极接触电极(92)，其布置在有源层(7)上；以及漏电极(96)，其形成在碳化硅衬底(1)的另一主表面上。碳化硅衬底(1)包括：基底层(10)，其由碳化硅制成；以及SiC层(20)，其由单晶碳化硅制成并且布置在基底层(10)上。此外，基底层(10)具有大于2×1019cm-3的杂质浓度，并且SiC层(20)具有大于5×1018cm-3并且小于2×1019cm-3的杂质浓度。

公开(公告)号：CN102388433A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080015897.5

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/047 ,  H01L29/66068

Abstract: 在提供的用于制造半导体衬底的方法中，准备具有支撑部(30)和第一和第二碳化硅衬底(11，12)的组合衬底。所述第一碳化硅衬底(11)具有第一正面和第一侧面(S1)。所述第二碳化硅衬底具有第二正面和第二侧面(S2)。所述第二侧面(S2)被设置成使得在所述第一和第二正面(F1，F2)之间具有开口的间隙被形成在所述第一和第二侧面(S1，S2)之间。经由所述开口将熔融的硅引入到所述间隙，形成硅连接部(BDp)，所述硅连接部(BDp)连接所述第一和第二侧面(S1，S2)以便封闭所述开口。通过对所述硅连接部(BDp)进行碳化，形成碳化硅连接部(BDa)。

公开(公告)号：CN102379025A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080015066.8

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  井上博挥 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供了一种制造碳化硅衬底的方法，其包括以下步骤：提供包括碳化硅的基础衬底(10)和包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；通过彼此堆叠所述基础衬底(10)和所述SiC衬底(20)，使得衬底的主表面(10A，20B)彼此接触来准备堆叠衬底；加热所述堆叠衬底以彼此接合基础衬底(10)和SiC衬底(20)，以制造接合衬底(3)；以及加热所述接合衬底(3)，使得在基础衬底(10)和SiC衬底(20)之间形成温度差，以制造接合衬底(3)，其中基础衬底(10)和SiC衬底(20)之间的接合界面(15)中形成的空洞(30)被消除到外部。

公开(公告)号：CN102334176A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201080009653.6

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  冲田恭子 ,  井上博挥 ,  藤原伸介 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/187 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅衬底(81)，其具有衬底区域(R1)和支撑部(30)。该衬底区域(R1)具有第一单晶衬底(11)。支撑部(30)连接到第一单晶(11)的第一背面(B1)。第一单晶衬底(11)的位错密度小于支撑部(30)的位错密度。衬底区域(R1)和支撑部(30)中的至少一个具有空洞。

公开(公告)号：CN106232877A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020500.4

申请日：2015-05-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B23/025 ,  C30B23/06 ,  C30B23/063 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7802

Abstract: 一种制造碳化硅晶锭的方法包括以下步骤：制备碳化硅种衬底(10a)，所述碳化硅种衬底具有第一主表面(P1)和与所述第一主表面(P1)相反地设置的第二主表面(P2)；在不高于2000℃的温度下，在所述第二主表面(P2)上形成金属碳化物膜(11)；以及在通过支承构件(51a)支承上面形成有所述金属碳化物膜(11)的所述碳化硅种衬底(10a)的同时，通过升华在所述第一主表面(P1)上生长碳化硅单晶(100)。在生长步骤中，被所述支承构件(51a)支承的所述碳化硅种衬底(10a)的表面的被支承部分(SD)处于除了其中已经形成所述金属碳化物膜(11)的区域之外的区域中。