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公开(公告)号：CN114651091B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202080078036.5
申请日：2020-11-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/304
Abstract: 将凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。第一主面的表面粗糙度为0.15nm以下。将第一正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第一波数；将第二正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第二波数；将第一正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第一半峰宽；并且将第二正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第二半峰宽，在此情况下，第一波数与第二波数之差的绝对值为0.2cm‑1以下，并且第一半峰宽与第二半峰宽之差的绝对值为0.25cm‑1以下。
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公开(公告)号：CN110660840B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201910821706.7
申请日：2015-06-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L29/16 , H01L21/02 , B24B1/00 , B24B9/00 , B24B9/06 , B24B19/22 , B24D3/28 , B24D5/02 , C30B25/20 , C30B29/36 , C30B29/64 , C30B33/00
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。一种碳化硅单晶衬底(1)，其包括第一主表面(1a)、第二主表面(1b)和圆周边缘部(3)。第二主表面(1b)与第一主表面(1a)相反。圆周边缘部(3)连接第一主表面(1a)和第二主表面(1b)。当沿着与第一主表面(1a)垂直的方向观察时，圆周边缘部(3)具有：直线形的定向平面部(OF1)，具有第一半径(R1)的第一圆弧部(A1)，和连接定向平面部(OF1)和第一圆弧部(A1)并具有小于第一半径(R1)的第二半径(R2)的第二圆弧部(A2)。提供了一种能够抑制在碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。
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公开(公告)号：CN111051581B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201880055130.1
申请日：2018-08-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅外延晶片，所述碳化硅外延晶片包含：4H多型的单晶碳化硅衬底，所述单晶碳化硅衬底具有相对于{0001}面以角度θ向 方向倾斜的主面；和形成在所述主面上的厚度为t的碳化硅外延层，其中所述单晶碳化硅衬底的直径大于或等于150mm，其中所述角度θ大于0°且小于或等于6°，其中在所述碳化硅外延层的表面中存在螺旋位错坑和距所述坑的距离为t/tanθ的对角线缺陷的一个以上的对，并且其中所述坑和所述对角线缺陷的对的密度小于或等于2对/cm2。
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公开(公告)号：CN111433394A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880078475.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明满足规定的数学表达式，其中ν0代表指示与具有4H多型并且具有零应力的碳化硅的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数，νmax代表指示与从第一主表面到第二主表面的区域中的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数的最大值，νmin代表指示与从第一主表面到第二主表面的区域中的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数的最小值，并且ν1代表指示与在第一主表面处的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110299403A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910475115.9
申请日：2015-11-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/34 , H01L29/04 , H01L29/16 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/02 , B24B37/04 , C09K3/14 , H01L29/78 , H01L29/861
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基板，其包含碳化硅，其中，当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度为20mm至150mm，所述基板的直径为150mm，且所述碳化硅具有六方晶体结构。本发明还涉及一种碳化硅基板，其包含碳化硅，其中，当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度为20mm至150mm，所述基板的直径为150mm，且所述主表面为相对于Si面具有小于8度的偏角的晶面。根据本发明，可以提供可以在其主表面上形成高品质半导体层的碳化硅基板。
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公开(公告)号：CN102686787B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201180005010.9
申请日：2011-10-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B23/06 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/7802 , C30B23/00 , C30B29/36 , G01N21/6489 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 碳化硅衬底（80）的主表面（M80）在相对于六方晶体的｛0001｝面的偏离方向上以偏离角倾斜。主表面（M80）具有下述特性：在由具有比六方碳化硅的带隙更高的能量的激发光引起的主表面的发射具有超过650nm的波长的光致发光光的区域中，下述区域的数目至多为每1cm21×104，该区域在与偏离方向垂直的方向上具有至多15μm的尺寸并且在平行于偏离方向的方向上具有不大于通过将激发光（LL）在六方碳化硅中的穿透长度除以偏离角的正切获得的值的尺寸。因此，能够减少反向漏电流。
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公开(公告)号：CN114651091A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202080078036.5
申请日：2020-11-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/304
Abstract: 将凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。第一主面的表面粗糙度为0.15nm以下。将第一正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第一波数；将第二正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第二波数；将第一正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第一半峰宽；并且将第二正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第二半峰宽，在此情况下，第一波数与第二波数之差的绝对值为0.2cm‑1以下，并且第一半峰宽与第二半峰宽之差的绝对值为0.25cm‑1以下。
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公开(公告)号：CN111433394B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201880078475.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明满足规定的数学表达式，其中ν0代表指示与具有4H多型并且具有零应力的碳化硅的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数，νmax代表指示与从第一主表面到第二主表面的区域中的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数的最大值，νmin代表指示与从第一主表面到第二主表面的区域中的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数的最小值，并且ν1代表指示与在第一主表面处的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数。
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公开(公告)号：CN110299403B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910475115.9
申请日：2015-11-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/34 , H01L29/04 , H01L29/16 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/02 , B24B37/04 , C09K3/14 , H01L29/78 , H01L29/861
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基板，其包含碳化硅，其中，当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度为20mm至150mm，所述基板的直径为150mm，且所述碳化硅具有六方晶体结构。本发明还涉及一种碳化硅基板，其包含碳化硅，其中，当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度为20mm至150mm，所述基板的直径为150mm，且所述主表面为相对于Si面具有小于8度的偏角的晶面。根据本发明，可以提供可以在其主表面上形成高品质半导体层的碳化硅基板。
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