公开(公告)号：CN102648587A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201080034453.6

申请日：2010-08-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 引原隆士 ,  宅野嗣大 ,  弘津研一 ,  下口刚史 ,  柴田俊和 ,  筑野孝 ,  初川聪

IPC: H04B3/54 ,  H04Q9/00

CPC classification number: H04B3/56 ,  H04B3/54 ,  H04B2203/5416 ,  H04B2203/5458 ,  H04B2203/547

Abstract: 在要安装在诸如家用电器的电气设备中，以更简化且更便宜的电路配置实现电力线通信的传输功能。电力线通信装置被配置成使得存在于与电力线连接的电路上的半导体开关元件(Sx)由调制单元(12)驱动。该调制单元(12)通过控制半导体开关元件(Sx)的ON/OFF状态来在规定的时期将调制后的矩形波通信信号输出至电力线。

公开(公告)号：CN1243373C

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN00818361.9

申请日：2000-09-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L27/095 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/0843 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种面结型场效应晶体管及其制造方法，可以得到以低损失、能作高耐压及大电流切换动作的偏差少的面结型场效应晶体管(JFET)。该JFET包括：第二导电型的栅极区域(2)，其设在半导体基片的表面；第一导电型的源极区域(1)；第一导电型的通道区域(10)，其与源极区域连接；第二导电型的限定区域(5)，其与栅极区域连接，限定通道区域；第一导电型的漏极区域(3)，其设在背面；第一导电型的漂移区域(4)，其从通道向漏极在基片的厚度方向上连续。漂移区域和通道区域的第一导电型杂质的浓度低于源极区域、漏极区域的第一导电型杂质浓度及限定区域的第二导电型杂质的浓度。

公开(公告)号：CN1238904C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN02802129.0

申请日：2002-06-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种横向结型场效应晶体管，包括由n-型掺杂区形成的n-型半导体层(3)和在n-型半导体层(3)上由p-型掺杂区形成的p-型半导体层。另外，在p-型半导体层中设置延伸到n-型半导体层(3)中的p+-型栅区层(7)，它含有p-型杂质，杂质浓度高于n-型半导体层(3)的杂质浓度，还设置n+-型漏区层(9)，与p+-型栅区层(7)隔开预定的距离，它们含有n-型杂质，杂质浓度高于n-型半导体层(3)的杂质浓度。采用这种结构，可以提供横向结型场效应晶体管在保持较高击穿电压特性的同时，使导通电阻被进一步减小。

公开(公告)号：CN1496587A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN02802129.0

申请日：2002-06-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种横向结型场效应晶体管，包括由n－型掺杂区形成的n－型半导体层(3)和在n－型半导体层(3)上由p－型掺杂区形成的p－型半导体层。另外，在p－型半导体层中设置延伸到n－型半导体层(3)中的p+－型栅区层(7)，它含有p－型杂质，杂质浓度高于n－型半导体层(3)的杂质浓度，还设置n+－型漏区层(9)，与p+－型栅区层(7)隔开预定的距离，它们含有n－型杂质，杂质浓度高于n－型半导体层(3)的杂质浓度。采用这种结构，可以提供横向结型场效应晶体管在保持较高击穿电压特性的同时，使导通电阻被进一步减小。

公开(公告)号：CN204119041U

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201420492771.2

申请日：2014-08-28

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人丰桥技术科学大学

Inventor： 中幡英章 ,  志贺信夫 ,  弘津研一 ,  大平孝 ,  山田恭平

IPC: H02M5/06

CPC classification number: H02M5/10 ,  H02M5/293

Abstract: 本实用新型涉及变压器。一种分布常数型变压器，其被设置在具有频率f的AC电源和具有电阻值R的负载之间，并且包括：第一转换器，其连接到AC电源，并且具有长度λ/4；以及，第二转换器，其被设置在第一转换器的终端和负载之间，并且具有长度λ/4，其中，在频率f处的波长是λ。这样的变压器具有小尺寸和轻重量，并且不需要在传统变压器中使用的线圈和铁芯等。

公开(公告)号：CN204408198U

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201420492609.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人丰桥技术科学大学

Inventor： 弘津研一 ,  志贺信夫 ,  中幡英章 ,  大平孝 ,  山田恭平

IPC: H02M5/06

CPC classification number: H02M5/06 ,  H02M5/293 ,  H03H7/38

Abstract: 本实用新型涉及变压器和变压设备。一种变压器，其被设置于电源和具有电阻值R的负载之间，并且包括由n个相互连接的电抗元件构成的二端子对电路，其中，n是等于或大于4的自然数。相对于负载的电阻值R的任何值，二端子对电路的输入阻抗Zin具有：实部k·R，其中，k是常数；以及，虚部0。这样的变压器具有小尺寸和轻重量，并且不需要在传统变压器中使用的线圈和铁芯等。

公开(公告)号：CN204316337U

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201420521538.2

申请日：2014-09-11

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人丰桥技术科学大学

Inventor： 中幡英章 ,  弘津研一 ,  志贺信夫 ,  大平孝 ,  山田恭平 ,  江头大也

IPC: H02M5/06

CPC classification number: H02M5/12 ,  H02M3/06 ,  H02M5/06 ,  H02M5/293

Abstract: 一种变压装置，设置在电源和负载之间，包括分别具有进行使相对于输入的输出的极性交替反转的开关动作的功能的前级电路以及后级电路，所述变压装置包括：串联体，设置在前级电路以及后级电路中的至少一方，将一对电抗元件在连接点中相互串联连接而成；以及开关装置，在将串联体的两端设为第一端口的情况下，使串联体的一端和连接点之间以及串联体的另一端和连接点之间通过开关动作而交替且反转极性而设为第二端口，执行从第一端口到第二端口的电力的传输以及从第二端口到第一端口的电力的传输中的任一个。