公开(公告)号：CN109943885A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910145535.0

申请日：2015-12-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  堀勉 ,  佐佐木将 ,  岸田哲也

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板。一种碳化硅单晶基板，其中，所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的直径，所述碳化硅单晶基板具有1×1017cm-3以下的氧浓度，所述碳化硅单晶基板具有2×104cm-2以下的位错密度，且所述碳化硅单晶基板具有2.0％以下的堆垛层错面积比率。一种晶体生长装置(50)，其包含：腔室(20)，所述腔室(20)包含进气口(21)、排气口(22)、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部；与所述排气口(22)连接的排气泵(30)；配置在所述排气口(22)与所述排气泵(30)之间的露点仪(40)，并且所述露点仪(40)被构造成能够测定通过所述排气口(22)的气体的露点。

公开(公告)号：CN108026664A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680056320.6

申请日：2016-10-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 梶直树 ,  上田俊策 ,  堀勉 ,  原田真

IPC: C30B29/36

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基板，其多数载流子密度为1×1017cm‑3以上，使得在除了自主表面的外周起算的距离为5mm以内的区域之外的区域中，通过μ‑PCD分析得到的少数载流子寿命的标准偏差为0.7ns以下。

公开(公告)号：CN107075727A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580057667.8

申请日：2015-11-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木将 ,  高须贺英良 ,  原田真 ,  堀勉

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  H05B3/62 ,  H05B6/44

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  C30B23/066 ,  H05B3/62 ,  H05B6/24 ,  H05B2203/003

Abstract: 准备具有筒状内表面(10)的坩埚(5)。以与内表面(10)接触的方式布置原料(12)，并在坩埚(5)内以面对原料(12)的方式布置晶种(11)。通过使原料(12)升华而在晶种(11)上生长碳化硅单晶(20)。内表面(10)由包围原料(12)的第一区域(10b)和第一区域(10b)以外的第二区域(10a)形成。在生长碳化硅单晶(20)的步骤中，第一区域(10b)中每单位面积的热量小于第二区域(10a)中每单位面积的热量。

公开(公告)号：CN102150270B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201080002562.X

申请日：2010-03-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  原田真 ,  增田健良 ,  穗永美纱子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种MOSFET1。所述MOSFET1包括：碳化硅(SiC)衬底(2)，所述碳化硅衬底(2)的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层(21)，所述半导体层(21)形成在所述SiC衬底(2)的所述主表面上；以及绝缘膜(26)，所述绝缘膜(26)形成为与所述半导体层(21)的表面接触。当绝缘膜(26)具有的厚度不小于30nm且不大于46nm时，其阈值电压不大于2.3V。当绝缘膜(26)具有的厚度大于46nm且不大于100nm时，其阈值电压大于2.3V且不大于4.9V。

公开(公告)号：CN102422387A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020518.1

申请日：2010-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  藤原伸介 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 一种碳化硅衬底(1)，其能够使包括碳化硅衬底的半导体器件制造成本降低，该碳化硅衬底(1)包括：由碳化硅构成的基底衬底(10)，以及由与基底衬底(10)不同的单晶碳化硅构成的且布置在基底衬底(10)上并与之接触的SiC层(20)。由此，碳化硅衬底1是能够有效使用碳化硅单晶的碳化硅衬底。

公开(公告)号：CN102414349A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019023.7

申请日：2010-11-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真

IPC: C30B23/08 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/025

Abstract: 本发明提供一种制造单晶的方法，所述方法包括：准备具有前表面和背表面的晶种(11)；提高所述晶种(11)的所述背表面的表面粗糙度；在所述晶种(11)的所述背表面上形成含碳的涂膜；在所述涂膜与支持台(41)之间具有胶粘剂的情况下使所述涂膜与支持台(41)相互接触；将所述胶粘剂固化以将所述晶种(11)固定到所述支持台(41)上；在所述晶种(11)上生长单晶(52)；其中在实施所述生长之前，通过对所述涂膜进行碳化来形成碳膜(22)。

公开(公告)号：CN102388434A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080016149.9

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/1608

Abstract: 加热多个碳化硅衬底(10)和支撑部(30)。将第一辐射平面(RP1)的温度设定成第一温度，在垂直于一个平面(PL1)并且远离所述支撑部(30)的方向上从所述多个碳化硅衬底(10)延伸的第一空间中，所述第一辐射平面(RP1)面对所述多个碳化硅衬底(10)。将第二辐射平面(RP2)的温度设定成高于所述第一温度的第二温度，在垂直于一个平面(PL1)并且远离所述多个碳化硅衬底(10)的方向上从所述支撑部(30)延伸的第二空间中，所述第二辐射平面(PR2)面对所述支撑部(30)。将第三辐射平面(RP3)的温度设定成低于所述第二温度的第三温度，沿着一个平面(PL1)从所述多个碳化硅衬底(10)之间的间隙(GP)延伸的第三空间中，所述第三辐射平面(RP3)面对所述多个碳化硅衬底(10)。

公开(公告)号：CN101647093B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200880004747.7

申请日：2008-08-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  原田真 ,  并川靖生 ,  增田健良

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L21/67109 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1088

Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法和因表面粗糙所引起的特性退化受到抑制的半导体装置，所述制造半导体装置的方法通过在热处理步骤中充分抑制晶片的表面粗糙而能够抑制因晶片表面粗糙所引起的特性退化。制造作为半导体装置的MOSFET的方法包括包括准备由碳化硅制成的晶片(3)的步骤和活化退火步骤，所述活化退火步骤通过加热所述晶片(3)来实施活化退火。在所述活化退火步骤中，在含产生自SiC片(61)的碳化硅蒸气的气氛中加热所述晶片(3)，所述SiC片(61)为不同于所述晶片(3)的发生源。

公开(公告)号：CN102171828A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201080002822.3

申请日：2010-03-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

Abstract: 一种能够通过减小沟道迁移率而减小导通电阻的IGBT，包括：n型衬底(11)，所述衬底(11)由SiC制成，并且其主表面(11A)相对于{0001}的面取向具有不小于50°且不大于65°的偏离角p型击穿电压保持层(13)，其由SiC制成，并且形成在衬底(11)的主表面(11A)上n型阱区(14)，其形成为包括击穿电压保持层(13)的第二主表面(13B)发射区(15)，其形成在阱区(14)中，以包括第二主表面(13B)，并且包括比击穿电压保持层(13)的浓度更高的浓度的p型杂质；栅极氧化物膜(17)，其形成在击穿电压保持层(13)上；以及栅电极(19)，其形成在栅极氧化物膜(17)上。在包括阱区(14)和栅极氧化物膜(17)之间的界面的区域中，形成高浓度氮化物区域(22)，以具有比阱区(14)和栅极氧化物膜(17)的氮浓度更高的氮浓度。

公开(公告)号：CN101536192A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780041672.5

申请日：2007-11-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  增田健良

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供具有极好性能特性的碳化硅半导体器件及其制造过程。由Si形成的涂覆膜(M1)形成在4H－SiC衬底(10)上提供的初始生长层(11)上，以及在覆盖有涂覆膜(M1)的区域上形成扩大的台阶表面(15A)。接下来，去除涂覆膜(M1)，以及在初始生长层(11)上外延生长新生长层。在这种情况下，在初始生长层(11)中的扩大的台阶表面(15A)上生长由具有在低温时稳定的多形体的3C－SiC晶体形成的3C－SiC部(21a)。在具有窄带隙的3C－SiC部(21a)中设置诸如MOSFET等的沟道区域能够因为界面状态的减少而改善沟道迁移率，并且因而能够实现具有极好工作特性的碳化硅半导体器件的生产。