公开(公告)号：CN1557026A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN03801071.2

申请日：2003-05-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中村孝夫 ,  藤原伸介 ,  松原秀树

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/28 ,  H01L33/405

Abstract: 一种从输出表面发光的ZnSe发光设备，其具有包括自激活发光中心(SA)的n型ZnSe基板、形成在n型ZnSe基板上的激活层、和设置在输出表面相对面上并用于向输出表面反射光的Al层。发射的光可以有效利用，亮度高，并且易于调节白光发射设备的色度。

公开(公告)号：CN1155117C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99110302.5

申请日：1999-07-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松原秀树 ,  片山浩二 ,  武部敏彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种白色或中性色LED，具有掺杂I、Al、Cl、Br、Ga、In作为SA发射中心的n型ZnSe单晶衬底和包括ZnSe、ZnCdSe或ZnSeTe有源层和p-n结的外延膜结构。有源层发射蓝或蓝绿光。ZnSe衬底中的SA发射中心将蓝或蓝绿光转变为黄或橘黄SA光发射。来自外延膜结构的蓝或蓝绿光和来自ZnSe衬底的黄或橘黄光合成为白色光或红和蓝之间的中性色光。

公开(公告)号：CN1290967A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN00119932.3

申请日：2000-07-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 片山浩二 ,  松原秀树 ,  三枝明彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/28 ,  H01L33/42

Abstract: 一种ZnSe基LED内部设置一注入电流限制区域,用于通过限制用于光发射的注入电流而限制缺陷的增加。当一光传送Au电极(9)的一端从一解理面(13)分离开来时,一靠近解理面(13)的区域充作注入电流限制区域。

公开(公告)号：CN1271182A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：CN00106758.3

申请日：2000-04-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中村孝夫 ,  松原秀树

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  Y10S438/94

Abstract: 一发光层提供在一基底上,一p－型半导体层(24)提供在发光层上。一上电极提供在p型半导体层(24)上。一上电极包括一与p型半导体层接触的Au薄膜(10a)和一形成于其上的n型透明导体层(10b)。n型透明导体膜(10b)是通过激光烧蚀来形成的。